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[发明专利]具有IGCT的电流开关器件-CN201410270288.4有效
发明人： T·维克斯特雷姆 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：一种电流开关器件(8)，包括具有阳极(14)、阴极(16)以及门极(18)的集成门极换流晶闸管(10)，其中通过向该门极施加切断电压(40)而中断该阳极与该阴极之间的电流；以及用于产生该切断电压(40)的门极单元(12)。该门极单元(12)和该门极单元至门极(18)的连接建立具有杂散阻抗的门极电路(38)。该门极单元(12)适用于产生具有最大值(44)的峰形切断电压(40)，该最大值(44)大于该阴极与该门极之间的击穿电压(VGR_MAX)，使得由于该门极电路(38)的杂散阻抗，门极处的切断电压保持为低于该击穿电压
门极单元门极阴极电流开关器件阳极击穿电压门极电路杂散阻抗集成门极换流晶闸管电压保持连接建立峰形施加中断

[发明专利]实时补偿杂散磁场的装置及方法-CN201910836572.6有效
发明人：李玉清;宋素雅;马杰;武寄洲;肖连团;贾锁堂 -专利权人：山西大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G05F7/00 文献下载
摘要：本发明是一种实时补偿杂散磁场的装置及方法，属于消除环境中杂散磁场技术领域。本发明的线性电源、补偿线圈Ｉ、补偿线圈Ⅱ、采样电阻和场效应管依次串联，线性电源的正极与补偿线圈组连接，其负极与场效应管的源极连接，磁通门计设置在补偿线圈组的外侧，采样电阻两端电压接入到反馈电路，反馈电路分别与磁通门计、采样电阻和场效应管连接，测量磁通门计x、y方向的输出电压与其z方向杂散磁场的依赖关系，将磁通门计x、y方向的输出电压的平均值乘以一比例因子后的电压信号与采样电阻两端的电压比较，所获得的误差信号经过带有比例、积分的反馈电路处理，输入到场效应管的栅极‑源极电压端口，以实现对环境中变化杂散磁场的实时补偿。
实时补偿磁场装置方法

[实用新型]杂散电感测试电路-CN201220292301.2有效
发明人：李军;姜明;侯相谦;董瑞勇 -专利权人：深圳市英威腾电气股份有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种杂散电感测试电路，其包括直流源、第一开关管、续流二极管、限流电感及被测杂散电感，所述第一开关管的门极施加有双脉冲信号，所述第一开关管的发射极与所述直流源的负极相连，所述第一开关管的集电极与所述续流二极管的正极相连，所述限流电感并联在所述续流二极管的两端，所述被测杂散电感连接在所述续流二极管的负极和所述直流源的正极之间。本实用新型杂散电感测试电路通过给第一开关管施加双脉冲来控制电路工作，在不同状态下形成不同回路以有效计算出电子材料或设备系统内部的杂散电感，从而达到降低电子材料或设备系统等产品的生产成本、提高产品可靠性和市场竞争力的目的
电感测试电路

[发明专利]一种电气器件换流回路杂散参数的测量方法-CN201811615509.1有效
发明人：曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电气器件换流回路杂散参数的测量方法，所述换流回路包括依次串联连接的电气器件中的功率半导体元件、第n个阴极环对应的管壳、驱动板、门极驱动线路、开关元件、以及电容器；在电气器件换流过程中，基于所述换流回路中的电气参数和/或电气参数关系，采用拟合法得到第n个阴极环对应管壳、电容器以及门极驱动线路的杂散电阻与杂散电感。该测量方法实现了对于换流回路各部分杂散参数的分离，便于电气器件后续的分析与改进。
一种电气器件换流回路参数测量方法

[发明专利]一种IGCT封装结构-CN202010592494.2有效
发明人：孙永伟;陈芳林;曾文彬;潘学军;陈勇民;董超;邹平 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种IGCT封装结构，包括环形门极、连接部件、弹性支撑部件和门极外接环。其中，连接部件的顶部与底部分别与环形门极和门极外接环连接，弹性支撑部件位于连接部件内。本发明提供的IGCT封装结构，能够在保证压力传递均匀的同时简化封装工艺流程，提高封装效率，并且有效缩短换流回路的迂回长度，从而有效降低换流回路的杂散电感的IGCT封装结构。
一种 igct 封装结构

[发明专利]放电加工装置-CN201280014718.5有效
发明人：高田智昭;桥本隆;金利映;中川孝幸;佐佐木祐飞;那须祐儿;寺岛正人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： B23H1/02 文献下载
摘要：本发明的放电加工装置具有电源、由电极和被加工物形成的极间、以及插入在所述电源和所述极间之间的对地杂散电容电流抑制线圈，因此，可以使从电源向极间的电容(极间并联电容器以及极间并联杂散电容)充电的充电路径低阻抗化，并且可以使向对地杂散电容充电的充电路径高阻抗化，可以抑制放电加工时的来自对地杂散电容的电流。
放电加工装置

[发明专利]大容量电力电子变换系统电磁瞬态分析方法-CN201210497020.5有效
发明人：赵争鸣;袁立强;鲁挺;贺凡波;孙晓瑛 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：包括：大容量电力电子变换系统执行一次保护动作，采集所述变换系统执行保护动作前后的系统参数，确定所述变换系统安全工作区；提取交换系统的杂散参数，进而确定交换系统的瞬态母排结构；根据所述母排结构以及杂散参数确定半导体开关器件门极驱动信号的反馈控制设定值；根据所述半导体开关器件门极驱动信号的反馈控制设定值确定交换系统的延迟时间，最后确定在系统安全工作区的延迟时间。本发明将原有器件安全工作区推广到系统安全工作区，将原有集中参数拓扑结构扩展到考虑杂散参数的主电路结构，将原有信号级脉冲调制算法推广到主电路脉冲控制策略。
容量电力电子变换系统电磁瞬态分析方法

[发明专利]一种防止杂散电流腐蚀地下管线的装置-CN201710954799.1有效
发明人：冯拉俊;邓博;沈文宁 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止杂散电流腐蚀地下管线的装置，包括导流极，导流极设置在屏蔽环内，且导流极的两端焊接在屏蔽环上，屏蔽环通过导线连接有牺牲阳极。采用旁路电极的方法平衡排入地下的电流，使杂散电流优先流过导流极，而不会流入地下管线中，有效的防止了杂散电流对地下管线的腐蚀。
地下管线杂散电流导流屏蔽环腐蚀导线连接两端焊接牺牲阳极电极旁路地下平衡

[发明专利]一种直流母线的绝缘故障的定位方法、介质及系统-CN202310518041.9在审
发明人：尹相国;温伟杰;李晨阳;何昱;李洋;崔翔;许涛;白雪;单睿;孙飞;张冠育;詹兆东;胡柏华;罗小波;宋泽炜;程冀川 -专利权人：国网宁夏电力有限公司超高压公司;天津大学;国网宁夏电力有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开一种直流母线的绝缘故障的定位方法、介质及系统，包括：测量直流系统的故障极的母线的对地电压，故障极的母线所在支路的漏电流，以及，故障极的母线的绝缘电阻；在故障极的母线的线芯与故障极的母线的屏蔽层之间接入交流电流源，使所述交流电流源产生预设的交流电流后，测量所述交流电流源两侧的电压；获取故障极的母线的线芯的单位长度的电阻杂散系数和电感杂散系数，以及，故障极的母线的屏蔽层的单位长度的电阻杂散系数和电感杂散系数；计算得到所述故障极的母线的故障点与所述故障极的母线所在支路的起始端的距离
一种直流母线绝缘故障定位方法介质系统

[发明专利]IGBT分级关断的控制电路、方法、芯片及装置-CN202211303623.7在审
发明人：吴晓光;黄辉;傅俊寅;汪之涵 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT分级关断的控制电路、方法、芯片及装置，通过电压采样电路、比较器电路、逻辑控制电路、IGBT器件及杂散电感构成的控制电路。则在进行实施时，电压采样电路采集杂散电感上的第一电压并输出第二电压至比较器电路，比较器电路将第二电压与基准电压进行比较并输出控制电压至逻辑控制电路，逻辑控制电路根据控制电压及逻辑控制信号控制门极的电压，也即在控制过程中通过采集第一电压来准确判定IGBT的关断状态，由此在IGBT处于关断时，能够逐步、分级控制IGBT器件40的门极电压变化快慢，在抑制IGBT关断尖峰同时，尽可能的减小了关断延迟时间，从而提高所应用的电路的可靠性
igbt 分级控制电路方法芯片装置

[发明专利]一种IGCT器件的门极电流及关断特性测量方法-CN201910380806.0有效
发明人：曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGCT器件的门极电流及关断特性测量方法，其中，所述门极电流测量方法包括，将一个或多个第一罗氏线圈传感器穿过IGCT器件门极换流回路中并联电气元件的漏极或源极，形成第一测量回路；基于所述第一测量回路确定以下一种或多种电气参数：并联电气元件的测量电流、并联电气元件的稳态电流、并联电气元件的并联支路总个数、测量的并联电气元件的并联支路总个数；基于确定的所述电气参数，采用比例换算计算所述IGCT器件的门极电流该测量方法操作简便，适用于所有测量工况，且在测量过程中不影响IGCT器件的杂散参数特性。
一种 igct 器件电流特性测量方法

[实用新型]一种单管测试适配装置-CN202221087069.9有效
发明人：王伟群;刘锦霖;任春茂;谢亮 -专利权人：深圳市愿力创科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单管测试适配装置，包括：PCB板，PCB板的正面及反面均覆盖有E极铜皮、C极铜皮和G极铜皮；通过对应铜皮分别连接于PCB板正面的E极低杂散电感线、C极低杂散电感线和第一G极导线；通过对应铜皮分别连接于PCB板反面的E极导线、C极导线和第二G极导线，低杂散电感线和导线的自由线端用于连接测试治具接线端；以及装在测试设备板框上的测试设备插接件，所述PCB板插接于测试设备插接件。本实用新型采用PCB板接插方式进行连接，不同的测试治具通用一种连接方式，方便安装和现场维护；使用低杂散电感线能够减少电压尖峰对元器件的损害，从而做到在测试过程中不损坏元器件的使用寿命，增加系统可靠性。
一种测试配装

[发明专利]半导体器件-CN94113265.X无效
发明人：吉武伸之;高仓真二 -专利权人：索尼公司
申请日： 1994-12-21 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：公开了一种具有多个光电二极管的光电集成电路。在充电二极管之间提供一个吸收杂散载流子的半导体区。由光人射产生的杂散载流子被半导体区吸收，从而使光电二极管间的交叉干扰减少。$#!
半导体器件

[发明专利]用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件-CN201510695059.1在审
发明人：李亚斌;李臣;柴艳鹏;王飞;张克斌 -专利权人：保定四方三伊电气有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件，包括：驱动板，驱动板用于将外部信号产生单元产生的脉冲信号进行放大以得到驱动信号；一个或多个门极PCB板，其中一个或多个并行连接的碳化硅MOSFET中的每个分别通过一个对应的门极PCB板直接连接至驱动板，以使驱动信号以一个或多个门极PCB板为媒介传输至一个或多个碳化硅MOSFET。通过采用门极PCB板作为传输途径，保持脉冲驱动信号在传输过程中的波形稳定性，降低杂散参数的干扰，提高抗干扰性能，从而解决高频高压条件下碳化硅MOSFET的驱动问题。
用于碳化硅 mosfet 逆变器驱动器件

[发明专利]半导体器件功率模块-CN201310535423.9有效
发明人：胡家喜;孙保涛;李彦涌;杨进峰;罗凌波;姚磊;刘海涛;朱武;刘少奇;马振宇;罗剑波;周伟军 -专利权人：南车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：所述模块包括：位于两侧的支撑结构，用于固定所述功率模块；位于所述支撑结构之间的沿纵向延伸的功率组件，所述功率组件包括通过压装机构压装的多个半导体器件，所述半导体器件包括集成门极换向晶闸管、箝位吸收二极管、中点箝位二极管和续流二极管。根据本发明的半导体器件功率模块电气性能优良，它充分发挥了集成门极换向晶闸管（IGCT）器件本身的潜力，具有结构紧凑、杂散电感小、散热能力强、易于维护等优点。
半导体器件功率模块

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