“镓基热”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1417890个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法-CN201210277907.3无效
发明人：蔡金宝;王金延;刘洋;徐哲;王茂俊;于民;解冰;吴文刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。
一种氮化器件湿法腐蚀方法

[实用新型]一种具有氮化镓基的矩阵光源和前照灯-CN202222114158.4有效
发明人：胡建;蔡姬妹;吴蕾;崔慧 -专利权人：重庆翰博显示科技研发中心有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有氮化镓基的矩阵光源和前照灯，属于车载显示领域。一种具有氮化镓基的矩阵光源，包括电路板，所述电路板均布有氮化镓基发光二极管，所述氮化镓基发光二极管在所述电路板上以5×6的矩阵阵列布置；所述矩阵的第一行、第二行和第三行中的所述氮化镓基发光二极管组成远光灯区域；所述矩阵的第四行和第五行中的所述氮化镓基发光二极管组成近光灯区域；与现有技术相比，本申请的一种具有氮化镓基的矩阵光源通过在远光区域的LED芯片上分配I R荧光粉，车辆可以发射红外远光灯，该远光灯可以通过摄像头成像
一种具有氮化矩阵光源前照灯

[发明专利]一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法-CN201210491141.9在审
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。
一种绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法

[发明专利]金刚石基氮化镓器件制造方法-CN201810651735.9有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上依次生长氮化镓缓冲层和介质层；在所述介质层上按预设图案选择性的生长金刚石形核层；所述金刚石形核层生长形成图案化的金刚石层；将形成的衬底‑氮化镓缓冲层综上所示，本申请所提供的金刚石基的氮化镓器件制造方法，通过形成图案化的金刚石层，大幅降低金刚石与氮化镓之间的应力，从而降低大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的制造难度，有利于大晶圆尺寸金刚石基氮化镓器件的产业化
氮化镓器件金刚石金刚石层介质层衬底氮化镓缓冲层尺寸金刚石金刚石形核图案化制造晶圆生长预设图案倒置产业化氮化镓去除申请

[发明专利]微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板-CN201910147435.1在审
发明人：郭恩卿;邢汝博;韦冬;李晓伟;张宇 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种微发光二极管像素单元器件结构、制备方法及显示面板，该微发光二极管像素单元器件结构包括：氮化镓基微发光二极管结构，氮化镓基微发光二极管结构包括依次叠置的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层；和与氮化镓基微发光二极管结构电连接的薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构形成于所述n型氮化镓层之上或形成于p型氮化镓层之上。通过直接利用半导体技术，在已经包括LED基本工艺结构的氮化镓基LED外延片上制备TFT结构，规避了现有技术中利用巨量转移技术实现微LED和TFT的集成所带来的成本高、良率低的问题。
发光二极管像素单元器件结构制备方法显示面板

[发明专利]从锌置换渣中回收镓的方法-CN201910001498.6有效
发明人：张志峰;李艳玲;唐平江 -专利权人：建水正业矿冶有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明涉及从锌置换渣中回收镓的方法，具体涉及采用1‑(2‑乙基己基氨基)丙基膦酸二(2‑乙基己基)酯(DEHAPP)作为萃取剂从锌置换渣硫酸浸出液中萃取回收镓的方法，包括：(1)将锌置换渣硫酸浸出液与包含1‑(2‑乙基己基氨基)丙基膦酸二(2‑乙基己基)酯的萃取体系接触进行萃取，得到含镓和锌的萃取液和萃取余液；(2)将含镓和锌的萃取液用洗涤剂进行洗涤，得到含镓萃取液和含锌洗涤液；(3)将含镓萃取液用反萃剂进行反萃，得到含镓反萃液。本发明所用的萃取剂性质稳定、易于合成，并且可以很好的实现从含Ga、Ge、In、Zn的锌置换渣硫酸浸出液中回收镓。
置换回收方法

[发明专利]集流体及其制备方法、电极片和二次电池-CN201911063329.1在审
发明人：邓永红;张震;谷猛;韩兵;王庆荣 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明提供的制备方法，包括：获取铜金属基底和镓基液态金属；将镓基液态金属涂覆在铜金属基底的表面，使得镓基液态金属与铜金属基底表面的铜发生合金化反应，制备表面形成有合金层的铜金属基底，合金层的材料为铜镓基合金由此得到的集流体的表面形成有铜镓基合金，使得集流体表面具有均匀分布的镓活性位点，可在后续电池充放电过程中诱导碱金属离子在集流体表面进行均匀地沉积，从而有效抑制枝晶的形成和生长。
流体及其制备方法电极二次电池

[发明专利]氮化镓发光二极管的快速热退火-CN201210300599.1有效
发明人：王耘;A·M·霍利鲁克 -专利权人：超科技公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：氮化镓发光二极管的快速热退火。本发明公开一种在形成氮化镓(GaN)发光二极管(LED)时所执行的快速热退火的方法，以及使用所述快速热退火方法所形成的氮化镓发光二极管。一种例示性方法包含形成氮化镓多层结构，其具有n型氮化镓层与p型氮化镓层，且所述n型氮化镓层与p型氮化镓层之间夹入激活层。该方法还包含使用激光器或闪光灯对p型氮化镓层执行快速热退火。该方法还包含在氮化镓多层结构上形成透明导电层，且将p型接触添加至透明导电层上及将n型接触添加至n型氮化镓层上。所得氮化镓发光二极管具有增强的输出功率、更低的接通电压及减低的串联电阻。
氮化发光二极管快速退火

[发明专利]氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200710064383.9有效
发明人：王晓亮;马志勇;冉学军;肖红领;王翠梅;胡国新;唐健;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构制作方法

[发明专利]基于镓基液态合金的纳米级锡粉制备方法-CN201810459014.8有效
发明人：汪玉冬;金明江;应仁龙 -专利权人：杭州诺麦科科技有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于镓基液态合金的纳米级锡粉制备方法。具体步骤包括：1)通过真空熔炼获得镓基液态合金，2)在电解装置中加入镓基液态合金及电解液，通电电解分离获得含锡粉的电解液；3)对含锡粉的电解液进行离心、洗涤烘干研磨等处理，获得纳米级锡粉。本发明关键在于镓基液态合金的电解工艺和镓基液态合金的配方，本通过合适的电解液、电流、喂丝工艺以及镓基液态合金，得到具有纳米尺度的锡粉颗粒，所得到的锡粉纯度达到99.9％以上，并且可根据实际需要调整电解工艺
基于液态合金纳米级锡粉制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管及其制造方法-CN200910194799.1无效
发明人：李刚;刘慰华;丁成;张义颖 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种GaN基发光二极管及其制造方法，其中，这种GaN基发光二极管的制造方法包括：在衬底上依次形成本征氮化镓层、n型氮化镓层、n型氮化镓铟层、发光层、p型氮化镓铝层和第一p型氮化镓层，该方法还包括：在第一p型氮化镓层上形成异质预处理层；和在异质预处理层上形成第二p型氮化镓层。
一种 gan 发光二极管及其制造方法

[发明专利]氮化镓基功率二极管及其制作方法-CN201611258251.5有效
发明人：康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率二极管及其制作方法，在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；对P型氮化镓外延层和第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于P型氮化镓外延层或贯穿于P型氮化镓外延层并伸入第一轻掺杂N型氮化镓外延层的刻蚀图形；在含有刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；制作阳极和阴极，以形成氮化镓基功率二极管本发明采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率二极管中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。
氮化功率二极管及其制作方法

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人：于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]一种基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器及其控制方法-CN202011350562.0在审
发明人：王俊;屈坤;张超;陈伟彬 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：该基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器包括直流供电电源Vdc、直流稳压电容Cdc、第一飞跨电容Cf1、……、第二飞跨电容Cf2、……、第(n‑2)飞跨电容Cf(n‑2)、第一硅基器件SL1、第二硅基器件SL2、第一氮化镓基器件SH1、第二氮化镓基器件SH2、第三氮化镓基器件SH3、第四氮化镓基器件SH4、……、第(2n‑3)氮化镓基器件SH(2n‑3)、第(2n‑2)氮化镓基器件SH(2n‑2)和负载本发明充分结合了Si基器件的大容量、低成本和宽禁带器件的低损耗、高频率的优势，能显著提高效率，而且大大降低成本和提高宽禁带器件应用功率等级，实现了性能与成本的折中优化。
一种基于 gan si 器件混合飞跨电容电平逆变器及其控制方法

[发明专利]铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯-CN201910884700.4在审
发明人：李光;郑悠;白耀平 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝镓氮基紫外LED外延结构及紫外LED灯，铝镓氮基紫外LED外延结构包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、第一铝镓氮层、发光层以及第二铝镓氮层；第二铝镓氮层包括多个第二铝镓氮子层，多个第二铝镓氮子层依次层叠设置，多个第二铝镓氮子层的铝组分不同，与发光层连接的第二铝镓氮子层的铝组分大于其他第二铝镓氮子层的铝组分。靠近发光层的第二铝镓氮子层铝组分最大，远离发光层的第二铝镓氮子层铝组分最小，不同组分的第二铝镓氮子层，减弱了第二铝镓氮层的内建电场，使得第二铝镓氮层与发光层之间的压电极化效应减弱，从而提高空穴的有效注入率，使得电子与空穴的辐射复合率提高，提高了铝镓氮基紫外LED外延结构的内量子率和发光率。
铝镓氮子层铝镓氮层发光层外延结构紫外LED 空穴依次层叠紫外LED灯内建电场效应减弱压电极化发光率缓冲层注入率衬底量子复合辐射

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条