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[发明专利]一种镍-自对准硅化物的制备方法-CN200910077621.9无效
发明人：尚海平;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍-自对准硅化物的制备方法，该方法包括：步骤1：采用氮化钛/镍/硅固相反应结构，通过镍与硅的固相反应生长硅化镍薄膜；步骤2：采用氢氟酸/异丙醇溶液对硅片进行清洗；步骤3：溅射氮化钛/镍膜前对真空腔及硅片进行退火处理；步骤4：在硅片上溅射氮化钛/镍复合金属膜；步骤5：采用镍-自对准硅化物工艺形成镍化硅。本发明提供的这种镍-自对准硅化物的制备方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行、成本低和没有环境污染的优点。
一种对准硅化物制备方法

[发明专利]一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法-CN200910077723.0无效
发明人：尚海平;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法，该方法包括：步骤1：采用两步镍-自对准硅化物工艺形成一硅化镍膜；步骤2：对该硅化镍膜进行低能高剂量杂质注入；步骤3：对该硅化镍膜进行快速热退火。
一种调节金属硅化物源漏肖特基势垒高度方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610135634.3无效
发明人：小川久;内藤康志;工藤千秋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有被FUSI化了的栅电极的半导体装置，可以有效地形成应力膜，可以提高半导体装置的电气特性。半导体装置具备：形成于半导体基板(1)上的具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24A)的n型MIS晶体管(100A)、具有被镍完全硅化物化了的完全硅化物栅电极(24B)的p型MIS晶体管(100B在半导体基板(1)上，以至少将完全硅化物栅电极(24B)覆盖的方式形成有作为使该半导体基板(1)的完全硅化物栅电极(24A)的下侧部分的沟道区域产生应力应变的应力膜的第二基底绝缘膜(17)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]增大自对准镍硅化物面积的方法及使用该方法制造的器件-CN201910808395.0在审
发明人：李镇全 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大自对准镍硅化物面积的方法，包括以下步骤：步骤一，在半导体衬底表面形成栅极膜组及侧墙层，并用湿法刻蚀减薄外层侧墙；步骤二，在栅极模组及侧墙层的外表面形成第一硬掩模层；步骤三，以光刻方式定义需要自对准生成镍硅化物区域；步骤四，以干刻结合湿法工艺去除第一硬掩模层；步骤五，进行镍硅化物的自对准生成。本发明可在一定程度上扩大镍硅化物形成的面积，从而提高电性及其他相关性能。
镍硅化物自对准硬掩模层侧墙层半导体衬底表面方式定义结合湿法湿法刻蚀栅极模组栅极膜侧墙电性光刻减薄面形去除并用

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710052983.7在审
发明人：岩谷将伸;内海诚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体装置不增大接触电阻，不会成为单元间距缩小的障碍，并在形成镍硅化物时，能够防止镍渗入层间绝缘膜。该半导体装置的制造方法在栅极绝缘膜(6)和栅电极(7)上形成层间绝缘膜(8)，将层间绝缘膜(8)开口，形成接触孔。接下来，用氮化钛膜(10)覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，通过回蚀刻使氮化钛膜(10)仅残留在栅极绝缘膜(6)和层间绝缘膜(8)的在接触孔露出的端部。接下来，用镍膜覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，在去除与层间绝缘膜(8)直接接触的镍膜之后，对镍膜进行加热，形成镍硅化物层(9)。
半导体装置制造方法

[发明专利]镍合金溅射靶及镍硅化物膜-CN201080002740.9有效
发明人：山越康广 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种镍合金溅射靶以及由该靶形成的镍硅化物膜，所述镍合金溅射靶可以形成热稳定的硅化物(NiSi)膜，难以引起膜的凝聚或过量硅化物化，另外在形成溅射膜时粉粒的产生少，均匀性也良好，并且加工为靶时的塑性加工性良好一种镍合金溅射靶，其特征在于，含有22～46重量％的铂，以及5～100重量ppm的选自铱、钯、钌的一种以上的成分，其余包含镍及不可避免的杂质。
镍合金溅射镍硅化物膜

[发明专利]具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法-CN03823253.7有效
发明人： E·N·佩顿;相奇;P·R·贝瑟;林明仁;M·V·恩戈;王海宏 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：以镍进行硅化，以形成镍锗硅化物(62，64)，该镍锗硅化物较佳地包括镍硅化物的单硅化物相。硅化物中包含的锗在形成单硅化物相的期间内，提供了较宽的温度范围，而却实质地维持了镍单硅化物所呈现的较好薄层电阻。结果，在随后的处理期间，镍锗硅化物比镍单硅化物更能够抵挡较高的温度，而却仍能够提供与镍单硅化物大约相同的薄层电阻与其它有利特性。
具有镍锗硅化物栅极 mosfet 及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310031224.4有效
发明人：邓坚;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底中形成富镍相硅化物；执行离子注入，向富镍相硅化物中注入掺杂离子；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，在将富镍相金属硅化物转变为低电阻镍基硅化物的同时还在硅化物与衬底之间形成了超薄介质层，从而有效降低了肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力
半导体器件及其制造方法

[发明专利]镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺制造半导体器件的方法-CN200410099749.2无效
发明人：金旼炷;具滋钦;宣敏喆;卢官种 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍－自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。
对准硅化物工艺利用制造半导体器件方法

[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法-CN201580003475.9有效
发明人：河田泰之 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在碳化硅半导体部(1)的表面形成表面电极膜(4)，所述表面电极膜(4)依次层叠由镍构成的第一电极膜(2)和由镍硅化物(NiSi)构成的第二电极膜(3)而成。之后，通过利用热处理使碳化硅半导体部(1)的硅原子和第一电极膜(2)的镍原子反应而使第一电极膜(2)的几乎全部为镍硅化物(Ni₂Si)，从而形成碳化硅半导体部(1)与表面电极膜(4由于第二电极膜(3)含有硅，所以在热处理时与碳化硅半导体部(1)的硅原子不反应。第一电极膜(2)的厚度为5nm以上且10nm以下。第二电极膜(3)的厚度为80nm以上。如此，能够确保与碳化硅半导体部(1)形成欧姆接触的电极膜和层叠在电极膜上的布线层之间的密合性。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310031156.1有效
发明人：邓坚;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；执行离子注入，向衬底中注入掺杂离子；在衬底中形成富镍相硅化物；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金属硅化物与衬底界面处形成介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过向衬底中注入掺杂离子后再形成硅化物并退火，在将富镍相金属硅化物转变为低电阻镍基硅化物的同时还在硅化物与衬底之间形成了超薄介质层，从而有效降低了肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力
半导体器件及其制造方法

[发明专利]镍金属硅化物的制备方法-CN201610107726.4在审
发明人：肖天金;邱裕明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种镍金属硅化物的制备方法，包括：对暴露的硅衬底表面进行预清洗，除去自然氧化物，在其上沉积镍或镍合金；通入含有氢气的气体进行第一次退火，使镍或镍合金的至少一部分与硅反应；移除未反应的镍或镍合金；进行第二次退火，形成镍金属硅化物；通过在第一次退火中通入含有氢气的气体，能消除反应氛围中微量的氧气，防止镍或镍合金以及镍金属硅化物被氧化，可以降低镍金属硅化物的缺陷，形成形貌和均匀性良好的镍金属硅化物；并且氢气能够修复和减少镍金属硅化物和硅衬底界面处的缺陷，从而改善界面态，提高镍金属硅化物的品质，降低了源极/漏极区及栅极区的接触电阻和串联电阻，提高了器件的可靠性。
金属硅制备方法

[发明专利]镍硅化物形成方法及晶体管形成方法-CN201110294758.7有效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种镍硅化物形成方法以及一种晶体管形成方法。本发明的实施例所提供的晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面材料含硅；在所述衬底表面形成金属层，所述金属层的材料含镍；形成金属层后，对衬底进行第一退火，形成第一镍硅化物层；向所述第一镍硅化物层注入硅离子；注入硅离子后，对所述第一镍硅化物层进行第二退火，形成第二镍硅化物层。通过本发明实施例提供的晶体管形成方法可以避免第二镍硅化物层向沟道区侵蚀，从而可以提高晶体管的可靠性。
镍硅化物形成方法晶体管

[发明专利]镍硅化物的制造方法-CN201910742951.9在审
发明人：李中华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍硅化物的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，在半导体衬底上具有暴露的硅表面，暴露的硅表面为镍硅化物的形成区域；步骤二、进行预非晶化离子注入并在镍硅化物的形成区域中形成非晶化层，预非晶化离子注入的注入源采用氙；步骤三、在镍硅化物的形成区域自对准形成镍硅化物。本发明利用氙是质量最大的非放射性惰性气体的特点能使非晶化层和硅之间的界面层具有最好的均匀性，从而能提高镍硅化物的欧姆接触电阻均匀性。
镍硅化物非晶化层非晶化硅表面均匀性衬底半导体离子欧姆接触电阻惰性气体非放射性界面层注入源自对准暴露制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610006154.7无效
发明人：外园明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：栅电极，具有在半导体衬底的元件形成区域上隔着栅极绝缘膜而依次形成的包含砷的多晶硅膜、多晶硅锗膜和第1镍硅化物层的叠层结构；侧壁绝缘膜，具有形成于所述栅电极的侧面的绝缘膜；源及漏层，形成于所述栅电极的两侧的所述元件形成区域内，且包含砷；以及第2镍硅化物层，形成于所述源及漏层上；包含于所述栅电极内的砷的峰值浓度小于等于包含于所述源及漏层中的砷的峰值浓度的十分之一。
半导体器件及其制造方法

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