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[发明专利]溅射靶-CN201680028414.2有效
发明人：村田周平;山越康广;永津光太郎 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其具备平坦部和锥形部，其特征在于，在靶的溅射面上配置有点燃用的加工槽。能够降低点燃(等离子体点火)的点火失败率，并且能够稳定地开始溅射过程。由此，能够缩短装置的停机时间，因此能够有助于提高生产能力、改善性价比。
溅射

[发明专利]控制系统、中继装置和控制方法-CN201510535861.4有效
发明人： 山越康广;坪井幸利;井学丰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明涉及控制系统、中继装置和控制方法。根据本发明的控制系统(9)被安装在移动物体上。所述控制系统(9)包括：观察装置(92)，其发送指示所述移动物体的周围的观察结果的观察结果数据；第一控制指令装置(91)，其发送指示基于观察结果数据确定的控制内容的第一控制数据；移动控制装置(93)，其控制移动物体的移动；以及中继装置(95)，其将第一控制指令装置(91)发送的第一控制数据中继至移动控制装置(93)。当向控制系统(9)提供发送指示基于观察结果数据确定的控制内容的第二控制数据的第二控制指令装置(94)时，中继装置(95)将第二控制数据而非第一控制数据发送到移动控制装置(93)。
控制系统中继装置控制方法

[发明专利]镍合金溅射靶、Ni合金薄膜及镍硅化物膜-CN201180014500.5有效
发明人： 山越康广;大桥一允 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种Ni合金溅射靶，其特征在于，含有5～30原子%的Pt、1～5原子%的选自V、Al、Cr、Ti、Mo和Si的一种以上成分，其余包含Ni和不可避免的杂质。本发明的课题在于抑制：作为磁导率高的Ni-Pt合金靶的缺点的漏磁通（PTF）低的情况；由此溅射时磁力线在靶的表面局部集中，从而具有靶的侵蚀区域小的倾向的情况；而且随着靶侵蚀的进行，选择性地进一步进行侵蚀的部分与不怎么进行侵蚀的部分的差异进一步增大的情况。
镍合金溅射 ni 合金薄膜镍硅化物膜

[发明专利]由难烧结物质构成的靶及其制造方法以及靶-背衬板组件及其制造方法-CN201110262878.9有效
发明人： 山越康广 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶，其特征在于，具有由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶材与靶材以外的高熔点金属板接合的结构。本发明提供由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法，其特征在于，能够比较容易地制造由难以进行机械加工的高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶，并且有效地抑制制造靶时及大功率溅射时裂纹的产生，并抑制热压时靶原料与模具的反应，还能够降低靶的翘曲。
烧结物质构成及其制造方法以及背衬板组件

[发明专利]半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法-CN201080003041.6有效
发明人：仙田真一郎;山越康广;伊藤顺一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-04-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成；及一种用于形成半导体布线用阻挡膜的烧结体溅射靶，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，其特征在于，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成，并且靶的组织包括W基质以及存在于W基质中的Ni粒子，具有W扩散到该Ni粒子中的组织。本发明的课题在于提供不依赖于溅射时的氮化反应，靶本身与阻挡膜具有相同组成，并且可以有效防止半导体器件的反应，再者溅射时不产生粉粒，特别是作为阻挡膜有用，并且在该阻挡膜形成时具有优良的特性的溅射靶及该靶的制造方法。
半导体布线阻挡烧结溅射制造方法

[发明专利]镍合金溅射靶及镍硅化物膜-CN201080002740.9有效
发明人： 山越康广 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种镍合金溅射靶以及由该靶形成的镍硅化物膜，所述镍合金溅射靶可以形成热稳定的硅化物(NiSi)膜，难以引起膜的凝聚或过量硅化物化，另外在形成溅射膜时粉粒的产生少，均匀性也良好，并且加工为靶时的塑性加工性良好，特别是对栅极材料(薄膜)的制造有用。一种镍合金溅射靶，其特征在于，含有22～46重量％的铂，以及5～100重量ppm的选自铱、钯、钌的一种以上的成分，其余包含镍及不可避免的杂质。
镍合金溅射镍硅化物膜

[发明专利]通过非电解镀形成铜薄膜的镀件-CN200980130346.0有效
发明人：伊藤顺一;矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;山越康广;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C18/38 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种镀件，其中，与在钨、钼等的单质金属上进行非电解镀铜的情况相比，使在大马士革铜配线等上的通过非电解镀铜形成籽晶层时的成膜均匀性和粘附性提高，进而消除在铜籽晶层成膜之前的形成阻挡层和催化剂金属层这两层的烦杂，能够进行超微细配线的形成，以薄且均匀的膜厚形成籽晶层。该镀件的特征在于，在基材上形成有包含金属B和金属A的防止铜扩散用阻挡合金薄膜，所述金属B能够与非电解镀铜液中所含的铜离子进行置换镀，并且对铜具有阻挡性，所述金属A在pH10以上的非电解镀铜液中的离子化倾向比金属B小；该防止铜扩散用阻挡合金薄膜具有所述金属A为15原子％～35原子％的组成，在其上通过使用了pH10以上的非电解镀铜液的非电解镀而形成有铜薄膜。
通过电解形成薄膜

[发明专利]由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法以及该溅射靶 -背衬板组件及其制造方法-CN200880000418.5有效
发明人： 山越康广 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶，其特征在于，具有由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶材与靶材以外的高熔点金属板接合的结构。本发明提供由高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶及其制造方法，其特征在于，能够比较容易地制造由难以进行机械加工的高熔点金属合金、高熔点金属硅化物、高熔点金属碳化物、高熔点金属氮化物或高熔点金属硼化物这些难烧结物质构成的靶，并且有效地抑制制造靶时及大功率溅射时裂纹的产生，并抑制热压时靶原料与模具的反应，还能够降低靶的翘曲。
熔点金属合金金属硅碳化物氮化物硼化物这些烧结物质构成及其制造方法以及

[发明专利]高纯度Ni－V合金的制造方法-CN200710186581.2有效
发明人：新藤裕一朗;山越康广 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有99.9重量％以上纯度的高纯度Ni－V合金、由该Ni－V合金形成的靶以及该Ni－V合金薄膜和能够有效地减少下述杂质的高纯度Ni－V合金的制造方法，所述Ni－V合金，使铸块之间或靶之间或薄膜之间的偏差少，提高蚀刻性，并且使放射对半导体装置中的微型电路产生不良影响的α粒子的U、Th等同位素元素严格地减少。
纯度 ni 合金制造方法

[发明专利]柔性铜衬底用阻挡膜和用于形成阻挡膜的溅射靶-CN200580027274.9有效
发明人：入间田修一;山越康广 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种柔性铜衬底用阻挡膜，包含Co－Cr合金膜，所述Co－Cr合金膜含有5～30重量％的Cr，其余部分包含不可避免的杂质以及Co，膜厚为3～150nm，膜厚均匀性以1σ计为10％以下；以及一种用于形成阻挡膜的溅射靶，包含Co－Cr合金，所述Co－Cr合金含有5～30重量％的Cr，其余部分包含不可避免的杂质以及Co，靶面的面内方向的相对磁导率为100以下。本发明得到柔性铜衬底用阻挡膜，在抑制铜向聚酰亚胺等树脂膜扩散时，膜厚薄至不产生膜剥离的程度，且即使是细小布线节距也能够得到充分的阻挡效果，即使经热处理等温度上升，阻挡特性也没有变化；和用于形成阻挡膜的溅射靶。
柔性衬底阻挡用于形成溅射

[发明专利]铪合金靶及其制造方法-CN200480006256.8有效
发明人：冈部岳夫;入间田修一;山越康广;宫下博仁;铃木了 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-01-21 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm－10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1－100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。
合金及其制造方法

[发明专利]镍合金溅射靶-CN200380108508.3无效
发明人： 山越康广 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2003-10-06 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种镍合金溅射靶，其特征在于，镍中含有0.5～10at％钽，并且除气体成分以外的不可避免的杂质在100重量ppm以下。本发明提供一种镍合金溅射靶及其制造技术，能够形成热稳定的硅化物(NiSi)膜，很难发生膜凝聚或过剩的硅化物化，并且形成溅射膜时很少产生颗粒，均匀性良好，制造靶时的塑性加工性能良好，尤其是能用于制造栅电极材料(薄膜)。
镍合金溅射

[发明专利]高纯度镍或镍合金靶及其制造方法-CN02827194.7有效
发明人： 山越康广;宫下博仁 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2002-11-28 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有优异溅射膜均一性的磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶，其中所述靶的磁导率至少为100，此磁控溅射用高纯度镍或镍合金靶即使在采用300mm晶片进行淀积处理时，它也能获得有利的膜均一性(膜均匀度)和优良的等离子点火性能。本发明也提供了所述高纯度镍或镍合金靶的制造方法。
纯度镍合金及其制造方法

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