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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]键合装置-CN202221513712.X有效
  • 游正锋;徐荣;陈照勖 - 深圳晶微峰光电科技有限公司
  • 2022-06-16 - 2022-11-29 - H01L21/60
  • 本申请涉及一种键合装置。所述键合装置包括：相对设置的两个载台，其中一载台用于承载所述晶圆，另一载台用于承载基板；真空吸孔，两个所述载台的承载面上均设有所述真空吸孔；加热件，两个载台均设置有多个所述加热件，多个加热件被配置为围绕载台的中心线沿平行于承载面的方向呈辐射状排布这样，当晶圆或基板存在翘曲时，可以通过加热件对晶圆或基板的表面进行差异化加热，通过热胀冷缩原理改善晶圆或基板的翘曲度，从而最大程度避免晶圆翘曲影响晶圆的键合，从而提高封装良率。
  • 装置
  • [发明专利]键合头、键合装置和键合方法-CN202211506940.9在审
  • 龙俊舟;陶超;王力 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-11-28 - 2023-05-05 - H01L21/603
  • 本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
  • 键合头装置方法
  • [发明专利]键合头装置、键合方法及键合机台-CN201710930963.5有效
  • 程海林;赵丽丽;夏海;陈飞彪 - 上海微电子装备（集团）股份有限公司
  • 2017-10-09 - 2021-02-05 - H01L21/603
  • 本发明提出的键合头装置、键合方法及键合机台，第一动力组件与键合组件相互独立，实现了整个键合头装置的轻量化，增加了键合头装置在键合过程中的移动速度，同时减小了在键合芯片时产生的第一作用力，增加了键合的产率；进一步的，通过键合组件中的气浮轴套单元精密调压以缓冲第一作用力，无需使用传统的压力传感器，降低了键合头进行芯片贴合时的控制过程的复杂度，同时无需减少键合头装置的刚度，避免了芯片键合时发生贴合翘曲以及第一作用力不均匀等问题；更进一步的，本发明提出的键合机台使用第一动力组件与键合组件相互独立的键合头装置，可同时对多个工作台上的芯片进行键合，极大提高了键合产率。
  • 键合头装置方法机台
  • [发明专利]键合方法及键合装置-CN202010671643.4在审
  • 母凤文 - 母凤文
  • 2020-07-13 - 2020-10-09 - H01L21/18
  • 本发明公开了一种键合装置及键合方法，该装置包括一用于表面活化的光源，一真空腔体、一支撑机构和一加压机构；光源用于活化两键合表面，加压机构可以在活化后施加压力辅助键合、支撑机构用于将待键合样品传送至特定位置后支撑固定待键合样品该键合装置可以避免传统表面活化键合方法带来的界面损伤层和氧化层，实现界面具有完整的晶格结构，从而保证界面具备特定性能。
  • 方法装置
  • [发明专利]键合装置及键合方法-CN202210726733.8在审
  • 陈帮;周云鹏;陶超;郭万里 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-06-23 - 2022-09-02 - H01L21/68
  • 本发明提供了一种键合装置及键合方法，通过拾取部从第一承载台上拾取第一待键合体，通过翻转部将拾取的第一待键合体从第一面向上翻转为第二面向上，通过键合头下部吸附翻转后的第一待键合体，并通过传送部将吸附有第一待键合体的键合头下部移动到键合头上部与第二承载台之间，进而在键合头上部与键合头下部连接之后，通过第二承载台在水平向的移动使得第一待键合体与第二承载台上的第二待键合体对准，并通过键合头上部带动吸附有第一待键合体的键合头下部沿垂向移动，以将第一待键合体键合于第二待键合体上本发明的技术方案使得在提高第一待键合体与第二待键合体的对准精度的同时，还能提高键合产能。
  • 装置方法
  • [发明专利]键合装置及键合方法-CN202210459985.9在审
  • 郭万里;周云鹏 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-04-24 - 2022-08-12 - H01L21/60
  • 本发明涉及一种键合装置及键合方法。所述键合装置包括具有空腔的键合头，所述空腔由键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将该芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，在进行贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁变形，所述芯片的下表面的中间区朝向键合对象拱起，在进行贴合时，所述芯片的下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。所述键合方法在将芯片和键合对象贴合时，使所述芯片下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。相对于芯片下表面整体与键合对象直接接触，可以避免形成封闭气泡，降低键合面处出现空洞缺陷的概率，提升键合质量。
  • 装置方法
  • [发明专利]键合装置及键合方法-CN202210975978.4在审
  • 王力;龙俊舟;陶超 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-08-15 - 2022-11-04 - H01L21/67
  • 本发明提供了一种键合装置及键合方法，用于将芯片键合于晶圆上，所述键合装置包括：承载膜，第一面粘结有多个芯片；压着单元，设置于晶圆上方，压着单元包括压着头，压着头用于将承载膜的第一面粘结的芯片向下压向晶圆，以使得芯片键合于晶圆上。本发明的技术方案能够减少对芯片键合面的污染以及芯片传送过程中的掉落，从而提高产品良率。
  • 装置方法
  • [发明专利]键合装置及键合方法-CN202310696397.1在审
  • 骆中伟 - 芯盟科技有限公司
  • 2023-06-12 - 2023-08-01 - H01L21/67
  • 一种键合装置及键合方法，其中，键合装置用于键合芯片和晶圆，所述晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：载台，所述载台具有键合面，所述键合面包括若干单元格区，当所述晶圆与所述键合面相贴合时，各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于各所述单元格区内的凹槽插口，所述凹槽插口用于容纳所述芯片，所述凹槽插口相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了所述芯片与晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
  • 装置方法
  • [发明专利]键合装置及键合方法-CN202211097412.2在审
  • 孙鹏;刘爽;叶国梁;胡胜;宋胜金;占琼;周俊 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2022-09-08 - 2023-03-10 - H01L21/18
  • 本发明提供了一种键合装置及键合方法，所述键合方法包括：提供第一承载膜和第二承载膜，所述第一承载膜上承载有多个芯片，所述第二承载膜上承载有晶圆；采用第一遮蔽罩和第二遮蔽罩分别遮盖所述第一承载膜和所述第二承载膜且所述第一遮蔽罩暴露出部分个所述芯片，所述第二遮蔽罩暴露出所述晶圆的部分表面；执行等离子体清洗工艺，以对所述第一遮蔽罩暴露出的部分个所述芯片以及所述第二遮蔽罩暴露出的所述晶圆的部分表面进行激活；将激活的部分个所述芯片键合于所述晶圆的激活的部分表面上本发明的技术方案能够降低键合失败的概率。
  • 装置方法
  • [发明专利]键合装置以及键合方法-CN202310804324.X在审
  • 程尧;阮扬 - 武汉光迅科技股份有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-10-03 - H01L21/687
  • 本申请提供一种键合装置以及键合方法，键合装置包括承载台以及固定组件；承载台包括键合区域；固定组件包括两个第一压爪以及至少一个第二压爪，两个第一压爪分别位于键合区域的相对两侧，第二压爪位于键合区域的与第一压爪相邻的一侧；本申请通过将待键合的芯片放置于承载台的键合区域内，采用固定组件对待键合的芯片进行固定，由于固定组件的两个第一压爪分别位于键合区域的相对两侧，第二压爪位于键合区域的与第一压爪相邻的一侧，所以可以对待键合的芯片形成至少三点支撑，且可以适配各种尺寸的待键合的芯片，既能够节约成本，又能够有效固定待键合的芯片，可以避免在键合过程中产品失效。
  • 装置以及方法
  • [发明专利]键合装置和键合方法-CN202111595678.5有效
  • 田应超;刘天建;曹瑞霞;程曲 - 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
  • 2021-12-24 - 2022-03-22 - H01L21/68
  • 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件，包括：用于拾取第一待键合管芯的键合头，以及贯穿所述键合头的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面；第一对准组件，用于在所述键合组件位于第一位置时，通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号；所述第一对准组件，还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
  • 装置方法
  • [发明专利]键合装置和键合方法-CN202111594630.2有效
  • 田应超;刘天建;曹瑞霞;张伟 - 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
  • 2021-12-24 - 2022-03-29 - H01L21/68
  • 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
  • 装置方法
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