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- [实用新型]一种锡渣还原设备-CN201520080575.9有效
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尹茂思;严支农
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深圳市堃琦鑫华股份有限公司
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2015-02-04
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2015-09-02
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C22B25/06
- 为克服现有技术中添加的还原剂存在污染锡炉，影响焊接的问题，本实用新型提供了一种锡渣还原设备，包括炉体和搅拌装置；炉体形成有可容纳锡液的炉膛；炉体内设置有隔离板，隔离板将炉膛分割成搅拌区和预热区，搅拌区域与预热区下部相互连通、上部相互隔离；炉体内具有用于对炉膛加热的加热体；预热区所在炉体侧壁上形成有出锡口，搅拌区所在炉体侧壁上形成有出渣口；出渣口的最底端高于出锡口和隔离板的最底端，并低于隔离板的最顶端；搅拌装置设置于炉体上本实用新型提供的锡渣还原设备可对锡渣进行隔离还原，还原后的锡液可送入焊炉循环使用，保证锡液的利用率，且不会污染锡炉。
- 一种还原设备
- [发明专利]一种薄膜封装的植球工艺-CN201610422220.2有效
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王庆梅;孙家远;万新欣;张磊
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全讯射频科技(无锡)有限公司
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2016-06-15
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2019-03-01
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H01L21/48
- 本发明提供了一种薄膜封装的植球工艺，将锡膏印刷到金属镀层上，再进行回流焊，锡膏在回流焊的过程中熔化形成锡球并与金属镀层相连接,回流焊包括以下步骤：a.升温区升温，控制预热区的温度以1.5‑1.7℃/s的速率上升至175℃‑185℃之间；b.吸热区锡膏融化，控制吸热区的温度以0.3‑0.4℃/s的速率上升至220℃,保持温度大于219℃，直至锡膏呈完全融化状态；c.回流焊区回流焊接，控制温度以0.15‑0.25℃/s的速率升高至温度峰值235℃‑245℃，保持锡膏处在液化状态的时间为120s‑160s；d.冷却区冷却，控制温度以1.5‑1.7℃/s的速率减小，直至温度减小至80℃‑100℃，停止冷却。
- 一种薄膜封装工艺
- [发明专利]电连接器及电连接器的制造方法-CN201711441584.6有效
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龚永生;徐璐;龚剑伟
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得意精密电子（苏州）有限公司
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2017-12-19
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2020-10-02
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H01R13/187
- 本发明公开了一种电连接器，包括一筒式端子，筒式端子具有一第一连接区和一第二连接区，第一连接区具有一第一非焊接面、一第一焊接面，同样地，第二连接区设有一第二非焊接面、一第二焊接面，第一焊接面、第二焊接面、第一非焊接面与第二非焊接面均具有一第一锡层；一套筒，其套设于筒式端子外，套筒设有一第一固定区和一第二固定区，第一固定区与第一焊接面、第二固定区与第二焊接面均加热焊接，第一固定区与第一焊接面、第二固定区与第二焊接面之间均具有一第二锡层，设于第一固定区与第一焊接面之间的锡量大于设于第一非焊接面的锡量，设于第二固定区与第二焊接面之间的锡量大于设于第二非焊接面的锡量。
- 连接器制造方法
- [发明专利]一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201210289255.5有效
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黄如;邱颖鑫
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北京大学
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2012-08-14
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2012-12-05
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H01L29/36
- 本发明公开了一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管包括形成在锗半导体的衬底上的锗锡薄膜层、源区、漏区、沟道区和栅叠层区以及锗半导体的衬底。本发明的锗锡隧穿场效应晶体管制备在锗半导体的衬底上生长的锗锡薄膜层上，其中的锗锡薄膜层中锡的组分是在生长中进行调节，且随着锡的组分增加，锗锡薄膜层的禁带宽度一直减少。锗锡薄膜层的禁带宽度减少使得隧穿宽度减少，隧穿电流明显增加；间接带隙转换为直接带隙（约6%锡）也使得隧穿电流增加，所以锗锡隧穿场效应晶体管可以实现明显地提升驱动电流，从而有效地解决当前隧穿场效应晶体管的驱动电流不足的问题
- 一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法
- [实用新型]锡槽冷却装置-CN201921328640.X有效
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董清世;赵开铸;冷雪峰;王峰
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信义节能玻璃（芜湖）有限公司
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2019-08-15
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2020-06-23
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C03B18/18
- 本实用新型属于玻璃生产装置技术领域，尤其涉及一种锡槽冷却装置，应用于装有锡液的锡槽内且位于锡槽的顶壁与设在锡液上的玻璃带之间。锡槽冷却装置包括导槽件和隔温组件，导槽件内设有用于供冷水流动的流动通道，导槽件的上表面设有隔温区，隔温组件安装于导槽件上并覆盖隔温区，隔温组件用于对隔温区与锡槽内部之间隔热并阻挡由锡槽的顶壁落下的锡液滴使用时，将流通有冷水的导槽件伸入于锡槽内，并使得隔温区位于导槽件正上方的位置，那么在隔温组件的作用下，使得导槽件位于隔温区处由冷水产生的低温不会影响到导槽件的上方，从而避免位于导槽件上方的锡蒸汽受冷液化，避免锡液滴滴落在玻璃带上影响玻璃带的品质。
- 冷却装置
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