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[实用新型]一种小型化大变倍比中波红外连续变焦镜头-CN202121893069.3有效
发明人：陈巍 -专利权人：三河市蓝思泰克光电科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02B15/167 文献下载
摘要：本申请提供一种小型化大变倍比中波红外连续变焦镜头，镜头中设置的镜片包括前固定组、变倍组、补偿组、调焦组、后固定组以及探测器；前固定组具有正光焦度，包括第一透镜和第二透镜；第一透镜为一片凸面硅单晶正透镜；第二透镜为一片凸面锗单晶负透镜；变倍组具有负光焦度；补偿组具有正光焦度；调焦组件具有正光焦度，包括第五透镜，第五透镜为一片凸面锗单晶正透镜；后固定组具有正光焦度，包括第六透镜和第七透镜；第六透镜为一片凸面锗单晶正透镜，第七透镜为一片凸面单晶正透镜，探测器包括沿第一方向依次设置的保护窗口、冷屏、冷光阑和像面。
一种小型化大变倍中波红外连续变焦镜头

[发明专利]一种单晶硅光栅导模共振滤波器-CN202010065429.4有效
发明人：钱林勇;朱雯;李海涛;闫长春 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅光栅导模共振滤波器。滤波器基于单晶硅光栅制作导模共振结构，实现对线偏振光的光谱滤波，并通过改变单晶硅光栅的周期和高折射率薄膜的厚度来调节共振峰。其中TM线偏振光滤波器包括高折射率薄膜层锗、单晶硅光栅层；TE线偏振光滤波器包括二氧化硅薄膜层、锗薄膜层及单晶硅光栅层。TM、TE模式的线偏振光垂直入射到单晶硅三角形光栅上，在反射方向上实现对入射光谱的滤波。该反射滤光片结构中的单晶硅光栅采用湿法刻蚀，结构加工无需进行反应离子刻蚀，降低了此类器件的制备成本和难度。
一种单晶硅光栅共振滤波器

[发明专利]半导体基材及其制造方法-CN200510120392.6无效
发明人：迪尔克·丹兹;安德烈亚斯·胡贝尔;赖因霍尔德·瓦利希;布赖恩·墨菲 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体基材，其包括：单晶硅晶片、位于该表面处、含有硅和锗的松弛单晶层，其中该层表面处的锗含量在10重量％至100重量％的范围内，而周期性设置的空腔的层位于所述表面的下方。
半导体基材及其制造方法

[发明专利]低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法-CN201110240916.0有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，包括以下步骤：步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。
噪声锗硅异质结双极晶体管制作方法

[发明专利]一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法-CN03141886.4有效
发明人：董业民;程新利;陈猛;王曦;张峰 -专利权人：上海新傲科技有限公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。
一种图形绝缘体材料制备方法

[发明专利]一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法-CN202011153915.8有效
发明人：房现阁;柯尊斌;王卿伟 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23G1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法，锗单晶切片脱胶剂，包括二氯甲烷、乙酸异戊酯和水，二氯甲烷和乙酸异戊酯的体积比为(6～9.5)：(0.5～4)，水的体积为二氯甲烷和乙酸异戊酯体积和的5％～50本发明锗单晶切片脱胶剂，其成本仅为丙酮的1/6左右，大大降低了生产成本；以水作为密封层，有效阻止了二氯甲烷和乙酸异戊酯的挥发，避免了挥发损耗，降低了脱胶剂的使用量；加速了脱胶速度，提高了生产效率；使用过程中损耗少
一种锗单晶切片脱胶及其方法

[发明专利]单晶锗红外晶体分光镜、及激光长波红外分束膜制备方法-CN202111335653.1有效
发明人：李鹏;李岳峰;陈志航;孙红晓;刘楚;吕一帆 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明一种单晶锗红外晶体分光镜、及激光长波红外分束膜制备方法，属于光学薄膜制造技术领域；分光镜由单晶锗红外晶体基底和具有45°入射角在1.064μm高反射、7.7μm～10.3μm高透过率的分束膜两部分构成本发明严格执行程序设定每层镀膜的过程工艺参数(几何厚度、温度、沉积速率与真空度)，并结合膜层厚度在线控制系统控制膜层几何厚度，即可实现单晶锗红外晶体分光镜激光长波红外分束膜制备，最终达到要求的光学特性技术指标
单晶锗红外晶体分光镜激光长波分束膜制备方法

[实用新型]一种经济型长波红外锅炉镜头-CN201821510255.2有效
发明人：雷季东;王胜龙 -专利权人：三河市蓝思泰克光电科技有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G02B13/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种经济型长波红外锅炉镜头，从物方至像方依次有三组透镜，包括：具有正光焦度的第一透镜，为一片凸面朝向像方的弯月形锗单晶正透镜；具有正光焦度的第二透镜，为一片凸面朝向像方的弯月形锗单晶正透镜；具有正光焦度的第三透镜，为一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜。
透镜长波正光焦度弯月形锗单晶正透镜像方本实用新型红外锅炉经济型凸面镜头非制冷探测器凸面朝向物方经济实用焦距体积小重量轻物方像元成像锅炉

[实用新型]一种锗单晶生长的自动进料及出料装置-CN202120836721.1有效
发明人：彭明清;崔丁方;缪彦美;韩帅民;张文泽熹;赵威;子光平;匡子登;廖吉伟 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶生长的自动进料及出料装置，涉及晶体生长技术领域。本实用新型通过设置升降机构，使得进料机构的高度可自由调节，从而能适应不同规格坩埚的进料要求，且可实现定量进料，通过设置滑套、连杆和六个锗单晶放置筒，使得该装置的出料较方便，解决了现有的锗单晶生长的自动进料及出料装置难以实现定量进料
一种锗单晶生长自动进料装置

[实用新型]一种用于大靶面红外探测器的微距镜头-CN202121930373.0有效
发明人：陈巍 -专利权人：三河市蓝思泰克光电科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02B13/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于大靶面红外探测器的微距镜头，镜头中的镜片包括由物方至像方依次设置的第一透镜、第二透镜和第三透镜；其中，所述第一透镜具有正光焦度，为凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜，其朝向像方的一侧为非球面；所述第二透镜具有负光焦度，为凸面朝向物方的弯月形锗单晶负透镜，其朝向像方的一侧为衍射面；所述第三透镜具有正光焦度，为双凸形锗单晶正透镜，其朝向像方的一侧为非球面。
一种用于大靶面红外探测器镜头

[发明专利]一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法-CN202210214553.1有效
发明人：王蓉;徐所成;皮孝东;许彬杰;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法，包括以下几个步骤：将碳化硅籽晶粘接于石墨托后放入生长腔室内，进行碳化硅第一阶段生长，形成带贯穿型位错的碳化硅晶体；将生长腔室加热，压强降低，加入含碳气体，通过低速台阶流生长模式进行碳化硅第二阶段生长，在碳化硅表面形成第一缓冲层；停止加入含碳气体，生长腔室内载气恢复至初始状态，提高腔室内压强，进行碳化硅第三阶段生长，第一缓冲层表面形成第二缓冲层；调整腔室压强，进行碳化硅单晶生长；生长完成后，降温、降压，获得低位错密度的碳化硅单晶，本发明通过缓冲层迭代方法调控碳化硅单晶生长过程中的位错演变，降低碳化硅单晶中的位错密度，实现高质量碳化硅单晶的生长。
一种低位密度碳化硅生长方法

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201380020512.8有效
发明人：旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-04-05 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括使Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1‑100)面接触Si‑C熔液；以及在籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
sic 及其制造方法

[发明专利]一种单晶硅生长方法-CN202310450640.1在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅生长方法，涉及单晶硅生产技术领域。该单晶硅生长方法包括：根据晶棒头部的电阻率，向硅溶液里掺杂含磷母合金；在检测得到的所述晶棒的电阻率低于预设门限时，或者，在所述晶棒被拉制到预设长度时，向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片通过向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片，能够通过硼元素提升晶棒的电阻率，控制单晶硅生长过程中电阻高于预设门限；通过掺杂锗元素能够消除因为掺杂硼和氮引起的硅晶格畸变。
一种单晶硅生长方法

[实用新型]一种改善锗单晶片总厚度变化的装置-CN201822185751.1有效
发明人：唐安泰;李建平 -专利权人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，包括固定盘，所述固定盘顶部开设有吸附孔，所述吸附孔远离固定盘表面的一端连通有压力槽，所述压力槽开设在固定盘内部，所述固定盘顶部边缘固定连接有固定圈，所述压力槽内壁一侧开设有活塞槽所述活塞槽内壁远离压力槽的一端开设有螺纹孔，所述螺纹孔贯穿固定盘，所述活塞槽内壁滑动连接有活塞，所述活塞靠近螺纹孔的一侧转动连接有活塞杆，所述活塞杆通过螺纹孔贯穿固定盘并延伸至固定盘外部，本实用新型涉及锗单晶技术领域该一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，能够使底盘和无蜡垫之间连接更紧密，并且避免无蜡垫位移，改善单晶片总厚度变化，操作简单，工作效率高。
固定盘总厚度变化螺纹孔锗单晶片活塞槽压力槽本实用新型活塞活塞杆吸附孔蜡垫内壁工作效率高顶部边缘内壁滑动转动连接单晶片固定圈有压力锗单晶底盘贯穿连通外部延伸

[实用新型]直拉法生长低位错单晶的热场结构-CN201520864558.4有效
发明人：黎建明;冯德伸;高欢欢;张路;王霈文 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种直拉法生长低位错单晶的热场结构。该热场结构包括沿单晶炉炉壁设置的主加热器和设置在单晶炉炉底的底加热器。主加热器为上薄下厚的渐变型直筒结构。采用该热场结构生长低位错单晶的工艺至少包括：(1)选择无位错单晶作为籽晶，在晶体生长过程中，升温化料达到目标温度；(2)将熔体稳定一段时间热场稳定后，寻找引晶温度；在该引晶温度点引晶1小时后直接放肩；(3)经自动控制等径生长、收尾、冷却至室温，完成低位错晶体生长。采用本实用新型的热场结构能够降低热场中的温度梯度、增大低温度梯度区域；结合低温度梯度热场中晶体生长工艺，能够加长低位错晶体的有效长度。
直拉法生长低位错单晶结构