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- [发明专利]一种锗晶片双面抛光的方法-CN202210519057.7有效
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宋志强;刘兴达;柯尊斌;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-05-13
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2023-09-26
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B24B29/02
- 本发明公开了一种锗晶片双面抛光的方法，抛光设备包括下盘、上盘和游星轮；下盘和上盘同心且相对设置、二者相对面上均设有抛光垫；上盘上有流药孔；下盘为环形，下盘内环内侧设有内齿圈，上盘外环外侧设外齿圈，内齿圈和外齿圈均可旋转，游星轮有3～5个，所有游星轮均布在下盘的抛光垫上、且位于内齿圈和外齿圈之间，游星轮为圆形，游星轮的周边同时与下盘上的内齿圈和外齿圈咬合；游星轮上设有放片孔；抛光时，将待加工晶片置于游星轮上的放片孔内，对加工晶片依次进行药液抛和水抛。本发明保证了TTV在合格范围内，简化了方法步骤，减低了成本，加工时间短、质量好、效率高，加工一致性好，可进行产品的批量生产。
- 一种晶片双面抛光方法
- [发明专利]一种检测区熔锗锭P型、N型的方法-CN202310670351.2在审
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房现阁;尚宇声;剧云鹏;童三红;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2023-06-07
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2023-08-08
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G01N25/72
- 本发明公开了一种检测区熔锗锭P型、N型的方法，将待测锗锭置于热源和热成像仪之间，打开热源，并利用热成像仪扫描成像，若显示图像可以穿透锗锭，则说明扫描区域为N型，若显示图像为条状暗影，则说明扫描区域为P型。本发明检测区熔锗锭P型、N型的方法，巧妙的利用了N型锗的红外透过性(P型锗不具备此特性)，通过红外热成像仪扫描，可以快速、准确地检测出P型料，从而加快了检测进度，减少了检测人员工作量；准确度高，且可清晰准确地获知P型和N型的分界线，避免了P型残留，减少了N型损失，提高了产品品质，节约了成本，避免了浪费；同时提高了检测效率，同时提高了测试精度，测试精度可达到0.5mm以下。
- 一种检测区熔锗锭方法
- [发明专利]一种磷化铟抛光药液及抛光方法-CN202310114774.6在审
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吕春富;王卿伟;童三红;胡文青;宋志强
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中锗科技有限公司
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2023-02-15
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2023-06-27
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C09G1/02
- 本发明公开了一种磷化铟抛光药液及抛光方法，一种磷化铟抛光药液，包括配合使用的粗抛药液1和精抛药液2；粗抛药液1由三氯异氢尿酸、二氧化硅磨料A和高纯水组成，其中，三氯异氢尿酸、二氧化硅磨料A和高纯水的重量比为(18‑36)：(80‑120)：(3000‑5000)；精抛药液2由三氯异氰尿酸、有机酸、二氧化硅磨料B、高纯水和酸性活性剂苯磺酸钠，其中，有机酸为苹果酸、乳酸或柠檬酸中的至少一种，三氯异氰尿酸、有机酸、二氧化硅磨料B、高纯水和酸性活性剂的重量比为(60‑120)：(60‑300)：(100‑300)：(20000‑50000)：(60‑150)。本发明粗抛液成分简单，原料中有效成分用量少，去除效率高，有效提高了生产效率，降低了生产成本，提高了抛光质量，降低了对外企的依赖。
- 一种磷化抛光药液方法
- [发明专利]一种磷化铟衬底片定位磨边装置及方法-CN202210321372.9有效
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周锐;刘桂勇;刘兴达;柯尊斌;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-03-30
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2023-03-24
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B24B9/06
- 本发明公开了一种磷化铟衬底片定位磨边装置及方法，定位磨边装置，包括操作台和plc控制柜，操作台上设有卡塞卡槽、第一抓取装置、定位装置、平边探测装置、第二抓取装置、磨边装置、第三抓取装置、清洗装置、第四抓取装置和存储装置。本发明利用机械手臂工作原理替代人工操作运转，降低了劳动强度，提高了磨边过程的稳定性，提高了衬底片加工效率，提高了产品的一致性及稳定性；操作简单，只需安装晶片卡塞，自动中心定位台可快速中心定位晶片，红外探头可对OF平边精准定位，多磨边工位可同时磨边多片；磨边结束后具备清洗及干燥功能，减去人员采用手动清洗及擦拭的步骤，使得晶片上不容易产生水渍，提升了产品品质；装置简单、紧凑，占地小。
- 一种磷化衬底定位磨边装置方法
- [实用新型]一种锗镜片加工设备-CN202222362474.3有效
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罗福敏;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-09-06
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2023-03-24
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B23D79/00
- 本实用新型公开了一种锗镜片加工设备，包括支撑架、固定件、第一驱动块、第二驱动块、丝杆、刻度轮盘、第一电机、第二电机、第三电机和减速机；支撑架上设有上层支撑台和下层支撑台；固定件、第一驱动块和第二驱动块在上层支撑台上依次设置；固定件连接在上层支撑台上，丝杆一端端部与刻度轮盘固定连接、另一端与固定件和第一驱动块螺纹配合；第一电机安装在第一驱动块上，第一电机转轴端部设有夹具；第二电机安装在第二驱动块上，第二电机转轴端部设有球面刀片；第三电机和减速机相连、且均安装在下层支撑台上，减速机的转轴穿过上层支撑台与第二驱动块连接。本实用新型提高了锗单晶的利用率、减少了锗油泥，节约了成本。
- 一种镜片加工设备
- [发明专利]一种75mm红外光学镜头-CN202211640181.5在审
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尚宇声;王卿伟;常晟;剧云鹏;赖文平;陈高翔
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中锗科技有限公司
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2022-12-20
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2023-03-21
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G02B13/00
- 本发明公开了一种75mm红外光学镜头，包括沿入射光束的传输方向依次设置的第一透镜、第二透镜和第三透镜；且满足以下关系式：0.2799/mm＜TTL/ImgH/f＜0.3039/mm、1.77＜|f12/f|＜11和0.914＜R31/R32＜1.172；其中，TTL为第一透镜物侧面至光学镜头的像面于光轴上的距离，ImgH为光学镜头的有效成像圆的半径，f为光学镜头的有效焦距，f12为第一透镜与第二透镜的组合焦距，R31为第三透镜物侧面于光轴处的曲率半径，R32为第三透镜像侧面于光轴处的曲率半径。本发明75mm红外光学镜头，通过对透镜的选择和设计，利用三片透镜，实现了75mm红外光学镜头的高质量成像，减少了透镜数量，缩小了体积，降低了成本。
- 一种75mm红外光学镜头
- [发明专利]一种去除锗抛光片脏污和霉斑的方法-CN202211239792.9在审
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吕春富;王卿伟;常晟;端平;胡洁;胡文青
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中锗科技有限公司
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2022-10-11
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2023-01-10
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B08B3/02
- 一种去除锗抛光片脏污和霉斑的方法，包括如下步骤：1)将锗单晶抛光片间隔插入特氟龙卡塞，插入数量不大于13片/卡，将特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第一混合水溶液中浸泡10‑15分钟，然后，拖着特氟龙卡塞来回往返3‑5次，取出，用去离子水冲洗60‑90S；2)将步骤1)去离子水冲洗后的特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第二混合水溶液中浸泡30‑60秒，取出，用去离子水冲洗60‑90秒；3)将步骤2)去离子水冲洗后的特氟龙卡塞连同锗单晶抛光片浸没在第三混合水溶液中，晃动15‑20秒，取出，用去离子水冲洗45‑60秒，甩干。本发明可将锗抛光片表面脏污和霉斑有效去除，处理后的锗单晶抛光片表面清洁透亮，无抛光无量损失；处理效率高、容易量产推广。
- 一种去除抛光脏污霉斑方法
- [发明专利]一种牢靠型红外光学无热化镜头-CN202210891221.7在审
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剧云鹏;赖文平;尚宇声;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-07-27
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2022-11-01
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G02B13/00
- 本发明公开了一种牢靠型红外光学无热化镜头，包括沿入射光束的传输方向依次设置的第一透镜、第二透镜和第三透镜；第一透镜为具有负屈光度的弯月型负透镜，第一物侧面为凸面，第一像侧面为凹面；第二透镜为具有正屈光度的弯月型正透镜，第二物侧面为凸面，第二像侧面为凹面；第三透镜为具有正屈光度的弯月形正透镜，第三物侧面为凸面，第三像侧面为凹面；牢靠型红外光学无热化镜满足以下关系式：0.2＜TTL/ImgH/f＜0.4和1.00＜FNO＜1.04；其中，TTL为第一物侧面至光学镜头的像面于光轴上的距离，ImgH为光学镜头像高的一半，f为光学镜头的有效焦距，FNO为光学镜头的光圈数。上述牢靠型红外光学无热化镜头，具有较高像素的成像效果，并能适应野外环境工作。
- 一种牢靠红外光学热化镜头
- [发明专利]一种锗镜片加工设备及加工方法-CN202211083827.4在审
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罗福敏;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-09-06
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2022-10-21
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B23D79/00
- 本发明公开了一种锗镜片加工设备及加工方法，加工设备包括支撑架、固定件、第一驱动块、第二驱动块、丝杆、刻度轮盘、第一电机、第二电机、第三电机和减速机；支撑架上设有上层支撑台和下层支撑台；固定件、第一驱动块和第二驱动块在上层支撑台上依次设置；固定件连接在上层支撑台上，丝杆一端端部与刻度轮盘固定连接、另一端与固定件和第一驱动块螺纹配合；第一电机安装在第一驱动块上，第一电机转轴端部设有夹具；第二电机安装在第二驱动块上，第二电机转轴端部设有球面刀片；第三电机和减速机相连、且均安装在下层支撑台上，减速机的转轴穿过上层支撑台与第二驱动块连接。本发明提高了锗单晶的利用率、减少了锗油泥，节约了成本。
- 一种镜片加工设备方法
- [发明专利]一种降低锗衬底晶片背面缺陷的腐蚀方法-CN202011620263.4有效
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李志成;曾琦;柯尊斌;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2020-12-30
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2022-10-11
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H01L21/306
- 本发明公开了一种降低锗衬底晶片背面缺陷的腐蚀方法，将锗衬底晶片插入卡塞的插槽中，然后浸入腐蚀液中腐蚀，再依次经去离子水冲洗、甩干，完成腐蚀；其中，卡塞从H头到U头共25个插槽，H头起至少第一个插槽中插有垫片，U头起至少第一个插槽中插有垫片，垫片为特氟龙塑料垫片和/或废锗垫片；腐蚀液的组成为：氢氟酸：硝酸：过氧化氢：冰乙酸：溴素＝(300‑500)：(500‑800)：(50‑100)：(300‑1000)：(3‑9)，前述比例为体积比。本发明通过对药液改进、增加垫片等方案的结合，有效降低了锗衬底晶片腐蚀过程中背面缺陷，进而降低了返修率和无量率，提高了背面腐蚀质量，提高了衬底晶片腐蚀的一致性，整体提高了晶片的强度；简化了操作，提高了生产效率，降低了生产成本。
- 一种降低衬底晶片背面缺陷腐蚀方法
- [发明专利]一种金钢线切片后锗泥清洗方法-CN202210450087.7在审
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张国辉;柯尊斌;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-04-27
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2022-08-23
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B08B3/02
- 本发明公开了一种金钢线切片后锗泥清洗方法，所用金钢线切片后锗泥清洗装置包括：过滤网、喷淋池、晶片支架、盖板、开盖气缸、污水回收溢流储水箱、加热管、喷淋管、喷淋摆动气缸、喷淋泵和过滤器；清洗方法包括：1)将金钢线切割完成的整段晶棒切口向上地放置在晶棒支架内；2)将盖板打开，并将晶棒支架放置在喷淋池中央，盖上盖板；3)污水回收溢流储水箱内加入清洗液，开启喷淋泵与喷淋摆动气缸，清洗液经过过滤器过滤后通过第二管路输送至喷淋管、喷洒在金钢线切割完成的晶棒上，同时喷淋摆动气缸驱动喷淋管摆动，形成对晶棒的清洗，喷淋15～20分钟后，结束喷淋。本发明从切割完成到预冲洗完成用时仅15～20分钟；且全程只需一个人，清洗液可循环利用。
- 一种金钢线切片后锗泥清洗方法
- [实用新型]一种半导体抛光用抛光垫削边装置-CN202220058844.1有效
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宋志强;刘兴达;柯尊斌;王卿伟
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中锗科技有限公司
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2022-01-11
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2022-08-23
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B26D1/30
- 本实用新型公开了一种半导体抛光用抛光垫削边装置，包括底座、十字万向节、第一紧固螺丝、支撑杆、刀片装置和第二紧固螺丝；底座包括底盘和固定杆，固定杆竖直设在底盘上表面中央位置，底盘周边设有安装孔；十字万向节包括第一节筒和第二节筒，第一节筒和第二节筒的一端转动连接在一起，第一节筒和第二节筒的另一端均设有套筒；第一节筒的套筒套接在固定杆上；刀片装置安装在支撑杆上，刀片装置上设有刀片，刀片的刀刃向外，支撑杆的两端均超过刀片装置，支撑杆的一端套接在第二节筒的套筒内，支撑杆的另一端为把手端。上述装置，对人的操作手法要求不高，操作简便，安全可靠，效率提高，削出的边型一致，无需后期修整，均一性好，特别稳定。
- 一种半导体抛光垫削边装置
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