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[发明专利]含铪膜形成材料、以及该形成材料和含铪薄膜的制造方法-CN200410087435.0无效
发明人：斋笃;曾山信幸;柳泽明男 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种气化稳定性优良、具有较高成膜速度的含铪膜形成材料以及该形成材料的制造方法。还提供一种具有良好的段差覆盖性的含铪薄膜的制造方法。本发明是一种含有有机铪化合物的含铪膜形成材料的改良，其中该有机铪化合物含有由铪原子与氮原子形成的键，或由铪原子与氧原子形成的键，具有其特征的构成在于形成材料中所含的锆元素的含量在650ppm或以下。
含铪膜形成材料以及薄膜制造方法

[发明专利]原子层沉积的电介质层-CN200480012128.4有效
发明人： K·Y·阿恩;L·福尔布斯 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种原子层沉积的电介质层和制备这种电介质层的方法制造了一种具有比利用SiO₂获得的等效氧化物厚度薄的可靠的电介质层。通过原子层沉积在衬底表面上沉积铪金属层和通过原子层沉积在该铪金属层上沉积氧化铪层，形成了基本上没有氧化硅的氧化铪电介质层。包含原子层沉积的氧化铪的电介质层是热力学稳定的，使得该氧化铪在处理期间具有与硅衬底或其它结构最小的反应。
原子沉积电介质

[发明专利]氧化铪栅极介质层的制造方法-CN201810768446.7在审
发明人：李大川 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铪栅极介质层的制造方法，氧化铪栅极介质层采用分成两个连续阶段的ALD工艺形成；第一阶段的ALD工艺的参数为：依次通入铪源和氧源进行形成氧化铪单原子层的反应，累积重复多次形成第一氧化铪层；第二阶段的ALD工艺的参数为：单原子层的反应气体中在第一阶段的铪源和氧源的基础上增加了氮源的通入，使得单原子层的反应物为氮氧化铪单原子层，累积重复多次形成第二氮氧化铪层；由第一氧化铪层和第二氮氧化铪层叠加形成氧化铪栅极介质层本发明能对氧化铪栅极介质层中的氮元素的含量和分布进行有效控制，从而能提高氧化铪栅极介质层的可靠性，且本发明工艺流程简单以及成本低。
氧化铪栅极介质层单原子层氮氧化铪氧化铪层氧源铪源氮氧化铪层反应气体连续阶段有效控制工艺流程氮元素反应物重复氮源制造

[发明专利]氧化铬及氧化铝合成介电层及其制造方法-CN200410062628.0无效
发明人：吉德信;卢载盛;孙贤哲 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铪及氧化铝合成介电层及其制造方法。所述介电层通过采用原子层沉积技术沉积形成。制造氧化铪及氧化铝合成介电层的方法包含下列步骤：通过重复进行原子层沉积技术的第一循环沉积氧化铪单原子层；通过重复进行原子层沉积技术的第二循环沉积氧化铝单原子层；及通过重复进行包含混合第一与第二循环的第三循环，沉积氧化铪单原子层与氧化铝单原子层的介电层。
氧化铬氧化铝合成介电层及其制造方法

[发明专利]一种铪二维原子晶体材料及其制备方法-CN201310047140.X有效
发明人：王业亮;李林飞;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铪二维原子晶体材料及其制备方法，铪二维原子晶体材料的制备方法包括：1）在真空环境下，将适量铪蒸发沉积到过渡金属铱基底上；2）对整个样品进行退火处理，以使铪原子发生相互作用，在基底表面形成二维长程有序的膜状结构，其中铪原子成六角蜂窝状周期性排布，形成一种新型的二维原子晶体材料。
一种二维原子晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种基于铁电铪铝氧和氧化铝栅叠层的高耐久FeFET及其制备方法-CN202310189167.6在审
发明人：唐克超;周粤佳;梁中新;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于铁电铪铝氧和氧化铝栅叠层的高耐久FeFET及其制备方法，属于微纳电子学领域。该FeFET器件包括一硅衬底，在硅衬底表面依次设有图形化的氧化铝中间层、铪铝氧铁电层、栅极金属电极和接触金属，硅衬底表面通过自对准离子掺杂形成源漏区域，源漏区域上方是源漏金属接触电极，所述铪铝氧铁电层是通过原子层淀积的方式生长，在原子层淀积循环过程中控制氧化铪和氧化铝的循环次数控制掺杂的原子比例，最后形成的铪铝氧铁电层中铪原子和铝原子的比例为24：1，所述铪铝氧铁电层的不同极化状态存储两种存储状态。
一种基于铁电铪铝氧氧化铝栅叠层耐久 fefet 及其制备方法

[发明专利]一种三碳酸铪酰钠制备二氧化铪的方法-CN202011314025.0在审
发明人：孔冬成;黄召;尹亮;龚道坤;周少明;肖维;钟华围;乔深;成冬林;呼强辉;王育学;祝和彪 -专利权人：中核二七二铀业有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C01G27/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种三碳酸铪酰钠制备二氧化铪的工艺，具体为以锆铪分离过程中铪萃取富集的反萃液三碳酸铪酰钠溶液为原料，通过加酸热煮解，得到硝酸铪酰溶液，再经加碱沉淀、洗涤、微波干燥、煅烧即可得到原子能级二氧化铪该工艺与常规工艺比较，制成的水合氧化铪沉淀颗粒粒径较大，沉淀浆料过滤性能较好，原子能级二氧化铪的回收率由原来的85％提高至95％以上，具有明显的经济效益。
一种碳酸铪酰钠制备氧化方法

[发明专利]一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法-CN202211614877.0在审
发明人：卢红亮;黄腾;李煜淳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法；本发明在硅/二氧化硅片上采用物理气相沉积技术生长底电极钨，然后在钨电极上采用等离子体增强原子层沉积技术生长镓掺杂氧化铪铁电薄膜，再利用物理气相沉积本发明的镓掺杂氧化铪基铁电薄膜，通过采用原子半径较小的镓原子取代部分铪原子，在氧化铪薄膜中产生较大的应力，诱导铁电相的产生，实现了低矫顽场、高可靠性。
一种掺杂氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法-CN201910920956.6在审
发明人：张希威;孟丹;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法。该方法主要包括方法如下步骤：1)将衬底放入原子层沉积系统反应腔；2)将原子层沉积系统反应腔抽取真空；3)向原子层沉积系统反应腔交替通入前驱体，使之在衬底表面发生自限性化学反应并生长大面积二硫化铪薄膜。本发明具有所涉及的一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法，能够实现所制备的二维二硫化铪薄膜具有原子级厚度精确可控、大面积、均匀等优点；且反应温度较低，能兼容柔性衬底，并且能与后序的光刻等半导体工艺结合实现所制备薄膜的图案化
硫化原子层沉积系统反应腔薄膜原子层沉积工艺薄膜制备衬底制备化学反应半导体工艺衬底表面前驱体图案化原子级自限性二维放入光刻可控抽取兼容生长

[发明专利]一种溶剂萃取法分离锆铪工艺-CN201511004574.7有效
发明人：李大炳;支梅峰;赵凤岐;舒祖骏;周志全;张永明 -专利权人：核工业北京化工冶金研究院
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本发明属于湿法冶金领域锆铪分离技术领域，具体涉及一种溶剂萃取法分离锆铪工艺；本发明以含铪氯化锆酰工业品为原料，经水溶、碱沉、洗涤、硝酸溶解等工序制备出硝酸锆(铪)酰溶液；然后以添加相改良剂正辛醇的TBP煤油溶液为萃取剂，利用TBP优先萃取锆的特点，经过多级逆流萃取，将大部分锆及极少量铪萃入到有机相；负载有机相用一定浓度的硝酸溶液洗涤，进一步除去有机相中大部分铪；将酸洗后的负载有机相用水反萃取，可得硝酸锆酰溶液；该溶液经氨水沉淀、干燥、煅烧即可得到二氧化锆粉末，其质量符合原子能级二氧化锆标准；萃取锆后萃余水相中仅剩极少量锆及大部分铪，其铪中锆的含量满足原子能级铪对杂质锆的要求，可直接富集制备原子能级铪。
原子能级负载有机相溶剂萃取法分离锆硝酸锆萃取制备洗涤多级逆流萃取二氧化锆粉末分离技术领域氨水沉淀二氧化锆煤油溶液湿法冶金硝酸溶解硝酸溶液有机相中质量符合反萃取改良剂氯化锆有机相正辛醇萃取剂富集碱沉酸洗余水煅烧锆铪

[发明专利]一种原子能级二氧化铪制备方法-CN201911258290.9在审
发明人：孔冬成;周密;黄召;龚道坤;尹亮;钟华围;胡强辉;王育学;祝和彪;肖维 -专利权人：中核二七二铀业有限责任公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本发明属于湿法锆铪冶金技术领域，具体涉及一种原子能级二氧化铪制备方法。本方法采用P204作为萃取剂对上述萃余液中的铪进行萃取富集，富集后铪溶液中铪的浓度可提高20～30倍，沉淀用烧碱消耗量显著降低，沉淀母液可返回配制反萃剂；铪萃取的萃余水可返回锆铪分离系统循环使用或者用于生产硝酸钠产品；生产出的二氧化铪颜色为白色，全部杂质含量符合原子能级二氧化铪质量标准。与萃余液直接沉淀比较，废水量减少60％以上，且可回收利用，烧碱消耗量降低85％以上，生产成本较低且二氧化铪产品质量稳定，具有明显的社会效益与经济效益。
一种原子能级氧化制备方法

[发明专利]一种无定形氧化铪薄膜及其原子层沉积制备方法和应用-CN202111481563.3在审
发明人：邓淞文;李延瑞;李刚;金玉奇 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明属于材料科学领域，特别设计一种无定形HfO2薄膜及其制备的原子层沉积工艺。该薄膜在100‑350℃的沉积温度范围内保持无定形状态，薄膜物相不随厚度增加改变，薄膜的沉积过程中不同的铪源交替沉积，改变铪原子的吸附晶面，从而抑制结晶过程。所制备氧化铪薄膜表面粗糙度低，薄膜结构均一性高，激光损伤阈值较结晶氧化铪薄膜提升3‑5倍。
一种无定形氧化薄膜及其原子沉积制备方法应用

[发明专利]一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法-CN201510779021.2有效
发明人：王业亮 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导体‑绝缘体‑金属异质薄膜材料为层状结构，包括金属铪基底层、五碲化铪膜结构层和三碲化铪膜结构层，该层状结构在二维平面内扩展。制备方法：在真空环境下，将适量高纯度碲蒸发沉积到过渡金属铪基底表面；进行退火处理，以使沉积的碲原子和所述基底上的金属铪原子相互作用形成五碲化铪二维有序晶态膜状结构；进一步退火处理，使形成的所述五碲化铪二维有序晶态膜状结构的表面再次发生结构变化形成三碲化铪，最终形成三碲化铪‑五碲化铪‑金属铪二维叠层结构，得到超导体‑绝缘体‑金属异质薄膜材料。
碲化超导体绝缘体二维金属异质金属铪薄膜材料层状结构退火处理异质结构结构层晶态膜制备铪膜薄膜缺陷叠层结构二维平面过渡金属结构变化晶态薄膜真空环境蒸发沉积制备工艺高纯度基底层碲原子基底铪基薄膜沉积污染

[发明专利]氮化铪沉积方法-CN200480008427.0无效
发明人： C·梅慈耐;S·赫尔;Y·K·金;M·N·罗克利恩;S·M·乔治 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种形成高k介电层的方法，该方法包括：利用原子层沉积将一种铪化合物沉积到衬底上，包括，将一种铪前体发送至衬底的表面，使铪前体发生反应，生成含铪层，将一种氮前体发送至含铪层，生成至少一个氮铪键，并将铪化合物沉积到表面上。
氮化沉积方法

[发明专利]改性钨酸铪及其制备方法-CN201110221371.9无效
发明人：赵新华;郭富丽 -专利权人：北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制备改性钨酸铪的前驱体，具有式(I)所示的原子比组成：HfW2-xVxO7-x/2(OH)2(H2O)2(I)；其中，0＜x≤0.5。本发明还提供了一种改性钨酸铪，具有式(II)所示的原子比组成：HfW2-xVxO8-x/2(II)；其中，0＜x≤0.5。本发明还提供了一种改性钨酸铪的制备方法。本发明在立方钨酸铪结构中引入V元素，得到的改性钨酸铪具有良好的负热膨胀性能，并降低了得到的改性钨酸铪的相变温度，从而减少了由于相变产生应力、发生脆性断裂等情况的发生。另外，由于立方钨酸铪卸压后不会自发进行逆向相变，因此作为陶瓷材料的热膨胀系数调节剂时不会降低陶瓷材料的强度。
改性钨酸铪及其制备方法

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