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[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构-CN200410032559.9无效
发明人：张洪波;韦欣;朱晓鹏;王国宏;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构，其中包括：一衬底；一铝镓砷层，该铝镓砷层制作在衬底上；一铝镓铟砷有源层，该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上；一铝铟砷层，该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上；一铟磷层，该铟磷层制作在铝铟砷层上，该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积；一铟镓砷层，该铟镓砷层制作在铟磷层上；该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域；一层介质膜，该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上；一层
带有锥形增益波导功率半导体激光器结构

[发明专利]铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法-CN201110026126.2有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。该方法包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。本发明提出在铟镓铝氮薄膜上面制备一种图形化的应力调节筋结构，该应力调节筋附着在铟镓铝氮薄膜的表面，具有足以影响铟镓铝氮薄膜的应力的厚度。
铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法

[发明专利]含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法-CN200510030874.2有效
发明人：王立;江风益;周毛兴;方文卿 -专利权人：南昌大学
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(In_xGa_yAl_1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
含有金锗镍欧姆电极铟镓铝氮半导体发光元件制造方法

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法-CN201110026143.6有效
发明人：熊传兵;赵汉民;江风益 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法，涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明方案包括：在生长衬底上外延铟镓铝氮薄膜；针对由于生长衬底与铟镓铝氮的热膨胀系数的差异而产生的应力，而进行至少两次将铟镓铝氮薄膜由当前衬底转移到另一个衬底上的衬底转移，该次衬底转移释放调节铟镓铝氮薄膜在生长过程中积存的应力
缓解铟镓铝氮薄膜应力半导体器件制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710520215.X有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层包括交替层叠的多个第一铝镓氮层和多个第二铝镓氮层，第二子层包括交替层叠的多个第三铝镓氮层和多个第一铟镓氮层，第三子层包括交替层叠的氮化镓层和第二铟镓氮层；第一铝镓氮层和第二铝镓氮层中铝的掺杂浓度大于第三铝镓氮层中铝的掺杂浓度，第一铟镓氮层、氮化镓层和第二铟镓氮层中均掺杂有镁，第一铟镓氮层中镁的掺杂浓度小于氮化镓层和第二铟镓氮层中镁的掺杂浓度
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088980.6无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。
砷化镓基增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]一种高导电和导热片状镓铟掺杂AZO的制备方法、片状镓铟掺杂AZO及复合材料-CN202210106739.5在审
发明人：邓超然;郝振炯 -专利权人：西安安聚德纳米科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明涉及导电导热高分子复合材料领域技术领域，具体涉及一种高导电和导热片状镓铟掺杂AZO的制备方法、片状镓铟掺杂AZO及复合材料，方法包括：(1)硝酸铝、硝酸镓、硝酸铟、乙二醇、草酸、PVA加热搅拌得到铝溶胶；(2)铝镓铟复合溶胶与氧化石墨烯、醋酸锌搅拌反应并干燥得到铝镓铟复合溶胶醋酸锌包覆的氧化石墨烯粉末；(3)上述粉末在烧结炉中焙烧得到片状镓铟掺杂AZO粉末；(4)使用配置的硅烷偶联剂溶液对镓铟掺杂AZO
一种导电导热片状掺杂 azo 制备方法复合材料

[发明专利]硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片-CN202210884713.3在审
发明人：张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力
氮化外延生长方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料-CN200510011893.0无效
发明人：李海鸥;尹军舰;和致经;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟镓磷层、砷化镓层；其中，第九层砷化镓外延层作为帽层，第八层铟镓磷外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铝镓砷外延层作为增强型的势垒层，第四层铟镓砷作为沟道层。
砷化镓基增强耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料

[发明专利]一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法-CN201910305472.0有效
发明人：林时胜;孙利杰;沈闰江;周大勇;陆阳华 -专利权人：浙江大学;上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层、量子点层，此外还设置有正面电极；所述的多结半导体衬底层包括多结电池，并在多结电池顶部设置有隧穿层，镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上，量子点层设置于二硫化钼上。本发明的多结异质太阳能电池利用二硫化钼和半导体镓铟氮或铝镓砷形成异质结可以在无需外加电源的情况下完成光电转化，同时镓铟氮、铝镓砷等半导体禁带宽度大，可以吸收更短的太阳光波长，进一步提升多结太阳能电池效率本发明的二硫化钼/镓铟氮(铝镓砷)多结异质太阳能电池的转化效率高，工艺较简单，有广阔的应用前景。
一种二硫化钼镓铟氮铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法

[发明专利]在硅衬底上制备铟镓铝氮材料的方法-CN200510027808.X有效
发明人：王立;方文卿;江风益 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。所述铟镓铝氮叠层中包含至少一个氮化铝低温缓冲层，且该氮化铝低温缓冲层直接生长于钛过渡层上。本发明通过使用金属钛作为过渡层，可以防止硅衬底氮化形成不利于铟镓铝氮材料生长的氮化硅和金属镓的回熔，生长出高质量的铟镓铝氮材料。
衬底制备铟镓铝氮材料方法

[发明专利]在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法-CN200610072230.4有效
发明人：江风益;方文卿;王立;莫春兰;刘和初;周毛兴 -专利权人：南昌大学
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。
衬底制备铟镓铝氮薄膜发光器件方法

[发明专利]提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210448660.0在审
发明人：洪威威;陆香花;肖云飞;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：p型GaN层上的p型复合接触层包括依次层叠的第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层，厚度较大且存在几次势垒变化的p型复合接触层避免电流出现击穿的情况。而第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层中Mg的掺杂浓度依次上升，起到的降低电阻、降低工作电压并降低电流击穿概率的可能，提高发光二极管的可靠性。
提高可靠性发光二极管外延及其制备方法

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