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[发明专利]一种铌酸锂超构表面的制备方法-CN202111032740.X在审
发明人：任梦昕;靳春艳;兀伟;曹雷;蔡卫;张心正;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。
一种铌酸锂超构表面制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导-CN202011106942.X有效
发明人：尹志军;崔国新;叶志霖;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂薄膜波导的湿法刻蚀方法及铌酸锂薄膜波导。所述方法包括：在铌酸锂薄膜样品中的铌酸锂层表面正畴区域上制备具有预设刻蚀形状的金属掩膜后，将具备金属掩膜的待极化铌酸锂薄膜样品接入极化电路，对金属掩膜覆盖区域的铌酸锂进行畴翻转，使得金属掩膜覆盖区域由正畴翻转为负畴，利用预设夹具固定住畴翻转后的铌酸锂薄膜样品，并去除表面的金属掩膜后，利用刻蚀溶液对畴翻转后样品的表面区域进行预设时长的刻蚀，得到铌酸锂薄膜波导。整个过程利用正负畴的腐蚀速度差异制备铌酸锂薄膜波导，可以较好地控制刻蚀侧壁的宽度和质量，制备的波导刻蚀侧壁较为光滑，波导损耗较低。
一种铌酸锂薄膜波导湿法刻蚀方法

[发明专利]一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法-CN202011615714.5在审
发明人：傅力;潘昊;李林松;丁丽;黄晓东 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及光纤通信和传感技术领域，特别是涉及一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法，铌酸锂调制器芯片的制作方法包括：在铌酸锂基片上表面制作一层掩膜；在所述掩膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩膜窗口，并在所述光波导掩膜窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；在所述光波导两侧分别制作金属电极，并对所述铌酸锂基片的光输入面、光输出面以及±Z面进行切割，形成铌酸锂调制器芯片；在铌酸锂调制器芯片的±Z面分别制作导电薄膜，并在铌酸锂调制器芯片的下表面制作导电涂覆层本方案可有效降低变温过程中铌酸锂晶体热释电效应对铌酸锂调制器性能的影响，提高铌酸锂调制器的全温性能。
一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法

[发明专利]具有图形化结构的铌酸锂衬底及其制造方法-CN201210230777.8有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在一表面平坦的铌酸锂衬底表面制作一掩膜图形；步骤2：以掩膜图形为掩膜，采用氟基等离子体对掩膜图形及铌酸锂衬底进行同步刻蚀；步骤3：采用氧等离子体对铌酸锂衬底进行刻蚀以清除形成在铌酸锂衬底上的氟化锂颗粒；步骤4：多次重复步骤2至步骤3，直至掩膜图形全部消失；步骤5：继续采用氟基等离子体刻蚀铌酸锂衬底，在铌酸锂衬底表面形成氟化锂颗粒以形成具有图形化结构的铌酸锂衬底本发明还提供一种具有图形化结构的铌酸锂衬底，可降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本，能更有效地提高LED的发光亮度。
具有图形结构铌酸锂衬底及其制造方法

[发明专利]一种耐高温的铌酸锂电光调制器及其制备方法-CN202110536666.9在审
发明人：华平壤;张培 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种耐高温的铌酸锂电光调制器及其制备方法，耐高温的铌酸锂电光调制器包括：铌酸锂波导芯片；与铌酸锂波导芯片耦合的光纤；以及固定微槽，用于固定光纤，以实现光纤与铌酸锂波导芯片的耦合；铌酸锂波导芯片与固定微槽非工作区域均设置有一层金属膜铌酸锂波导芯片与固定微槽非工作区域均设置有一层金属膜，这样外部引入的温场可快速在铌酸锂波导芯片与固定微槽表面展开，减小温度差导致的热应力。
一种耐高温铌酸锂电光调制器及其制备方法

[发明专利]一种制备铌酸锂表面图形的方法-CN201110245639.2无效
发明人：郑婉华;齐爱谊;王海玲;渠红伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤，直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明，解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题，达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用，可以用于铌酸锂的刻蚀，获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。
一种制备铌酸锂表面图形方法

[发明专利]弹性波装置及其制造方法-CN201380015669.1有效
发明人：神藤始 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种弹性波装置(1)，其具有铌酸锂膜(5)，并利用SH型表面波，具备：支撑基板(2)；高声速膜(3)，其形成在所述支撑基板(2)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的弹性波声速更高速；低声速膜(4)，其层叠在所述高声速膜(3)上，传播的体波声速比在所述铌酸锂膜(5)中传播的体波声速更低速；所述铌酸锂膜(5)，其层叠在所述低声速膜(4)上；和IDT电极(6)，其形成在所述铌酸锂膜(5)的一面，在将铌酸锂膜(5)的欧拉角设为(0°±5°，θ，0°)时，θ处于0°～8°以及57°～180°的范围内。
弹性装置及其制造方法

[发明专利]铌酸锂器件的制备方法及其结构-CN202111045217.0在审
发明人：贾连希;曾宪峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以硬掩膜层作为掩膜，其他区域被光刻胶层保护，这样可以对每个单元区域的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件，进行工艺优化，避免了现有的两步掩膜刻蚀技术导致晶圆边缘处刻蚀平整度较低，晶圆边缘的粗糙、铌酸锂薄板厚度变化大的问题；另外，因为铌酸锂晶圆的价格昂贵，采用本实施例的制备方法可以有效降低铌酸锂刻蚀工艺的开发成本。
铌酸锂器件制备方法及其结构

[发明专利]一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法-CN202311203319.X在审
发明人：杨志远;李鑫;陶艺;马世超;郑名扬;刘洋;谢秀平 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件
一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法

[发明专利]一种基于套刻的铌酸锂薄膜波导微环制备方法-CN202111250064.3有效
发明人：尹志军;叶志霖;崔国新;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明提供一种基于套刻技术的铌酸锂薄膜波导微环的制备方法。其基本方案为：采用紫外光刻、金属镀膜工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备环波导掩膜；采用紫外光刻套刻、金属镀膜和lift‑off工艺，在铌酸锂薄膜基片上制备直波导掩膜；采用刻蚀法刻蚀铌酸锂薄膜基片，将金属掩膜图形转移到铌酸锂薄膜层；清洗去除掩膜，得到铌酸锂薄膜波导微环器件样品。
一种基于铌酸锂薄膜波导制备方法

[发明专利]可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法-CN201410377147.2有效
发明人：李俊慧;杨成惠;郑远生;杨德伟;郝琰 -专利权人：北京世维通科技发展有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开一种可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法，所述双折射率差值的范围在1.5×10‑5～4.8×10‑3，所述制备方法包括在清洗干净的Y切铌酸锂晶片上蒸发一层钛膜，所述钛膜的厚度为65nm～105nm；对所述钛膜进行腐蚀，在所述Y切铌酸锂晶片表面形成沿所述Y切铌酸锂晶片Z方向延伸的钛条，得到包括所述Y切铌酸锂晶片以及所述钛条的芯片，所述钛条的宽度为6μm～8.5μm；将清洗干净的所述芯片置于通入湿氧且设定扩散温度的环境下，静止扩散时间后取出所述芯片即为所述Y切Z传铌酸锂波导，所述扩散时间为6小时～12小时。本发明通过选择钛膜的厚度、钛条的宽度或者扩散时间，从而能够很好地调节Y切Z传铌酸锂波导的双折射率差。
调节双折射 1310 nm 波长传铌酸锂波导制备方法

[发明专利]一种干法刻蚀铌酸锂的方法-CN202110697917.1在审
发明人：冯英雄;戴海成;刘建;车东晨;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。干法刻蚀铌酸锂的方法的刻蚀步骤包括，将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2，H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；达到刻蚀时间后，刻蚀完成。本发明采用干法刻蚀铌酸锂的方法，其气体采用Cl2/H2进行铌酸锂刻蚀，不同于传统的氟基刻蚀铌酸锂体系。本发明可以使用介质材料或光刻胶做掩膜，应用于产线后，可优化生产流程，极大提升产能，节约成本。干法刻蚀铌酸锂可以使用传统的光刻胶掩膜或SiO，SiN，Si等介质材料作为硬掩膜，并获得较好的选择比和良好的形貌。
一种刻蚀铌酸锂方法

[发明专利]一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法-CN201811430869.4在审
发明人：华勇;舒平;雷成龙;曾健 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及集成光学领域，特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法，所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极，所述光波导位于键合层表面，且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜；铌酸锂厚膜的厚度为8～20微米；本发明厚膜型铌酸锂的10微米左右的脊高使得调制效率可以提升60％以上且本发明的衬底因为减薄技术仅有8～20微米，可以避免该谐振效应进一步实现高速宽带；而相比薄膜型波导的铌酸锂调制器，本发明又具有扩散型光波导低传输损耗和低耦合损耗的优点
铌酸锂厚膜键合层高速电光调制器光波导波导衬底制备铌酸锂调制器低传输损耗调制电极调制效率高速宽带集成光学减薄技术扩散型光谐振效应薄膜型低耦合调制器脊高支撑

[发明专利]一种薄膜铌酸锂表面制备微纳器件的方法-CN202210928731.7在审
发明人：王智勇;李颖;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂表面制备微纳器件的方法，包括：在清洗、烘干后的薄膜铌酸锂衬底的上、下表面分别形成铬膜，作为上表面的掩膜和下表面的保护层；将光刻板图形转移到上表面掩膜上，而后将衬底放入质子交换炉中进行质子交换；将质子交换后的衬底冷却后，使用保护材料对衬底四周进行密封；将密封后的薄膜铌酸锂衬底放入氢氟酸和硝酸的混合溶液中进行湿法刻蚀；去除上表面的掩膜、下表面的保护层以及四周的密封，将衬底划片解理后使用化学机械抛光工艺进行端面处理本发明采用质子交换工艺结合湿法工艺对薄膜铌酸锂材料刻蚀以制备微纳器件，可大大加快铌酸锂的刻蚀速率，得到性能优异、表面粗糙度低的薄膜铌酸锂基微纳器件。
一种薄膜铌酸锂表面制备器件方法

[发明专利]可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088213.9有效
发明人：华勇;田自君;张征;乔海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上光波导区以外的区域，覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。
实现偏振及其制作方法测试装置

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