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[发明专利]一种医用多孔钛钽复合材料-CN201811361196.1在审
发明人：杨坤;汤慧萍;王建;杨广宇;刘楠;贾亮;支浩 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： A61L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种医用多孔钛钽复合材料，由多孔钛或钛合金基体层、完全包覆在多孔钛或钛合金基体层外部的钽涂层以及连接多孔钛或钛合金基体层与钽涂层的钛钽过渡层组成，医用多孔钛钽复合材料具有三维连通的多孔结构，多孔结构的等效孔径为200μm～1000μm，孔隙率为60％～90％，医用多孔钛钽复合材料的弹性模量为5GPa～30GPa，压缩强度为50MPa～200MPa，且其压缩应力‑应变曲线的屈服阶段表现为光滑的屈服平台本发明材料中的钛钽过渡层使得钽涂层与多孔钛合金基体层之间形成了作用力较强的冶金结合；同时钽涂层完全包覆在多孔钛合金基体层外部抑制了多孔钛合金基体层中毒性元素的释放，提高了人体安全性。
多孔钛复合材料钽涂层多孔钛合金钛合金基体基体层多孔结构完全包覆过渡层钛钽弹性模量人体安全性等效孔径毒性元素发明材料屈服阶段三维连通压缩应力冶金结合应变曲线孔隙率外部光滑屈服压缩释放表现

[发明专利]一种具有生物活性涂层的多孔钽植入物及其制备方法-CN202111388782.7在审
发明人：陈光英;王国华;宋坤;刘江 -专利权人：湖南普林特医疗器械有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： A61L27/34 文献下载
摘要：本发明提供一种具有生物活性涂层的多孔钽植入物的制备方法，涉及医用材料技术领域。本发明将骨长入活性物质与多醛基氧化海藻酸钠交联反应，进一步与氨基修饰的多孔钽植入物反应得到具有生物活性涂层的多孔钽植入物，从而使得多孔钽植入物生物学性能得到提高，进而提高骨整合能力。在多孔钽植入物表面获得的活性涂层，交联了能够促进骨组织生长的因子，可以促进成骨细胞对钽表面的粘附，进一步促进种植入物的骨整合长入效果。
一种具有生物活性涂层多孔植入及其制备方法

[发明专利]一种钽氧氮/泡沫镍光催化接触氧化膜的制备方法和应用-CN201910952244.2有效
发明人：王少莽;关媛 -专利权人：江苏泷膜环境科技有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于光催化环境污染物治理领域，公开了一种钽氧氮/泡沫镍光催化接触氧化膜的制备方法和应用。以五氧化二钽为原料，置于管式炉中，在NH3气氛中氮化，冷却获得钽氧氮。将钽氧氮粉体分散在丙酮中，加入碘单质，超声形成带电悬浮TaON粒子。用两片洗净后的泡沫镍分别作为电极正极和负极，在直流电压的作用下电沉积，干燥取出获得钽氧氮/泡沫镍光催化接触氧化膜。将其光催化处理品红溶液结果显示，担载量为60mg钽氧氮/泡沫镍接触氧化膜光催化活性最高。在72W白色LED光源照射5h后，能够将50mL、10mg/L品红溶液中约80％的品红降解。循环三次使用该光催化接触氧化膜降解品红，其活性并没有明显地下降。
一种钽氧氮泡沫光催化接触氧化制备方法应用

[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法

[发明专利]抗蚀等离子体处理室部件-CN202180051462.4在审
发明人：哈米特.辛格;罗宾·科什伊;艾德里安·拉多西亚;许临;贾斯廷·查尔斯·卡尼夫;西蒙·戈瑟兰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：面向半导体处理的表面包含：1)掺有掺杂剂的硅的层，其中所述掺杂剂为下列至少一者：碳、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或2)掺有掺杂剂的碳的膜层，其中所述掺杂剂为下列至少一者：硅、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或3)主要由硼所构成的层；或4)主要由钽所构成的层。
等离子体处理部件

[发明专利]一种提高岩盐结构氮化铪膜性能的方法-CN201610883676.9有效
发明人：胡超权;郑伟涛;顾志清 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高岩盐结构氮化铪膜性能的方法，引入适量钽的岩盐结构氮化铪膜的化学式为Hf1‑yTayN，按各成分的原子数百分含量计，氮含量为50％，铪与钽的总含量为50％，钽占铪钽原子总数的比例y为3％‑11％，采用双靶共溅射法，以高纯铪和高纯钽为靶源，氩和氮的混合气体作为放电气体，在单晶硅和玻璃基底上沉积含钽的氮化铪膜，氮气流速为2.0sccm，氩气流速80.0sccm，基底温度为200℃，衬底偏压为该方法工艺简单，通过引入适量钽能够有效减小岩盐结构氮化铪膜反射阈值波长且同时增加其反射率、电导率、硬度和耐磨性能，所得氮化铪膜可以应用于许多重要的光学涂层领域。
一种提高岩盐结构氮化性能方法

[发明专利]制造抗反射涂层基片的方法-CN03127460.9无效
发明人：浅川勉;松本研二;原田高志;中山恭司 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明涉及制造抗反射涂层基片，其包括透明基片(1)和在透明基片上形成的抗反射膜，抗反射膜由多层膜制成，所述多层膜具有按下列顺序相继形成在透明基片上的下列各层：中等折射指数层(2)、高折射指数层(3)和低折射指数层中等折射指数层由含有硅、锡和氧的材料制成，高折射指数层由含有氧和至少一种选自钛、铌、钽和铪的元素的材料制成。低折射指数层由含有硅和氧的材料制成。抗反射膜用一种在线溅射仪器，通过相继层积这些层而形成。
制造反射涂层方法

[发明专利]电致变色元件-CN03121489.4无效
发明人：深澤彰彦;南千洋 -专利权人：株式会社村上开明堂
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：该电致变色元件的结构如下：在透明玻璃基板10上形成构成下部电极膜的下部ITO透明电极膜12。在下部ITO透明电极膜12上依次层合构成氧化发色层的镍氧化物膜32、构成固体电解质的氧化钽膜16、构成还原发色层的氧化钨·氧化钛混合膜34、构成上部电极膜的上部ITO透明电极膜20。
变色元件

[发明专利]用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法-CN200910001875.2无效
发明人：野上毅;托马斯·M·肖;安德鲁·H·西蒙;琼·E·温;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该方法在多层集成电路结构的低K绝缘层中图案化至少一个开口，从而铜导体在该开口的底部暴露。然后该方法在第一腔中用第一氮化钽层装衬该开口的侧壁和底部并在第一腔中在第一氮化钽层上形成钽层。仍在第一腔中，第二氮化钽层形成在导体、钽层和第一氮化钽层上。在第二氮化钽层形成之后，这里该方法在不同的第二腔中在第二氮化钽层上形成包括铂族金属的闪光层。在此工艺之后，该结构可以移到第三腔，在第三腔中铜沉积在开口中的闪光层上直到该开口用铜涂覆。
用于互连金属化中的改善阻挡结构及其形成方法

[发明专利]一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法-CN201910166030.2有效
发明人：张楷亮;李闯;王芳;魏俊青;沈稼强;邸希超 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法，由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成，上下氧化钽层成分均为TaOx，其中2x2.5,氧化钽介质层厚度为10‑50nm，且上下氧化钽层厚度相同；黒砷磷介质层成分为b‑AsP，厚度为0.85‑10nm。本发明优点：1)该结构将新型二维材料黒砷磷引入阻变层，丰富了阻变存储中的介质层材料体系，拓展了二维黒砷磷的应用领域；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，工艺简单、成本低廉并且易于集成。
一种基于氧化二维黒砷磷三层异质阻变存储器及其制备方法

[实用新型]一种烧结型液体电解质金属壳钽电容-CN201520842134.8有效
发明人：何定 -专利权人：深圳旺科知识产权运营中心有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01G9/145 文献下载
摘要：银外壳内侧底部设置有所述液体电解质，所述液体电解质上方设置有所述电容器芯子，所述电容器芯子上方设置有氟橡胶密封塞，所述负极铜丝穿过所述银外壳浸在所述液体电解质中，焊点将所述负极铜丝固定在所述银外壳上，所述电容器芯子包括五氧化二钽膜、钽粉烧结块、钽盖、钽丝和所述正极镍丝，所述钽粉烧结块外部包覆有所述五氧化二钽膜，所述钽盖封装，所述钽丝插在所述钽粉烧结块中，所述钽丝连接着所述正极镍丝。
一种烧结液体电解质金属钽电容

[发明专利]一种从富钴废料中综合回收有价金属的工艺-CN202211369601.0在审
发明人：段帅康;喻文昊;王振银;李贺;李相良;徐盛明 -专利权人：北方矿业有限责任公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从富钴废料中综合回收有价金属的工艺，通过碳酸钠焙烧预处理使废料中的硅酸钴转化为硅酸钴钠，铁酸钴转化为氧化亚钴和氧化铁，钨和钽、铌的复合氧化物等生成钨酸钠、铬酸钠等可溶性钠盐，并在之后的水浸过程实现与氧化亚钴等碱性氧化物的分离通过硫酸还原浸出将水浸渣中的钴、铁、铜浸出到溶液中，酸浸渣中为钽、铌等金属。水浸液中的钨和铬通过浓盐酸中和沉钨—还原沉铬的方法分离。该工艺具有元素浸出率高且钴与钨、铬等元素的分离效率高的优点，且流程简单，反应条件温和，所用原料价格低廉，可以实现钴、钨、钽等元素的综合回收。
一种废料综合回收金属工艺

[发明专利]一种改善了耐电压性能的高压钽粉末的制备方法-CN201410164617.7有效
发明人：杨国启;郑爱国;李仲香;杨生芳 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司;国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善了耐电压性能的高压钽粉末的制备方法及由该方法制备的钽粉。该方法包括以下步骤：对钽粉原粉进行两次热处理后进行降氧，然后进行第三次热处理。由本发明的制备方法制备的钽粉，氧化膜质量得到提高，漏电流性能得到改善，团化性能好，流动性改善，氧化膜质量的改善大大提高了钽粉的耐电压特性，使其可以使用在更高的工作电压下。
制备钽粉耐电压性能次热处理氧化膜钽粉末漏电流性能耐电压特性工作电压团化原粉

[发明专利]钽电容器-CN202211065362.X在审
发明人：李龙贤;洪珍浩;吴贤燮;金铅洙;赵在范;崔熙圣 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01G9/028 文献下载
摘要：所述钽电容器包括钽主体，所述钽主体包括：烧结钽主体，包括钽粉末；导电聚合物层，设置在所述烧结钽主体上并且包括第一填料；碳层，设置在所述导电聚合物层上；以及钽线，在第一方向上贯穿所述烧结钽主体和所述导电聚合物层中的每者的至少一部分在所述钽电容器的与所述第一方向垂直的截面之中的与所述烧结钽主体部分地叠置的第一截面中，所述第一填料的面积与所述导电聚合物层的面积的比值大于0.38。
钽电容

[发明专利]一种无湿敏等级的片式高分子钽固定电容器及其制备方法-CN202310187366.3在审
发明人：陈玉坤;蔡世扬;许坤峰;孙涛;林俊鸿;王殊源;陈小吟;蔡澍炜;蔡劲军 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：一种无湿敏等级的片式高分子钽固定电容器及其制备方法，片式高分子钽固定电容器包括钽芯、柔性绝缘缓冲层、塑封外壳、正极引线与负极引线；钽芯，包括从内到外依次设置的钽块、介质氧化层、阴极层、过渡层和银层，所述银层由纳米银浆包覆过渡层烧结而成；柔性绝缘缓冲层，包覆在银层外侧；塑封外壳，包覆在柔性绝缘缓冲层外侧；正极引线，一端与钽块连接另一端向外延伸至塑封外壳外侧；负极引线，一端与银层连接另一端向外延伸至塑封外壳外侧；本申请通过在钽芯外侧包覆绝缘缓冲层配合烧结成型在过渡层上的银层，以使制备的片式高分子钽固定电容器湿敏等级可以从3级降到1级，即无湿敏等级，大大提高了客户使用的可靠性、便利性和经济性。
一种无湿敏等级高分子固定电容器及其制备方法