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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]3D NAND字线中用于增强的氟保护和应力减少的坚固的成核层-CN201680054941.0有效
发明人： R.沙朗帕尼;K.舒克拉;R.S.马卡拉;S.佩里;李耀升 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：可以采用含硅成核层来提供自对齐模板，以用于在三维存储器器件的形成期间在背侧凹陷内选择性地沉积钨。含硅成核层可以保持为硅层、转换成硅化钨层、或用钨成核层来代替。在随后的钨沉积工艺中可以仅在含硅成核层或由其衍生出的层的表面上进行钨沉积。
nand 字线中用于增强保护应力减少坚固成核

[发明专利]降低钨粗糙度的方法-CN202211402202.X在审
发明人：冯秦旭;林建树;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低钨粗糙度的方法，所述方法包括：提供一基底，所述基底内形成有接触孔；在第一温度下，采用沉积工艺于所述基底的表面形成第一钨成核层，其中，所述第一钨成核层覆盖所述接触孔的底部及侧壁；在第二温度下，采用沉积工艺于所述第一钨成核层的表面形成第一钨层；在第三温度下，采用沉积工艺于所述第一钨层的表面形成第二钨成核层，并于所述第二钨成核层的表面形成第二钨层；其中，所述第三温度小于所述第二温度，并与所述第一温度相等通过本发明解决了现有的制备工艺形成的钨薄膜粗糙度大的问题。
降低粗糙方法

[发明专利]形成具有低电阻的钨多金属栅极的方法-CN200710096752.2无效
发明人：金秀贤;郭鲁正;金栢满;李荣镇;黄善佑;林宽容 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成钨多金属栅极的方法，包括步骤：依次在半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层；在该多晶硅层上沉积阻挡层；通过原子层沉积工艺在该阻挡层上沉积钨成核层；通过化学气相沉积工艺在该钨成核层上沉积钨层；在该钨层上沉积硬掩模层；以及蚀刻该硬掩模层、钨层、钨成核层、阻挡层、多晶硅层和栅极绝缘层。
形成具有电阻金属栅极方法

[发明专利]一种钨膜形成方法-CN202011173341.0在审
发明人：朴相荣;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨膜形成方法，该方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室中；向工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在半导体衬底上形成成核层，其中，成核层沉积步骤包括：向工艺腔室依次通入含硼气体以及含钨气体；气体脉冲处理步骤包括：向工艺腔室通入含硼气体；形成成核层之后，向工艺腔室通入含钨气体以及氢气，在成核层上方形成钨膜。上述方案中，能够抑制钨膜形成过程中硼污染物层的生长，有效改善了成核层表面形态，减小了最终形成的钨膜电阻。
一种形成方法

[发明专利]具有钨接触物的半导体装置的制造方法-CN200510098281.X无效
发明人：林思宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-09-05 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。本发明具有钨接触物的半导体装置的制造方法，改善了成核层与主体沉积层间的接触情形，钨主体层较佳地吸附于钨成核层的结晶表面并可促进较小的晶粒成长而形成无孔洞的结构，且增加沟填能力，使元件具有较佳的速度与表现
具有接触半导体装置制造方法

[发明专利]一种接触孔结构的制作方法-CN201910210565.5有效
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔结构的制作方法，所述方法包括依次在接触孔内形成硅层、钨成核层和钨主体层，以对所述接触孔进行填充，其中，所述钨成核层通过多个循环反应形成，更有利于控制最终形成的所述钨成核层的形貌，不会出现在接触孔顶部的位置形成的钨成核层较厚而导致接触孔的开口过小不利于后续填充的情况，因此，通过本发明提供的接触孔结构的制作方法，解决了通过现有的金属钨的填充工艺所形成的钨塞中间的空隙较大的问题。
一种接触结构制作方法

[发明专利]钨填充凹槽结构的方法-CN201711178368.7在审
发明人：鲍宇;陈广 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成氮化钛层；步骤三、采用WF6作为钨源形成钨成核层；步骤四、进行氟去除处理；步骤五、进行采用WF6作为钨源的CVD工艺淀积钨主体层；步骤六、进行钨的化学机械性研磨工艺，形成仅由填充于凹槽结构中的氮化钛层、钨成核层和钨主体层组成的钨金属结构。本发明能降低钨成核层中的氟残留，减少氮化钛层的厚度，从而能降低整个钨金属结构的电阻并提升器件的性能。
凹槽结构氮化钛层钨成核层钨金属钨填充主体层钨源工艺淀积化学机械提升器件研磨氟残留氟去除电阻填充

[发明专利]金属钨膜及其制备方法-CN202310009875.7有效
发明人：卢金德;庄琼阳;贾晓峰;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属钨膜及其制备方法，其制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上沉积钨成核层；于钨成核层上沉积钨体沉积层；钨成核层与钨体沉积层的总厚度小于预设厚度，重复进行沉积钨成核层及钨体沉积层至少一次形成多层结构，直至得到预设厚度的金属钨膜。本发明通过一种简单的多层膜层结构设计和WCVD制备方法结合的方式，在不需要改变现有工艺参数的基础上，解决制备大厚度的金属钨膜因应力、衬底弯曲形变较大，出现膜层破裂、剥离翘曲或剥落等问题；本发明以多层结构的方式，将金属钨膜分层沉积，通过细化晶粒、增加晶界面积，使得金属钨膜沉积过程中产生的应力、应变在钨膜中均匀化，实现低应力、低弯曲形变金属钨膜的制备。
金属及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410425730.6在审
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底内形成通孔；采用物理气相沉积工艺，在所述通孔底部和侧壁表面形成钨成核层；采用化学气相沉积工艺，在所述钨成核层表面形成钨体层，且所述钨体层填充满所述通孔本发明采用物理气相沉积工艺形成致密性高且厚度均匀的钨成核层，从而使得形成的钨体层也具有较高的致密度，并且钨体层填充通孔的效果更好，减小甚至消除钨体层内的孔洞，进而提高半导体结构的可靠性及电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]导电插塞结构及其形成方法-CN201510736229.6在审
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞结构及其形成方法，其中方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成接触孔；形成填充满所述接触孔的钨导电层，所述钨导电层包括至少两层层叠的钨导电单元层，所述钨导电单元层为钨成核层和位于钨成核层表面的钨体层所述导电插塞的形成方法提高了钨导电层填充接触孔的能力。
导电结构及其形成方法

[发明专利]钨填充凹槽结构的方法-CN201810768748.4在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成钨成核层；步骤三、在凹槽结构的侧面的钨成核层的侧面形成金属侧墙；步骤四、采用化学气相淀积工艺生长钨主体层并将凹槽结构完全填充，钨在金属侧墙的侧面不成核，凹槽结构中钨主体层从底部表面开始从底到顶生长并将凹槽结构无缝填充；步骤五、进行钨的化学机械性研磨工艺形成仅填充于凹槽结构中的钨金属结构。本发明能实现钨无缝隙填充凹槽，且工艺简单、成本低。
凹槽结构填充金属侧墙钨成核层钨填充主体层侧面化学气相淀积工艺底部表面化学机械无缝填充生长研磨钨金属无缝隙

[发明专利]实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺-CN201910418672.7在审
发明人：拉什纳·胡马雍;苏达哈·曼安达哈;迈克尔·丹克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺，具体公开了一种在半导体加工中用于在半导体基底的特征中沉积低电阻率钨的方法。所述方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原剂以实现薄的且低电阻率的成核层。
低电阻率特征填充成核沉积半导体基底半导体加工钨成核层成核层还原剂

[发明专利]实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺-CN201410856793.7有效
发明人：拉什纳·胡马雍;苏达哈·曼安达哈;迈克尔·丹克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺，具体公开了一种在半导体加工中用于在半导体基底的特征中沉积低电阻率钨的方法。所述方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原剂以实现薄的且低电阻率的成核层。
实现电阻率特征填充成核工艺

[发明专利]基板处理方法及利用该基板处理方法制造的半导体器件-CN202110177720.5在审
发明人：尹元俊;鲜于埙;崔锡奎;韩泰晟;金东佑;朴振右 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/11534 文献下载
摘要：本发明的一观点的基板处理方法包括如下的步骤：将具有凹槽的基板装载到腔室内；在所述凹槽的内壁上形成含钨(W)的成核层；在所述成核层上形成部分性填充所述凹槽内部的第一钨块体层；在所述第一钨块体层上形成晶体转换层；及在所述晶体转换层上形成晶粒尺寸相对小于所述第一钨块体层的第二钨块体层，以将所述凹槽内部全部填充。
处理方法利用制造半导体器件

[发明专利]通过控制表面组成来调控钨生长-CN201810259666.7有效
发明人：吴凯;朴基振;柳尚澔;李相协;大东和也;约书亚·柯林斯;王成贤 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
通过控制表面组成调控生长

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