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[发明专利]静电保护电路-CN201911256096.7有效
发明人：苏庆 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电保护电路，包括：寄生可控硅和触发电路；第一PLDMOS包括体区，漂移区，栅极结构、第一源端P+扩散区、第一源端N+扩散区、第一漏端P+扩散区。第一PLDMOS中通过插入第一漏端N+扩散区形成寄生可控硅；栅极结构、第一源端N+扩散区和第一源端P+扩散区连接在一起形成阳极，阳极连接静电端；第一漏端N+扩散区接地形成阴极；第一漏端P+扩散区作为触发电极，第一漏端P+扩散区和第一漏端N+扩散区之间连接有第一电阻；触发电路连接在阳极和触发电极之间；当无静电时，触发电路关闭；当有静电时，触发电路导通并触发寄生可控硅导通。本发明能调节电路的可控硅的触发电压，从而能有效保护住被保护的内部高压器件。
静电保护电路

[发明专利]用于电力监测的直流供电开关装置-CN202011364221.9有效
发明人：姚远;易鹏飞;梁科;李宁;黄银阳;李伟;陈涛;古智奇;李晓斌 -专利权人：国家电网有限公司;国网重庆市电力公司长寿供电分公司
申请日： 2020-11-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：本发明提供的一种用于电力监测的直流供电开关装置，包括NMOS管M1、电阻R1、电阻R2、可控硅Q1、电阻R3、电阻R7、可控硅触发电路和关断控制电路；所述NMOS管M1的漏极与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端作为供电开关装置的输入端，NMOS管M1的源极为供电开关装置的输出端；NMOS管M1的漏极通过电阻R2与可控硅Q1的正极连接，可控硅K1的负极通过电阻R3和电阻R7串联后连接于NMOS管M1的栅极
用于电力监测直流供电开关装置

[发明专利]低烟密度低热释放无卤阻燃PC材料及其制备方法和应用-CN202011103264.1有效
发明人：田满红;杨克斌;赵银巧;黄金;刘光耀;万绍群 -专利权人：四川中物材料股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明的低烟密度低热释放无卤阻燃PC材料由包括以下含量的原料制成：聚碳酸酯10‑80wt％、聚碳酸酯硅氧烷共聚物10‑60wt％，有机硅/苯氧基聚磷腈共聚物4‑20wt％、矿物粉5‑30wt％、加工助剂0.1‑5wt％；有机硅/苯氧基聚磷腈共聚物的结构式如式I所示。本发明充分考虑PC材料的力学性能、阻燃性能、加工性能的平衡性，创造性地采用有机硅/苯氧基聚磷腈共聚物作为阻燃抑烟剂，辅以无机矿物粉的抑烟吸热作用，有效降低材料在燃烧时的烟雾密度和热释放量。
密度低热释放阻燃 pc 材料及其制备方法应用

[发明专利]一种利用含氟硅渣制备SBA-15分子筛并回收氟的方法-CN202110185676.2有效
发明人：陈朝轶;王干干;李军旗;兰苑培;王林珠;权变利;张伟 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-02-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用含氟硅渣制备SBA‑15分子筛并回收氟的方法，包含以下步骤：1)将含氟硅渣溶解于氢氧化钠溶液中，得溶液A；2)将模板剂、浓盐酸和水按一定比例混合均匀，得溶液B；3)在搅拌条件下，将溶液本发明具有SBA‑15分子筛成本低，可将含氟硅渣变废为宝，提高含氟硅渣的产品附加值的特点；此外，本发明还具有SBA‑15分子筛制备时间短发的特点，能够缩短生产时间，进一步降低成本。
一种利用含氟硅渣制备 sba 15 分子筛回收方法

[发明专利]一种高效溶解硅酸盐类物质并提取高纯氧化硅的方法-CN202110225826.8有效
发明人：史志铭;殷文迪;闫华 -专利权人：内蒙古工业大学;内蒙古展华科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种高效溶解硅酸盐类物质并提取高纯氧化硅的方法，将含硅无机固废或含硅天然沙土的粉体原料置于反应釜中，加入无机酸X、无机酸Y、无机酸Z、水溶性醇和水的混合酸作为浸取液，加热并在大于或等于0.1MPa的条件进行反应，反应结束后过滤得到酸性混合溶液和滤渣，将酸性混合溶液加热沸腾，用收集器收集含硅挥发组分，并使含硅挥发组分在收集器中分解、沉积；将收集器中分解、沉积出的无定型二氧化硅进行干燥，得到高纯氧化硅粉体
一种高效溶解硅酸盐类物质提取高纯氧化方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET及其制备方法-CN202210816173.5有效
发明人：杨磊;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET及其制备方法，通过在结型场效应区的U形槽内设置第一隔离氧化层和第二隔离氧化层，将结型场效应区的U形槽划分为第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，并在第一沟槽内形成第一沟槽拐角氧化层和第一栅极多晶硅，在第二沟槽内形成第二沟槽拐角氧化层和第二栅极多晶硅，在第三沟槽内形成二极管多晶硅，其中，二极管多晶硅与结型场效应区之间设有厚度小于栅极氧化层的二极管栅氧层，从而在碳化硅MOSFET结构内集成二极管结构，
一种碳化硅 mosfet 及其制备方法

[发明专利]一种集成ESD二极管的沟槽MOSFET优化工艺-CN202210145943.8有效
发明人：鄢细根;黄种德 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：MOSFET产品使用，使其产品本身抗静电能力得到提高的同时降低ISGS漏电级别，改进了目前集成ESD二极管的TRENCH MOSFET产品由于工艺流程不合理导致的ISGS漏电偏大现象，提出ESD本征多晶硅生长后先不进行P型杂质注入，而是先与BODY区高温一起热处理，经过高温处理后的本征多晶硅颗粒之间更加紧密，之后再进行P型杂质注入，ESD光刻，刻蚀，然后一起加工后续的步骤，利用最后一步的回流热处理进行ESD区域N+与P区形成，由于N+杂质推结阻力小，可以保证N+把整个多晶硅扩散透，保证ESD结构上N+区能合理把整个多晶硅层扩散透，形成只有横向结构的NPNPN管结构。
一种集成 esd 二极管沟槽 mosfet 优化工艺

[发明专利]一种炭基硅肥的制备方法及烘干装置-CN202111593916.9有效
发明人：石维;程东娟;王利书;郭海刚;武海霞;宋福如;宋利强;宋志强;宋聚强 -专利权人：河北工程大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： F26B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种炭基硅肥的制备方法及烘干装置，炭基硅肥包括质量百分比为15%‑30%的小麦秸秆炭、35%‑50%的有机硅水溶肥、5%‑8%的海泡石、15%‑25%的膨润土，其加工步骤包括：制备第一种混合料本发明的有益效果是，炭基硅肥显著提高了盐碱地盐分洗脱效率，尤其增加了对钠离子的洗脱，同时促进了盐碱土壤的持水能力；使用此烘干装置，可将肥料颗粒自动烘干和收集，提高了工作效率。
一种炭基硅肥制备方法烘干装置

[发明专利]粘接剂组合物、固化物、叠层体以及装置-CN201880032558.4有效
发明人：芝本明弘;前谷臣治;西田一博;宇佐大辅;山川章;辻直子 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C09J183/07 文献下载
摘要：本发明的粘接剂组合物含有聚有机倍半硅氧烷(A)，所述聚有机倍半硅氧烷(A)具有下述式(1)表示的结构单元，其中，下述式(1)[R1SiO3/Sup>2)](式(2)中，R1同上，R2表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基)表示的结构单元相对于硅氧烷结构单元的总量(100摩尔％)的比例为55～100摩尔％，该聚有机倍半硅氧烷(A)的数均分子量为1500～50000，分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为1.0～4.0。
粘接剂组合固化叠层体以及装置

[发明专利]一种铝镁硅钪锆系合金及其制备方法-CN202110965031.0有效
发明人：钟立伟;赵唯一;于娟;冯朝辉;陆政;陈军洲 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C22C21/08 文献下载
摘要：本发明是一种铝镁硅钪锆系合金及其制备方法，该铝镁硅钪锆合金采用元素Zr、Sc、Zr/Sc复合微合金化方案，以获得含有一定组分亚晶织构的混晶组织，改善了材料强塑综合性能。0.02％～0.25％；元素Zr选择0.04％～0.18％，两者复合时选择0.08％≤Zr+Sc≤0.40％，其目的是获得含有一定组分亚晶织构的混晶组织，改善了材料强塑综合性能，采用本发明方法生产的新型铝镁硅钪锆合金制品具有优异的耐蚀性及可焊性，相较于传统铝镁硅系合金具有较高的强度及抗焊接软化能力，抗拉强度与屈服强度分别提升20％～36％和30％～51％，并且延伸率高于10％；焊接接头强度51％～54％，接头系数由0.8水平提升至0.9水平。
一种铝镁硅钪锆系合金及其制备方法

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202210276656.0有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：第一衬底层和第二衬底层具有第一导电类型，重掺杂层具有第二导电类型；第一衬底层内形成有阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极；氧化隔离层，形成于第一衬底层和第一氧化层的两侧，且氧化隔离层的底部与重掺杂层接触；氧化隔离层外侧形成有重掺杂多晶硅区，重掺杂多晶硅区的底部与重掺杂层接触，重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；重掺杂多晶硅区内形成有接电极。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[发明专利]一种聚羧酸类建筑外加剂及其合成方法-CN202011340059.7有效
发明人：朱伟亮 -专利权人：上海台界化工有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C08F220/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚羧酸类建筑外加剂及其合成方法，该合成方法包括如下步骤：步骤一，在反应容器中加入干燥的N‑环己烷‑γ‑胺丙基甲基二甲氧基硅烷，在5～15℃条件下缓慢匀速加入顺丁烯二酸酐，快速搅拌反应得到具有不饱和双键结构的有机硅化合物本发明合成了一种不含聚氧乙烯醚分子结构并且同时含有硅元素和环状结构的聚羧酸建筑外加剂，引入的环状结构为环己基，具有较好的亲水性。本发明的合成方法，反应过程均为非水溶液状态，避免了有机硅化合物硅氧基官能团的水解造成交联的问题。
一种羧酸建筑外加及其合成方法

[发明专利]一种共聚焦内窥镜成像装置及成像的自动补偿方法-CN202011375456.8有效
发明人：马骁萧;冯宇;付玲 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种共聚焦内窥镜成像装置及成像的自动补偿方法，包括物镜、光纤束、安装座，光纤束的周侧设有柔性导电板和套筒，安装座一侧设置有绝缘层和导向筒；柔性导电板内嵌设有一圈硅基光传感器，硅基光传感器包括信号针脚和接地针脚光纤束插入后，硅基光传感器才与接地环抵接，避免未安装之前受到自然光的影响，从而可以确保在使用过程中，硅基光探测器对泄露光的检测数据更加精准可靠。
一种聚焦内窥镜成像装置自动补偿方法

[发明专利]真空沟道晶体管及其制备方法-CN202110864029.4有效
发明人：母志强;刘强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空沟道晶体管的制备方法，所述制备方法至少包括：在第一硅衬底上沉积氧化物层；对所述氧化物层进行图形化以形成图形化区域，所述图形化区域包括具有开口的空腔和自所述空腔底部贯穿所述氧化物层的沟槽；在所述沟槽内定位生长纳米线，所述纳米线自所述第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；在所述空腔的与所述第一硅衬底相对的一侧使所述氧化物层与第二硅衬底键合以形成内含所述空腔的SOI衬底。
真空沟道晶体管及其制备方法

[发明专利]硅碳负极材料及其制备方法、电池-CN201910346290.8有效
发明人：郑军华;王亚州;李星烁 -专利权人：蜂巢能源科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了硅碳负极材料及其制备方法、电池。具体地，本发明提出了一种制备硅碳负极材料的方法，包括：将二氧化硅纳米颗粒、氧化石墨烯和第一溶剂混合，以便形成第一混合液；将壳聚糖溶于第二溶剂中，以便形成第二混合液；将第一混合液和第二混合液进行混合，以便形成第三混合液；对第三混合液进行烘干处理，以便形成壳聚糖‑氧化石墨烯‑二氧化硅复合材料；对壳聚糖‑氧化石墨烯‑二氧化硅复合材料进行烧结处理，以便形成有机碳‑石墨烯‑二氧化硅复合材料，以便形成硅碳负极材料。由此，该方法操作简便，且利用该方法所制备的硅碳负极材料形成电池的负极后，负极的膨胀率较低，克容量较高，循环性能以及倍率性能良好，提高了电池的使用性能。
负极材料及其制备方法电池