专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种合成轻质硅酸钙保温材料的方法-CN201810283609.2有效
  • 徐鹏 - 内蒙古普诺思新材料科技有限公司
  • 2018-04-02 - 2020-08-25 - C01B33/24
  • 本发明公开了一种合成硬钙石型硅酸钙的方法,该方法包括如下步骤:将增强纤维分散到特定浓度和模数的硅酸钠溶液当中,然后加入石灰乳后进行常压水热合成,置换出氢氧化钠溶液,并得到C‑S‑H凝胶型硅酸钙细小颗粒,依次进行过滤、洗涤,再将得到的C‑S‑H凝胶型水化硅酸钙加水调整浓度后,进行高压动态水热合成反应,最终得到硬钙石型轻质硅酸钙产品。本发明解决了现有技术中直接使用石英砂固体原料为作为质原料参与反应,造成反应活性度低,能耗高、产品结晶效果差等问题,另一方面解决了增强纤维在硬钙石型保温材料内分散不均匀,材料压滤成型后含水率和强度不均匀的问题
  • 一种合成硅酸保温材料方法
  • [发明专利]用于系统级封装的通孔转接板及其制备方法-CN201711352490.1有效
  • 张捷 - 浙江清华柔性电子技术研究院
  • 2017-12-15 - 2021-01-15 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种用于系统级封装的通孔转接板及其制备方法,该方法包括:选取衬底材料;刻蚀所述衬底材料形成多个TSV和多个隔离沟槽;填充所述隔离沟槽和所述TSV分别形成隔离区和TSV区;在所述隔离区之间的所述衬底材料内制备器件沟槽和三极管的埋层;在所述器件沟槽内制备三极管的集电极接触区、基区接触区和发射区;在所述衬底材料上表面制备所述TSV区的第一端面与所述三极管的互连线;在所述TSV区的第二端面制备金属凸点以完成所述通孔转接板的制备。本发明提供的通孔转接板通过在通孔转接板上设置三极管作为ESD防护器件,解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题,增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
  • 用于系统封装硅通孔转接及其制备方法
  • [发明专利]共轭二烯系橡胶的制造方法-CN201780068457.8有效
  • 樱井拓郎 - 日本瑞翁株式会社
  • 2017-11-13 - 2021-09-14 - C08G81/02
  • 工序,第1工序为在非活性溶剂中使用聚合引发剂将包含共轭二烯化合物的单体聚合,得到具有活性末端的共轭二烯系聚合物链;第2工序为相对于1摩尔的在所述第1工序中使用的聚合引发剂,将以下述通式(1)表示的有机氧烷以换算成所述有机氧烷中的氧烷结构(‑Si‑O‑)的重复单元数为1摩尔以上的比例,添加到所述具有活性末端的共轭二烯系聚合物链而使之反应;第3工序为使以下述通式(2)表示的化合物与在所述第2工序中得到的与有机氧烷反应了的共轭二烯系聚合物链反应
  • 共轭二烯系橡胶制造方法
  • [发明专利]一种透红外的高刚性聚碳酸酯组合物及其制备方法-CN201811645265.1有效
  • 柏莲桂;李强;辛敏琦 - 上海锦湖日丽塑料有限公司
  • 2018-12-29 - 2021-04-27 - C08L69/00
  • 本发明涉及一种透红外的高刚性聚碳酸酯组合物及其制备方法,采用以下组分及重量份含量的原料制备得到:含PC树脂:81~95,玻纤:5~15,硫化锌分散液:2~6,抗氧剂:0.1~1,润滑剂:0.1~1,色粉:0.01~0.1,将去离子水和硫化锌按照8:2的组成,用搅拌器分散获得分散液,含PC树脂、抗氧剂、润滑剂、色粉加入混合搅拌机中进行混合,从挤出机的主喂料口喂入,硫化锌分散液从挤出机的侧喂料口用液体泵喂入本发明用硫化锌提高了含PC的透红外性能,用硫化锌的分散液加入,使得硫化锌获得优异的分散,使用含PC和玻纤,获得韧性和刚性的平衡,获得透红外的高刚性聚碳酸酯组合物。
  • 一种红外刚性聚碳酸酯组合及其制备方法

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