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[实用新型]硅整流器件的复合内钝化层结构-CN201020276049.7有效
发明人：袁德成;张意远;俞栋梁;冯亚宁 -专利权人：上海美高森半导体有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅整流器件的复合内钝化层结构。包括有：中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层、台面、上电极金属层、下电极金属层、由多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的复合层；复合层的多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层依次覆盖在芯片体台面上本实用新型具有以下优点：以多晶硅膜作为氮化硅膜的粘附层，而氮化硅膜有着超高致密性、超强硬度、异常稳定的化学特性及优秀的离子与水汽阻挡能力，再覆盖上特殊的玻璃钝化材料，最后在器件的电极引出端两面用真空镀镍膜或化学镀镍金技术形成金属层
硅整流器复合钝化结构

[发明专利]一种半导体钝化封装用玻璃粉及其制备方法-CN201810630800.X在审
发明人：张其峰 -专利权人：张其峰
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体钝化封装用玻璃粉及其制备方法，所述玻璃粉，按质量百分含量，由以下组分组成：SiO₂：30～60％，Al₂O₃：3～本发明所述的一种半导体钝化封装用玻璃粉的制备方法操作简单，能有效节约成本，制备的玻璃粉能够满足半导体钝化封装的要求，同时，玻璃粉具有足够的强度，断裂韧性，能有效的抵抗光照、冷热、风雨、细菌等对半导体器件的表面造成的综合破坏
玻璃粉半导体钝化封装制备有效节约成本半导体器件断裂韧性冷热光照细菌抵抗风雨

[发明专利]一种基于玻璃的芯片再布线封装结构及其制作方法-CN201910098921.9在审
发明人：姜峰;王阳红 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于玻璃的芯片再布线封装结构，包括玻璃基板、设有第一焊盘的芯片、填充层、金属再布线层、钝化层和第二焊盘；玻璃基板设有上下贯穿的通孔，芯片设于通孔内且第一焊盘朝上；填充层填充于通孔和芯片的设置间隙中并延伸至覆盖玻璃基板和芯片的上表面，且于对应第一焊盘区域开口；金属再布线层设于填充层上并与第一焊盘连接；钝化层设于金属再布线层上并设有开口；第二焊盘设于钝化层上并与金属再布线层连接。本发明的芯片再布线结构紧凑，可实现超薄封装，同时利用了玻璃作为主要材料，更适用于高频器件，实现更优的电性能。在工艺上避免了临时键合和拆键合复杂工艺，可靠性优异，且成本更低。
芯片焊盘金属再布线层钝化层填充层再布线通孔玻璃基板封装结构玻璃开口超薄封装覆盖玻璃复杂工艺高频器件焊盘区域临时键合上下贯穿电性能上表面朝上基板键合填充制作延伸

[发明专利]一种脱磷剂的制备方法-CN201210435771.4无效
发明人：李飞 -专利权人：无锡成博科技发展有限公司
申请日： 2012-11-03 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C21C7/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种脱磷剂的制备方法，所述脱磷剂以重量份计由下列组分组成：精炼渣40-50份、除尘灰20-30份，钝化石灰18-22份、萤石6-8份，铝矾土10-12份；所述脱磷剂的制备方法包括如下步骤：1）制备钝化石灰：将活性石灰制成小于0.1mm的颗粒，然后进行雾化钝化，钝化膜的厚度为3-5微米，钝化后进行干燥处理；2）将剩余组分在1250-1350℃进行预熔处理，冷却后采用破碎机破碎，然后球磨至-40目，得混合料；3）将第1）步制备的钝化石灰与第2）步制备的混合料用混料机混合2-3小时；4)加入适量的作为粘结剂的水玻璃、膨润土、或玻璃与膨润土的混合物，并用压球机加压造球；5)将造粒料送进干燥床进行干燥
一种脱磷剂制备方法

[实用新型]瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构-CN201020567634.2有效
发明人：袁德成;张意远;俞栋梁;郭银银 -专利权人：上海美高森美半导体有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种瞬态电压抑制二极管的复合内钝化层结构，包括有：由中间层单晶硅本体、依附在中间层单晶硅本体的上掺杂层和下掺杂层组成的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层；所述由中间层单晶硅体与上掺杂层构成的上台面上依次层叠有多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃钝化层组成的上复合内钝化层，也可以同时设有由中间层单晶硅体与下掺杂层构成下复合内钝化层的双向复合内钝化层。本实用新型具有以下优点：以多晶硅膜作为氮化硅膜的粘附层，再覆盖上特殊的玻璃钝化材料，最后在器件的电极引出端两面用真空离子蒸发或真空溅射镀膜形成金属层，从而确保了后工序封装的质量、以及使用过程中的高稳定性和高可靠性
瞬态电压抑制二极管复合钝化结构

[发明专利]基于玻璃中介层和硅桥结构的2.5D封装结构及其制作方法-CN202211656125.0在审
发明人：赵瑾;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于玻璃中介层和硅桥结构的2.5D封装结构及其制作方法，该封装结构包括由至少两个芯片、硅桥结构和玻璃中介层，玻璃中介层上设有贯穿第一表面和第二表面的金属通孔，并且在玻璃中介层的第一表面设有第一金属布线层和第一钝化层，第一钝化层设有凹槽，硅桥结构的正面设有高密度布线层，背面设有粘合层以将硅桥结构贴装在该凹槽的底面上，至少两个芯片通过微凸点键合在硅桥的高密度布线层上，同时通过凸点键合在玻璃中介层上钝化层的第一开口处。硅桥结构提供更高密度的互连，减少全局互连长度，提高性能并降低功耗，封装成本低；玻璃具有可调热膨胀系数(CTE)，在一定程度上可解决热失配的问题，绝缘性强，可减小信号之间的串扰。
基于玻璃中介结构 2.5 封装及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件两次丝网印刷方法-CN201811533996.7有效
发明人：史丽萍;王晓捧;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;李豆;赵钰 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明两次印刷过程中，刮刀印刷方向的切入口均为印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且刮刀的印刷方向与该切入点所在边垂直,同时调整两次玻璃浆料的配比，使S4所用玻璃浆料的粘稠度大于S1所用玻璃浆料的粘稠度，并分别对涂覆后的玻璃浆料进行烘干、烧结，使硅片沟槽处形成双层的玻璃钝化层，能有效解决沟槽尖角处硼结裸露及沟槽底部硅裸露的问题，使沟槽内玻璃钝化层覆盖更全面，PN结的钝化保护更完全，增强了产品的稳定性和可靠性
一种半导体器件两次丝网印刷方法

[发明专利]钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃及其制备工艺-CN202310934221.5在审
发明人：西金涛;孙成海;刘志强;庄新春;罗贵阳;窦玉博;王光超;孙峰;左春梅 -专利权人：淄博金晶新能源有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明属于TCO导电膜玻璃技术领域，具体涉及钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃及其制备工艺。所述的钙钛矿太阳能电池用TCO导电膜玻璃，包括玻璃基板，以及依次沉积在玻璃基板上的底膜层、功能层、钝化层和AR减反层；所述底膜层厚度为55‑100nm，功能层单层厚度为300‑1000nm，钝化层单层厚度为本发明制备的TCO导电膜玻璃，兼具较低的表面电阻和较高的光透过率，从而使其具有更高的霍尔迁移率和发电效率。
钙钛矿太阳能电池 tco 导电玻璃及其制备工艺

[发明专利]使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片-CN201510438605.3有效
发明人：林茂雄;李进源;罗心荣;杨秉荣;刘德笙 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及使用顶部后钝化技术和底部结构技术的集成电路芯片。本发明揭示集成电路芯片和芯片封装，其包含所述集成电路芯片的顶部处的过钝化方案和所述集成电路芯片的底部处的底部方案，所述过钝化方案和底部方案使用顶部后钝化技术和底部结构技术。所述集成电路芯片可通过所述过钝化方案或所述底部方案连接到外部电路或结构，例如球栅格阵列(BGA)衬底、印刷电路板、半导体芯片、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。还描述相关的制造技术。
使用顶部钝化技术底部结构集成电路芯片

[发明专利]一种新型半导体芯片及其制作工艺-CN201911364142.5在审
发明人：汪良恩;李建利;汪曦凌 -专利权人：安徽芯旭半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种新型半导体芯片及其制作工艺，包括正多边形的基盘，所述基盘的中心处蚀刻出圆形芯片，所述圆形芯片的边沿与基盘之间蚀刻出一圈环形沟道，所述环形沟道内钝化有玻璃。本发明采用设计成圆形芯片的版图，再通过扩散、光刻、蚀刻、钝化、保护等工艺技术，制成具有圆形芯片的高可靠性，同时可以利用刀片切割的低加工成本等优点半导体芯片，而且钝化玻璃位于沟道内，半导体芯片表面平整，稳定性和安全性高
一种新型半导体芯片及其制作工艺

[实用新型]一种新型半导体芯片-CN201922377627.X有效
发明人：汪良恩;李建利;汪曦凌 -专利权人：安徽芯旭半导体有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型半导体芯片，包括正多边形的基盘，所述基盘的中心处蚀刻出圆形芯片，所述圆形芯片的边沿与基盘之间蚀刻出一圈环形沟道，所述环形沟道内钝化有玻璃。本实用新型采用设计成圆形芯片的版图，再通过扩散、光刻、蚀刻、钝化、保护等工艺技术，制成具有圆形芯片的高可靠性，同时可以利用刀片切割的低加工成本等优点半导体芯片，而且钝化玻璃位于沟道内，半导体芯片表面平整
一种新型半导体芯片

[发明专利]晶体硅太阳电池的制备方法-CN201710097172.9在审
发明人：张为国;张松;韩向超;王佩然;陈寒;夏世伟 -专利权人：上海大族新能源科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：型硅片的第一表面和第二表面均进行制绒；在N型硅片的第一表面形成硼掺杂源层，并在N型硅片的第二表面上离子注入磷源；将N型硅片放入扩散炉中进行高温氧化和扩散，在N型硅片的第一表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层，在N型硅片的第二表面上形成依次层叠的n+表面场层和磷硅玻璃层；去除硼硅玻璃层和磷硅玻璃层；在p+发射极层和n+表面场层上分别形成第一钝化减反射层和第二钝化减反射层；在第一钝化减反射层和第二钝化减反射层上分别制备负
晶体太阳电池制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿层双侧钝化薄膜的太阳电池制备方法-CN201910496365.0在审
发明人：王暾;沈文忠;刘洪 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿层双侧钝化薄膜的太阳电池制备方法，包括以下步骤：导电玻璃基底处理、氧化镍空穴传输层的制备、聚苯乙烯下层钝化层的制备、钙钛矿层以及聚苯乙烯上层钝化层的制备、富勒烯衍生物层的制备、电极制备，最终形成基于钙钛矿层双侧钝化薄膜的太阳电池。相比于单侧钝化层的钙钛矿太阳电池而言，具有双侧钝化层的钙钛矿太阳电池具有更大的开路电压、短路电流密度和填充因子，自然具有更高的光电转换效率，更好的稳定性；相比于现有相分离的双侧钝化方案，本发明所提出的双侧钝化薄膜制备方法更加简便
制备钝化薄膜钙钛矿层钝化层聚苯乙烯钙钛矿富勒烯衍生物光电转换效率导电玻璃基空穴传输层电极制备开路电压填充因子短路相分离氧化镍钝化下层上层

[实用新型]一种太阳能电池-CN201921827397.6有效
发明人：许佳平;朱惠君;张昕宇;金浩;陈康平;来俊男;姜传伟;余云洋 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池，包括衬底层；位于衬底层背面的钝化层；钝化层开设有贯穿钝化层的沟槽，沟槽内设置有与衬底层接触的导电栅线；位于钝化层背向衬底层一侧表面的导电层；导电层与导电栅线相接触；位于导电层背向衬底层一侧表面的背电极，背电极与钝化层之间通过导电层相互隔离。由于背电极与钝化层之间设置有导电层，使得背电极不会直接接触钝化层，从而可以避免背电极中玻璃体对钝化层的腐蚀；背电极与导电层接触，而导电层与导电栅线接触，导电栅线会与衬底层接触，使得衬底层所产生的电流可以通过导电栅线以及导电层传递至背电极
一种太阳能电池

[发明专利]高色域阵列基板及液晶显示面板-CN201710109394.8在审
发明人：樊勇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种高色域阵列基板，包括玻璃基板，在玻璃基板上依次设有栅极、栅极绝缘层、有源层、钝化层、源极、漏极、像素电极，所述像素电极与源极连接，源极以及漏极设于有源层上，所述像素电极设于钝化层上，位于阵列基板显示区中的栅极绝缘层和/或钝化层为多层光学膜结构。与现有技术相比，通过将阵列基板中显示区中的栅极绝缘层和或钝化层为多层光学膜结构，可以实现对特定波段(570～615nm)的光进行过滤，实现对背光红色和绿色光半波峰宽的收窄，从而提升LCD显示面板的显示色域
高色域阵列液晶显示面板