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[发明专利]用于制备多层电卡陶瓷元件的瓷浆及其制备方法-CN201610840164.4有效
发明人：徐海生;陈建伟;任雪婷;梁柱 -专利权人：奈申（上海）智能科技有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备多层电卡陶瓷元件的瓷浆及其制备方法，所述瓷浆包括如下组分：钛酸钡基陶瓷粉；重量为钛酸钡基陶瓷粉重量的0‑1％的改性添加剂；重量为钛酸钡基陶瓷粉重量的0‑5％的助烧剂；重量为钛酸钡基陶瓷粉重量的2‑10％的分散剂；重量为钛酸钡基陶瓷粉重量的30‑50％的第一溶液，所述第一溶液包括粘合剂、酮类溶剂及醇类溶剂；以及重量为钛酸钡基陶瓷粉重量的28‑48％的第二溶液，所述第二溶液包括粘合剂、酮类溶剂、本发明的优点在于，所述瓷浆浆料分散性好，性能优越；制备的多层电卡陶瓷制冷元件电容量高，介电损耗小，电卡特性好。
钛酸钡基陶瓷制备瓷浆电卡多层粘合剂醇类溶剂陶瓷元件酮类溶剂改性添加剂浆料分散性介电损耗制冷元件电容量分散剂增塑剂助烧剂陶瓷

[发明专利]钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202310438389.7在审
发明人：刘峰;张曙光;高美珍;余腾飞;邱䶮;柯超群 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司;兰州大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及压电陶瓷技术领域，特别是涉及一种钛酸钡基无铅压电陶瓷的制备方法，包括如下步骤：称取原料，进行预烧结，制备前驱体；将所述前驱体进行造粒，成型，制备陶瓷坯体；将所述陶瓷坯体进行排胶、烧结、退火、氧化、烧银及极化，制备所述钛酸钡基无铅压电陶瓷；其中所述原料包括BaCO3和TiO2；所述钛酸钡基无铅压电陶瓷的组成通式为本发明提供的钛酸钡基无铅压电陶瓷的制备方法通过限定压电陶瓷的组成，并引入氧化的步骤，提升了钛酸钡基无铅压电陶瓷的压电性能，其压电系数最高可以超过270pC/N，远高于传统的钛酸钡基无铅压电陶瓷的压电系数
钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷及其制备方法-CN202110368986.8有效
发明人：李涛;代海洋;刘德伟;薛人中;陈靖 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋；所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x)：0.5x：0.5x，其中，x取值范围为0＜x≤0.7％；所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68Sub>、CuO共掺杂，Bi2O3和CuO作为烧结助剂能有效降低BaTiO3基陶瓷的烧结温度，节约了能耗，并获得结晶度良好，晶粒尺寸均匀的陶瓷样品。
一种高介电低损耗钛酸钡陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法-CN201911003631.8有效
发明人：张洪军;吴春龙;柯华;李方喆;田晶鑫;唐晓慧;罗蕙佳代;曹璐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法，它涉及一种铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷漏电流大的问题。>xFexO3/BaTiO3磁电陶瓷，即为层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷。本发明制备的钛酸钡基磁电陶瓷在引入磁性元素的同时，很好的保留了原有的铁电性能，其漏电流小于同成分的用其他方法制备的陶瓷块体。本发明可获得一种层状结构的铁掺杂钛酸钡基磁电陶瓷。
一种层状结构掺杂钛酸钡磁电陶瓷制备方法

[发明专利]一种提高陶瓷PTC热敏元件的抗还原性的方法-CN202110585142.9在审
发明人：傅邱云;何正安;周东祥;石永丰 -专利权人：江苏新林芝电子科技股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种提高陶瓷PTC热敏元件的抗还原性的方法，属于电子元器件制备技术领域。陶瓷PTC热敏元件为钛酸钡基陶瓷PTC热敏元件，抗还原性的方法是先将钛酸钡基陶瓷PTC热敏元件装入盛料盒本体中，再将装有钛酸钡基陶瓷PTC热敏元件的盛料盒本体装入磁控溅射设备，在盛料盒本体处于旋转状态下由磁控溅射设备将作为靶材的无机材料溅射到钛酸钡基陶瓷PTC热敏元件的表面而在其表面形成一层无机材料薄膜层，待磁控溅射完毕后，将盛料盒本体连同表面结合有无机材料薄膜层的钛酸钡基陶瓷PTC热敏元件取出并进行高温热处理。提高陶瓷PTC热敏元件抗恶劣环境的能力并且满足在含有还原氛环境下的服役要求；工艺简便，满足工业化放大生产要求。
一种提高陶瓷 ptc 热敏元件原性方法

[发明专利]镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法-CN201510529246.2在审
发明人：王显威;刘湘月;石逍;杨娅慧;王小二 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：一种镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料，是由La和K共掺杂BaZr_0.15Ti_0.85O₃而形成的Ba钛酸钡基介电陶瓷材料的制备方法。本发明明显改善了锆钛酸钡介电陶瓷的耐高压性能与介电性能，有效增大了锆钛酸钡基介电陶瓷材料的击穿电压和介电常数，并且极大降低了锆钛酸钡基介电陶瓷材料的介电损耗。
镧钾共掺杂改性钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]锂-铝离子对掺杂改性的钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法-CN201410200916.1有效
发明人：费维栋;徐丹;李伟力;王黎东 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：锂-铝离子对掺杂改性的钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它涉及具有高压电性能钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决利用普通原料和传统固相合成法制备的钛酸钡基无铅压电陶瓷压电性能较差的问题。本发明的钛酸钡基陶瓷组成为Ba_1-x(Li_0.5Al_0.5)_xTi_1-xSixO_{3本发明采用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基无铅压电陶瓷，该体系为钙钛矿相，当x＝2-8mol％时，陶瓷中存在Li⁺-Al³⁺离子对，使压电常数d}
离子对掺杂改性钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷的制备方法和应用-CN201710686831.2有效
发明人：常云飞;刘迎春;孙媛;吴杰;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷的制备方法和应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有钛酸钡基陶瓷的改进使得该体系陶瓷的应变迟滞H_s变大，虽然钛酸钡基陶瓷的部分电学性能参数有一定的提高，但其另一部分性能参数，如居里温度T_c却被恶化的问题>Zr_y)O₃，0.01≤x≤0.12，0.02≤y≤0.08；方法：一、采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]_c高度取向的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷；二、采用工程畴技术制备高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷。
织构陶瓷钛酸钡基无铅压电电学性能制备方法和应用钛酸钡基陶瓷制备电学性能参数超声换能器居里温度Tc 压电传感器压电驱动器定向生长高度取向高灵敏度化学通式模板晶粒性能参数电材料迟滞压铁陶瓷恶化应用改进

[发明专利]一种调控铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法-CN202111674394.5有效
发明人：董显林;康文烁;梁瑞虹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的方法。具体地，通过控制控铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料化学计量比（1‑y）BiFeO3‑yBa(1‑x)TiO3中x在‑0.03～0.03之间变化，从而实现铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷材料电阻率和极化强度的的调控；其中，y=0.1～0.35。
一种调控铁酸铋钛酸钡压电陶瓷材料电阻率极化强度方法

[发明专利]一种陶瓷基片的制备方法-CN202110778056.X有效
发明人：曹建平;曹建辉;刘平 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷基片的制备方法，涉及陶瓷基片加工技术领域。本发明公开的陶瓷基片的制备方法为：将异丙醇钛溶胶和碳酸钡溶胶混合，形成非晶相的钛酸钡前驱物凝胶，然后加入甲基硅酸钠、五水硝酸铋和异丙醇钇进行水热反应，制得钛酸钡基陶瓷粉体，再对陶瓷粉体进行流延成型，得到陶瓷片材，最后对钛酸钡基陶瓷片材加入到配制有研磨液的双面研磨机中进行粗磨和精磨，即可。本发明提供的陶瓷基片的制备方法，成本较低，制备简单，且钛酸钡基陶瓷粉体的纯度高、颗粒尺寸较小且均匀，并具有高介电常数、低的介电损耗、较高的居里温度和较宽的居里温度区域；陶瓷基片表面平整、光滑、无损伤，且不易脆断
一种陶瓷制备方法

[发明专利]基于成分梯度提高钛酸钡基陶瓷介电温度稳定性的方法-CN201710543997.9有效
发明人：王妍;何芷欣;刘泳斌;高景晖;钟力生;于钦学 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于成分梯度提高钛酸钡基陶瓷介电温度稳定性的方法。首先在TiO2、BaCO3的基料中掺入Sn4+离子，采用传统固相合成制备工艺，预烧后获得具有不同居里温度的钛酸钡基陶瓷粉料；其次以体系的三临界点(即三临界效应)对应成分为核心设计梯度材料成分及其顺序，然后将粉料逐层平铺并压制成块；最后经固相烧结获得钛酸钡基梯度陶瓷，再通过线锯切割机沿成分变化方向切割圆柱型陶瓷得到两个平整截面，从而通过并联的成分梯度实现铁电陶瓷介电温度稳定性的提高。本发明能够使钛酸钡基陶瓷在保持较高介电常数的基础上改善其温度稳定性，为多层陶瓷电容器(MLCC)性能的优化提供了新的思路，且操作简便。
基于成分梯度提高钛酸钡陶瓷温度稳定性方法

[发明专利]一种掺杂锆钛酸钡基铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201510184902.X在审
发明人：王显威;杨孟孟;王大军;张慧超;王小二 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂锆钛酸钡基铁电陶瓷材料及其制备方法，属于无铅铁电陶瓷材料的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：一种掺杂锆钛酸钡基铁电陶瓷材料，其组成为Ba_1-x(A_0.5B_0.5)_xZr_{0.15本发明还公开了该掺杂锆钛酸钡基铁电陶瓷材料的制备方法。本发明有效解决了现有锆钛酸铅铁电陶瓷材料因含铅而在使用和废弃后处理过程中给环境造成的污染问题，提高了无铅系列铁电陶瓷材料的介电性能，并且制备的掺杂锆钛酸钡基铁电陶瓷材料作为一种环境友好型铁电陶瓷材料具有广阔的市场应用前景}
一种掺杂钛酸钡基铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅钛酸钡基陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202310186834.5在审
发明人：南策文;孔曦;杨乐陶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种无铅钛酸钡基陶瓷材料及其制备方法和应用，所述无铅钛酸钡基陶瓷材料的化学式为：(Ba0.6‑x‑ySrx本申请还提供了上述无铅钛酸钡基陶瓷材料的制备方法及其在制备电容器中的应用。本申请无铅钛酸钡基陶瓷材料实现了高效的储能特性，通过加入铁酸铋改性后，提高了陶瓷的介电常数和极化值，增加了陶瓷的储能特性。同时铁酸铋的加入显著降低了陶瓷的烧结温度，有利于陶瓷与高银含量的银‑钯电极共烧成器件。
一种钛酸钡陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]提高钛酸钡基电卡陶瓷制冷器件性能的方法-CN201510586361.3在审
发明人：程爱兰;徐海生;陈建伟 -专利权人：奈申（上海）智能科技有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种提高钛酸钡基电卡陶瓷制冷器件性能的方法，所述制冷器件的致冷效应通过至少一个具有大电卡效应的钛酸钡基电卡陶瓷材料实现，本发明的优点在于，所述大电卡效应的钛酸钡基电卡陶瓷材料在室温附近的-30
提高钛酸钡基电卡陶瓷制冷器件性能方法

[发明专利]钛酸钡基压电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN200710114644.3无效
发明人：张家良;邵守福 -专利权人：山东大学
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸钡基压电陶瓷材料，是以二氧化钛、碳酸钡为初始原料，通过磨球和预烧固相反应制备颗粒平均尺寸在亚微米级别、结晶结构为四方相的钛酸钡基微粉，再烧结制得具有微观结构中晶粒粒径平均尺寸在0.2～7.5μm、压电性能指标d₃₃值大于225pC/N的钛酸钡基压电陶瓷材料。本发明的钛酸钡基压电陶瓷材料具有生产成本低、压电常数d₃₃值大、平面机电耦合系数k_p值高的特点，适用于传感器、驱动器、超声换能器、谐振器、滤波器、蜂鸣器、电子点火器等各种电子元件和器件，作为无铅压电陶瓷材料可替代目前广范适用的含铅PZT压电陶瓷材料。
钛酸钡压电陶瓷材料及其制备方法应用

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