专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种调控Sn基或Sn-Pb基结晶速率的方法-CN202210496795.4在审
  • 李蔚;陶鸿;江炀;杜红强 - 武汉理工大学
  • 2022-05-09 - 2022-08-30 - H01L51/48
  • 本发明涉及一种调控Sn基或Sn‑Pb基结晶速率的方法,包括如下步骤:1)配制Sn基或Sn‑Pb基前驱体溶液;2)在太阳能电池制备过程中,在空穴传输层表面旋涂步骤1)所得前驱体溶液,旋涂过程中滴加混合液调控的结晶速率,所述混合液由辛烷或己烷溶于反溶剂中得到,旋涂结束得到液态薄膜;3)将表面覆有液态薄膜的基底材料进行退火。本发明方法通过前驱体溶液旋涂阶段添加由辛烷或己烷溶于反溶剂得到的混合液,并通过调控辛烷或己烷在混合液中的浓度调控薄膜的结晶性,获得粒径分布均匀,结晶性更好的薄膜,由此制作的器件性能也得到明显改善
  • 一种调控snpb基钙钛矿结晶速率方法
  • [发明专利]一种基于薄片的发光器件及其制备方法-CN201610709998.1有效
  • 刘生忠;杨周;刘渝城;任小东;孙键焜 - 陕西师范大学
  • 2016-08-23 - 2019-05-03 - H01L51/56
  • 本发明一种基于薄片的发光器件及其制备方法,加工方便,制备简单,通过生长带隙可调的薄片对器件进行组装。其包括如下步骤,步骤一,通过控制卤素离子掺杂量得到对应发光波长的单晶或多晶晶体;步骤二,对得到的晶体进行切片,得到面积大于200mm2且厚度小于1mm的大面积薄片;步骤三,将大面积薄片作为发光器件的活性层,得到发光器件。在制备大尺寸颜色可调的单晶或者多晶晶体基础上,通过采用晶体切割工艺制备薄片;通过控制切割过程中切割线的粗糙度、运动速度可以实现对晶体的完美切割。晶体的切割工艺有利于产出高品质晶片,有利于制备出高品质的单晶器件。
  • 一种基于钙钛矿薄片发光器件及其制备方法
  • [发明专利]一种薄膜的制备方法及其应用-CN201711104063.1在审
  • 尹君;郑南峰;李静 - 厦门大学
  • 2017-11-10 - 2018-04-06 - H01L51/48
  • 本发明涉及一种薄膜的制备方法及其应用。薄膜的制备方法包含以下步骤(1)配制前驱体溶液;(2)在基底加热的情况下,将浸润有前驱体溶液的刷头以恒定速度刷涂基底表面;(3)待基底表面的前驱体溶液蒸发后,在基底表面形成薄膜本发明的薄膜制备方法具有制备工艺简便、制备速度快、薄膜质量高、薄膜厚度均匀的优势,在大面积、规模化的光伏器件的制备中极具应用前景。
  • 一种钙钛矿薄膜制备方法及其应用

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