专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种二维钙钛矿材料及其制备方法与紫外探测应用-CN202310638631.5在审
  • 王鸣魁;刘志荣;申燕;刘宇萍;于海譞;张治国 - 华中科技大学
  • 2023-06-01 - 2023-10-13 - H10K71/15
  • 本发明属于光电转换材料与光电子器件领域,公开了一种二维钙钛矿材料及其制备方法与紫外探测应用,其中材料的制备方法包括以下步骤:S1:配置得到A2BCl4钙钛矿前驱体溶液,并向其中加入乙二醇和/或丙二醇作为溶剂添加剂;S2:通过一步旋涂反溶剂萃取法在基底上沉积,退火即可得到位于基底上的二维钙钛矿材料。本发明通过对制备方法的流程工艺设计、反应参与物进行改进,制备得到二维钙钛矿材料除了是纯相二维钙钛矿材料外,还具有取向生长的特点,其无机层所在平面(对应无机层生长方向)、有机层所在平面(对应有机层生长方向)均垂直于基底表面;相应构建得到的紫外探测器具有响应速度快、分辨率高、噪声小、稳定性好等良好的综合性能。
  • 一种二维钙钛矿材料及其制备方法紫外探测应用
  • [发明专利]一种光电器件的光伏特性测量设备、测量方法及成像系统-CN201810296308.3有效
  • 王鸣魁;廖沛哲;黄飞洪 - 华中科技大学
  • 2018-03-30 - 2023-08-25 - G01R31/00
  • 本发明公开了一种光电器件的光伏特性测量设备、测量方法及成像系统;测量设备包括:光源组件、样本放置组件以及信号测量组件;样本放置组件用于导出电池样本的电压及电流信号,光源组件用于提供垂直照射电池样本表面的稳定平衡光及瞬时激发光,信号测量组件用于测量电池样本的电压及电流信号;测量方法包括:利用平衡光源提供指定的测试光强,测量对应的开路电压或短路电流;然后利用脉冲激光器提供扰动信号,并测量对应的电压衰减信号或电流衰减信号;成像系统包括:测量设备以及计算单元。本发明能够测量光电器件的微秒级界面动力学过程,确保光电流谱/光电压谱的测试在器件的同一工作状态下完成,并对光电器件的动力学参数进行二维成像。
  • 一种光电器件伏特测量设备测量方法成像系统
  • [发明专利]一种原子级厚度的二维铋纳米片材料及其制备方法和应用-CN202210473774.0有效
  • 申燕;潘杰;王鸣魁 - 华中科技大学
  • 2022-04-29 - 2023-05-09 - C25B3/26
  • 本发明属于二维材料制备技术领域,具体涉及一种原子级厚度的二维铋纳米片材料及其制备方法和应用,包括:将化学抛光的铜片置于预先配制的沉积溶液中,采用循环伏安法,在铜片表面预沉积得到铋纳米颗粒,沉积溶液中包含铋离子和溴离子,溴离子吸附在预沉积的铋纳米颗粒表面以作为结构诱导剂;循环伏安法替换为恒电位法,采用恒电位法继续还原沉积溶液中的铋离子,得到尺寸比铋纳米颗粒小的铋颗粒,结构诱导剂促使铋颗粒定向聚集,形成原子级厚度的二维铋纳米片。本发明方法工艺简便可控,污染小,不需要高真空和高温条件,制备获得的原子级厚度的二维铋纳米片具有良好的电催化还原CO2产甲酸的性能。
  • 一种原子厚度二维纳米材料及其制备方法应用
  • [发明专利]高质量锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件-CN202211485313.1在审
  • 王鸣魁;于海譞;李雄杰;张治国;申燕 - 华中科技大学
  • 2022-11-24 - 2023-03-21 - H10K71/12
  • 本发明公开了一种高质量锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件,制备方法包括:将配体分子R1和二价锡盐溶于溶剂中并进行搅拌,得到第一溶液,配体分子R1包含有具有大位阻效应的咪唑基团或卡宾基团;向第一溶液中加入能置换出零价锡原子的还原剂,充分反应得到第二溶液;对第二溶液进行分离提纯,得到单原子零价锡配合物;将单原子零价锡配合物添加至锡基钙钛矿前驱体溶液中,得到带有添加剂的锡基钙钛矿前驱体溶液;将带有添加剂的锡基钙钛矿前驱体溶液涂覆于洁净的基底表面,制备得到高质量锡基钙钛矿薄膜。单原子零价锡配合物能有效地诱导Sn4+离子还原为Sn2+,且能减缓锡基钙钛矿结晶过程,可有效提高锡基钙钛矿光电子器件综合性能。
  • 质量锡基钙钛矿薄膜及其制备方法光电器件
  • [发明专利]基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件-CN202211294766.6在审
  • 王鸣魁;于海譞;李雄杰;张治国 - 华中科技大学
  • 2022-10-21 - 2023-01-17 - H10K71/00
  • 本发明公开了一种基于应力调控的锡基钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件,其中,制备方法包括:将锡基钙钛矿液膜和配体溶液置于同一腔室内并通过抽气使腔室真空度低于1000Pa后停止抽气,其中,配体溶液为含胺基或巯基官能团的溶液;维持腔室密闭状态,锡基钙钛矿与溶剂络合形成具有抵抗热应力冲击能力的中间相固膜,且配体溶液持续挥发充满腔室形成配体氛围,配体与中间相固膜中未配位的锡结合以减少表面缺陷;将中间相固膜取出后退火。通过分两步调节应力冲击并把握缺陷处理的时机,在真空干燥时利用配体与中间相固膜中未配位的锡结合,弱化钙钛矿表面的悬挂键和缺陷。再进行退火处理,使退火期间导致的晶格畸变减小,最终提高锡基钙钛矿薄膜的质量。
  • 基于应力调控锡基钙钛矿薄膜及其制备方法光电器件
  • [发明专利]一种基于可见光诱导自修复柔性透明电极的制备方法-CN202211208992.8在审
  • 王鸣魁;李雄杰;于海譞;戴乐天;孙强;申燕 - 华中科技大学
  • 2022-09-30 - 2022-12-30 - H01B5/14
  • 本发明公开了一种基于可见光诱导自修复柔性透明电极的制备方法,属于纳米光电材料技术领域。先通过聚合反应制备双硒聚氨酯聚合物,并将其溶解于有机溶剂中,形成聚合物溶胶。再将银纳米线分散液旋涂在玻璃上,通过热处理使纳米线在玻璃表面形成导电网络。将双硒聚氨酯聚合物溶胶旋涂至覆有银纳米线玻璃的表面,通过热固化处理使银纳米线粘附于聚合物薄膜表面,最后将薄膜剥离,即得到柔性透明薄膜电极。本发明提供了一种具有高效自修复功能、低成本、高柔性以及高导电性能的柔性透明电极的制备方法,该方法具有制备简单、可大面积制备的特点,所制备的柔性透明电极能在可见光条件下高效自修复,使之在柔性光电子器件领域具有潜在的应用前景。
  • 一种基于可见光诱导修复柔性透明电极制备方法
  • [发明专利]一种全无机锡基钙钛矿B-γ CsSnI3单晶的制备方法-CN202211029028.9在审
  • 王鸣魁;顾安杰;孙强;张治国 - 华中科技大学
  • 2022-08-26 - 2022-11-29 - C30B7/06
  • 本发明公开了一种全无机锡基钙钛矿B‑γCsSnI3单晶的制备方法其制备方法包括:在无水无氧氛围中,将CsI和SnI2充分溶解于有机溶剂中,形成钙钛矿前驱体溶液;将所述钙钛矿前驱体溶液倒入留有挥发孔的第一容器中;在惰性气体氛围中,将温度逐渐升高至预设温度后保持恒温,期间通过挥发孔控制溶剂的挥发,得到B‑γCsSnI3单晶,其中,预设温度大于等于100℃。本申请首次发现B‑γCsSnI3单晶可通过溶液法制备,其中生长温度是控制单晶生长的关键因素,通过控制保温温度不低于100℃,并配合溶剂挥发,能够实现黑色B‑γCsSnI3单晶生长。本方法操作简单、生长速度快且产率极高,相较于高温布里奇曼法制备B‑γCsSnI3单晶,可极大程度缩减生产时间同时降低成本。
  • 一种无机锡基钙钛矿cssni3制备方法
  • [发明专利]一种光伏组件的封装方法及光伏器件-CN202211088145.2有效
  • 王鸣魁;李雄杰;于海譞;戴乐天;孙强;申燕 - 华中科技大学
  • 2022-09-07 - 2022-11-22 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种光伏组件的封装方法,其包括:在光伏组件表面沉积Al2O3阻隔层;采用无溶剂的本体聚合法,将聚四氢呋喃、脂肪族或脂环族二异氰酸酯以及有机锡催化剂于60~100 oC的温度下混合,发生聚合反应得到聚氨酯低聚物;采用无溶剂的本体聚合法,在聚氨酯低聚物中加入氟化二元醇扩链剂,搅拌形成稳定的聚氨酯预聚物溶胶;将聚氨酯预聚物溶胶涂覆至Al2O3阻隔层表面,于25~70oC的温度下进行固化,形成聚氨酯薄膜,分子链上的氟原子与Al2O3形成Al‑O‑F共价作用键得到无机‑有机复合封装层。上述封装层可以实现在室温条件下进行固化,能有效解决传统有机封装层在高温或紫外光固化过程中对钙钛矿材料以及器件传输层造成破坏的关键问题,得到的器件具有较高光电转换效率。
  • 一种组件封装方法器件
  • [发明专利]一种钙钛矿薄膜、制备方法及其应用-CN202211018817.2在审
  • 王鸣魁;张治国;孙强;顾安杰;于海譞 - 华中科技大学
  • 2022-08-24 - 2022-11-18 - H01L51/48
  • 本发明公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及其应用。所述制备方法包括如下步骤:(1)将锡源和卤化物有机溶剂中,搅拌后得到含锡钙钛矿前驱体溶液;(2)向所述含锡钙钛矿前驱体溶液中加入金属置换粉末,发生电偶置换反应,将所述含锡钙钛矿前驱体溶液中4价锡还原为2价锡,过滤后得到置换溶液;(3)将置换溶液采用一步旋涂法得到锡基钙钛矿薄膜。本发明可以有效抑制薄膜中锡元素氧化,减少缺陷密度和非辐射复合中心,提高薄膜的稳定性,从而提高了锡基钙钛矿太阳电池器件光电转换效率,增强了锡基钙钛矿太阳电池器件稳定性。
  • 一种钙钛矿薄膜制备方法及其应用

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