“型钙钛矿”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2637200个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种113型和125型复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法和应用-CN202110934626.X有效
发明人：赵高凌;李华正;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种113型和125型复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法和应用，该复合钙钛矿多级结构材料包括113型钙钛矿纳米材料与125型钙钛矿纳米材料；113型钙钛矿纳米材料为纳米晶，125型钙钛矿纳米材料为纳米片，113型钙钛矿纳米材料嵌合在125型钙钛矿纳米材料中；113型钙钛矿纳米材料的结构分子式为CsPbX3，125型钙钛矿纳米材料的结构分子式为CsPb钙钛矿多级结构材料，由113型钙钛矿纳米晶嵌入125型钙钛矿纳米片中复合而成，具有高稳定性与载流子迁移距离长等优点，有望在光电探测器、太阳能电池以及LED等光电领域有着广泛的应用前景。
一种 113 125 复合钙钛矿多级结构材料及其制备方法应用

[发明专利]钙钛矿电池、光伏组件、光伏发电系统及用电设备-CN202211201799.1在审
发明人：涂保;孙娟娟;陈国栋;郭文明;陈长松;刘召辉;郭永胜 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿电池，钙钛矿电池的电子传输层和钙钛矿吸光层之间设有插入层，其中，插入层含有n型半导体材料，n型半导体材料的霍尔效应测试结果为n型。在钙钛矿电池中，插入层含有霍尔效应测试结果为n型的n型半导体材料，能有效抑制钙钛矿吸光层的离子迁移，从而能提高钙钛矿电池的稳定性，钙钛矿电池的光电转换效率损失速度降低，从而使得钙钛矿电池的寿命增加。
钙钛矿电池组件发电系统用电设备

[发明专利]一种含PN结结构的钙钛矿材料层的制备方法及应用-CN202310313418.7在审
发明人：刘家梁;李梦洁;赵志国;赵东明;秦校军;李新连;张赟;熊继光;伏丰义;夏渊 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种含PN结结构的钙钛矿材料层的制备方法及应用，该制备包括：采用第一溶质配制第一钙钛矿溶液，湿法成膜，进行退火处理，形成N型钙钛矿层；所述第一溶质包括N型掺杂材料和钙钛矿前驱体材料，所述钙钛矿前驱体材料为PbI2、CsI、MAI、FAI和PbBr2中的一种或多种；采用第二溶质配制第二钙钛矿溶液，湿法成膜，进行退火处理，形成P型钙钛矿层；所述第二溶质包括P型掺杂材料和所述钙钛矿前驱体材料；将所述N型钙钛矿层和所述P型钙钛矿层压合形成PN结，得到所述钙钛矿材料层。本发明通过“两步法”，掺杂分别形成P型和N型钙钛矿薄膜，然后层压法制备PN结，重掺杂的浓度高，利于在电池器件中应用。
一种 pn 结构钙钛矿材料制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层材料及太阳能电池-CN201910560218.5在审
发明人：毕恩兵;陈汉;陈林;茹鹏斌 -专利权人：上海黎元新能源科技有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层材料及太阳能电池。该钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层材料包括P型钙钛矿吸光层材料和N型钙钛矿吸光层材料；P型钙钛矿吸光层材料ABX₃中BX₂与AX的摩尔比为1：m，1型钙钛矿吸光层材料ABX₃中BX₂与AX的摩尔比为n:1，1钙钛矿太阳能电池的稳定性和光电转化效率都有提高。
钙钛矿吸光层太阳能电池摩尔比光电转化效率

[发明专利]n-i结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法-CN202110897195.4在审
发明人：薛冬峰;李云龙;王晓明 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种n‑i结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中，n‑i结构钙钛矿基X光探测器包括叠层贴合设置的n型钙钛矿功能层和i型钙钛矿活性层；所述n型钙钛矿功能层中包含APbBr3钙钛矿材料，所述i型钙钛矿活性层中包含A’PbI3钙钛矿材料，其中，A和A’分别独立的选自碱金属离子或者有机铵离子。本申请提供的n‑i结构钙钛矿基X光探测器，器件结构简单，同时实现了高灵敏度、低检测限及较低的暗电流。
结构钙钛矿基探测器及其制备方法

[发明专利]无基底的钙钛矿电池及其制备方法-CN202210832531.1有效
发明人：墙子跃;王彩霞;高翔;吴瑶;赵晓霞;刘雨奇;董宁波;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出一种无基底的钙钛矿电池及其制备方法，包括以下步骤：在基底上旋涂有PTAA层；在PTAA层上自下而上依次制备空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和金属电极，得到有基底的pin型钙钛矿电池；或者在PTAA层上自下而上依次制备电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和金属电极，得到有基底的nip型钙钛矿电池，将有基底的pin型钙钛矿电池或有基底的nip型钙钛矿电池浸泡于氯苯中，使PTAA层溶解，基底脱离，在电池下端制备底部透明电极层，得到无基底的pin型钙钛矿电池或无基底的nip型钙钛矿电池。通过本发明的制备方法制备出无基底的钙钛矿电池，进而制备出基于钙钛矿的两端叠层电池，提高两端叠层电池的光电转换效率，制备方式简单易行，应用前景广。
基底钙钛矿电池及其制备方法

[发明专利]促进高钛型高炉渣中钙钛矿相增大的添加剂以及方法-CN201810362288.5在审
发明人：蒲年文;荆七一;李中江;冯少强 -专利权人：四川省川威集团有限公司;四川星明能源环保科技有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及冶金技术领域，具体而言，涉及一种促进高钛型高炉渣中钙钛矿相增大的添加剂以及方法。促进高钛型高炉渣中钙钛矿相增大的添加剂由促进钙钛矿析出的含钙析出剂和促进钙钛矿粗化的碳酸盐促进剂按照质量比为1‑3：1的比例制成。该添加剂成本低廉，该添加剂能有效增加钙钛矿的粒径，有效促进高钛型高炉渣中钛组分富集到钙钛矿相，并有利于钙钛矿析出。
钙钛矿相钙钛矿高炉渣高钛添加剂增大的析出碳酸盐冶金技术领域添加剂成本有效促进组分富集促进剂析出剂质量比粗化粒径

[发明专利]一种钙钛矿uLED结构及其制备方法-CN202210146756.1在审
发明人：李青;刘世林;宋波;王昕;严仕凯;周建明;张晓兵;朱卓娅;赵志伟 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿uLED结构及其制备方法。本发明结构包括阳极、阴极、钙钛矿p型层、钙钛矿发光层、钙钛矿n型层。本发明制备方法包括首先围绕胶体量子点溶液法外延生长钙钛矿晶体，形成钙钛矿发光层，再将钙钛矿发光层用作衬底，在其上下两个端面分别生长外延层，并通过引入金属离子使上下两个外延层分别掺杂为p型层和n型层。在本发明提出的钙钛矿μLED器件中，电子和空穴在钙钛矿本征层中传输并注入量子点，而常规的量子点发光二极管电子和空穴是通过有机配位基注入量子点，功能层界面晶格不匹配，因此钙钛矿μLED电子和空穴的注入效率有很大提高
一种钙钛矿 uled 结构及其制备方法

[发明专利]一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途-CN202010304320.1在审
发明人：吴丹;王恺;刘皓宸;李文辉;昂科科觉 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：本发明涉及一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途，所述同质结钙钛矿光电探测器中包含相邻设置的N型钙钛矿薄膜和P型钙钛矿薄膜，位于所述N型钙钛矿薄膜背对所述P型钙钛矿薄膜的一侧依次设置的电子传输层和透明导电衬底，以及位于所述P型钙钛矿薄膜背对所述N型钙钛矿薄膜的一侧依次设置的空穴传输层和金属电极，本发明所述光电探测器基于同质结钙钛矿的优化，使得其内部形成内建电场，内建电场和外加电场方向相同，其共同作用，进而加强光生电子空穴对的分离和加速载流子输运
一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法用途

[发明专利]一种反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310946761.5在审
发明人：陈传露;朱鹏臣;朱嘉 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法，反型钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿膜层，所述钙钛矿膜层材料包括钙钛矿材料和添加剂，所述钙钛矿材料为形成钙钛矿ABX3该反型钙钛矿太阳能电池在钙钛矿膜层增加添加剂，通过添加剂材料与钙钛矿晶界和表面的缺陷进行锚定，有效地对钙钛矿晶界和表面缺陷进行钝化，并且减少了深能级缺陷的复合中心，进而提高电池的效率，增强电池的稳定性。
一种反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]促进高钛型高炉渣中钛富集于钙钛矿相的添加剂以及方法-CN201810362287.0在审
发明人：赵锋;曾小东;刘在波;何小波 -专利权人：四川省川威集团有限公司;四川星明能源环保科技有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及冶金技术领域，具体而言，涉及一种促进高钛型高炉渣中钛富集于钙钛矿相的添加剂以及方法。促进高钛型高炉渣中钛富集于钙钛矿相的添加剂由促进钙钛矿析出的含钙析出剂和含氟析出剂以及促进钙钛矿粗化的氧化物促进剂按照质量比为1‑3：1.5‑3：1的比例制成。该添加剂成本低廉，该添加剂能有效增加钙钛矿的粒径，有效促进高钛型高炉渣中钛组分富集到钙钛矿相，并有利于钙钛矿析出。
钙钛矿相钙钛矿高炉渣高钛添加剂富集析出析出剂氧化物促进剂冶金技术领域添加剂成本有效促进组分富集质量比粗化含氟粒径

[发明专利]一种钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法、钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法、光伏组件-CN202110927793.1在审
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;刘童 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法、钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低制备钙钛矿材料旁路二极管的难度。该钙钛矿材料旁路二极管的制备方法包括：提供一层钙钛矿材料层，对钙钛矿材料层进行处理形成P型钙钛矿材料区和N型钙钛矿材料区，从而形成钙钛矿材料旁路二极管。本发明提供的钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法、钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法、光伏组件用于制备光伏组件。
一种钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法太阳能电池组件

[发明专利]基于碳对电极的钙钛矿型电池及其制备方法-CN201410049008.7无效
发明人：杨希川 -专利权人：大连七色光太阳能科技开发有限公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳对电极的钙钛矿型电池及其制备方法，所述钙钛矿型电池包括平行、顺次连接的导电玻璃基底、TiO₂致密层、半导体纳米多孔薄膜、钙钛矿型吸光剂薄膜和导电碳薄膜。本发明所述基于碳对电极的钙钛矿型电池结构合理、紧凑，原料易得、成本低廉。本发明还提供了一种基于碳对电极的钙钛矿型电池的制备方法，该方法简单、易行，能实现基于碳对电极的钙钛矿型电池的工业化生产。
基于电极钙钛矿型电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结-CN202110180402.4在审
发明人：谭海仁;吴金龙;肖科 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体的说是一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结；所述隧穿结包括有致密的n型或p型半导体材料、隧穿复合层和p型或n型的半导体材料，且n型和p型半导体材料均分别具有电子和空穴传输能力；所述隧穿复合层为基于透明导电金属氧化物纳米晶的钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池隧穿复合层；通过本发明的一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结，通过采用导电性较好的金属氧化物纳米晶作为钙钛矿/钙钛矿叠层太阳能电池中的隧穿复合层，既提升了钙钛矿/钙钛矿叠层电池的短路电流密度，又解决了金属材料的扩散导致的电池不稳定的问题。
一种钙钛矿两端太阳能电池隧穿结

[发明专利]钙钛矿型钛基纳米薄膜光催化剂的制备方法-CN200910071461.7无效
发明人：刘佳雯;李中华;孙玥 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：钙钛矿型钛基纳米薄膜光催化剂的制备方法，它涉及一种钙钛矿型纳米薄膜的制备方法。本发明解决了钙钛矿型光催化剂在流体中分离困难的问题。方法如下：前处理；阳极氧化反应；再次阳极氧化反应；浸渍；水热反应；后处理，即得钙钛矿型钛基纳米薄膜光催化剂。本发明制备的钙钛矿型钛基纳米薄膜光催化剂具有量子尺寸效应、小尺寸效应、表面与界面效应、量子限域效应等性能。本发明方法可以使钙钛矿型钛基纳米薄膜光催化剂固载化，并且工艺简单，操作方便。
钙钛矿型钛基纳米薄膜光催化剂制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条