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[发明专利]基于钙钛矿量子点的X射线探测器及其制备方法-CN202010313327.X在审
发明人：方彦俊;魏佳军;李力奇;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及X射线探测器领域，公开了一种基于钙钛矿量子点的X射线探测器及其制备方法，该探测器中的X射线吸收层包括APbX3型铅卤钙钛矿量子点和有机半导体，通过将钙钛矿量子点作为敏化剂嵌入到有机半导体异质结中钙钛矿量子点直接将X射线高能光子转化为电子空穴，并作为闪烁体辐射发光；有机相异质结对钙钛矿的转换电荷进行转移，基于自身光电效应产生载流子，两种机制协同下提高X射线探测器的响应灵敏度，降低检测极限。本发明的探测器的制备方法为将有机半导体和钙钛矿的悬浮液雾化沉积形成X射线吸收层，得到的膜平整且降低了暗电流水平，工艺流程简单且缩减了成本。
基于钙钛矿量子射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种Π共轭离子化合物及其应用、钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池-CN202210052926.X有效
发明人：刘孝远;许宗祥 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种Π共轭离子化合物及其应用、钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池。本发明提供的Π共轭离子化合物阴离子在埋底界面出现富集(电子传输层/钙钛矿界面)，使得Π共轭阳离子贯穿整个钙钛矿薄膜及表面，在钙钛矿薄膜成膜过程中阴阳离子自发分布。在平面异质结钙钛矿太阳能电池中应用该类添加剂，可获得高质量钙钛矿薄膜，同时可改善钙钛矿相邻两个界面的能级匹配程度，减少能量损失，实现高开路电压、高光电转化效率、良好稳定性的钙钛矿太阳能电池。
一种共轭离子化合物及其应用钙钛矿薄膜制备方法太阳能电池

[发明专利]一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法-CN201710010843.3有效
发明人：吴朝新;焦博;吴稳;郗凯;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法，本发明基于有机无机复合钙钛矿材料的平面异质结发光二极管，具体结构依次为基片、透明阳极、超薄绝缘层1、有机无机钙钛矿发光层、超薄绝缘层2、电子传输层和阴极相比于无超薄绝缘层1与超薄绝缘层2的平面异质结钙钛矿发光二极管器件，本发明涉及的发光二极管具有高的电流效率与功率效率，提高20倍以上。本发明公开的二极管结构是一种针对有机无机复合钙钛矿材料的理想器件结构。
有机无机复合超薄绝缘层发光二极管器件钙钛矿钙钛矿材料制备异质结发光二极管阴极电子传输层二极管结构发光二极管无机钙钛矿电流效率功率效率理想器件透明阳极发光层异质结

[发明专利]环境条件下印刷制备平面异质结钙钛矿太阳电池的方法-CN201810637667.0有效
发明人：阳军亮;欧阳邦;黄可卿;程羽雕;彭勇宜;李恒月;龚辰迪 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种环境条件下印刷制备高效平面异质结钙钛矿太阳电池的方法，钙钛矿太阳电池包括透明导电基底、电子传输层、钙钛矿材料光吸收层、空穴传输层以及电极五部分。本发明的制备方法是在空气环境氛围中使用基底辅助加热的方式，两步连续刮涂制备钙钛矿薄膜，从而得到连续、致密的钙钛矿材料光吸收层。
环境条件下印刷制备平面异质结钙钛矿太阳电池方法

[发明专利]一种PN异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111595116.0有效
发明人：李梦洁;赵志国;赵东明;秦校军;丁坤;刘家梁;熊继光 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种PN异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池，包括依次设置的衬底、金属背电极、P型硒化锑层、N型钙钛矿吸收层与导电电极。与现有技术相比，本发明将多个带隙不同的光吸收剂组成多结太阳能电池，不仅可以拓宽太阳光谱的利用范围，同时可以降低光生载流子的热驰豫损失，提高光电转换效率；并且本发明通过PN异质结Sb2Se3/钙钛矿吸收层，无需电子传输层与空穴传输层等，减少工艺制备步骤和成本，同时提高了电池稳定性。
一种 pn 异质结硒化锑钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池-CN202310120551.0在审
发明人：李卫;冯良桓;武莉莉;曾广根 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池，所述双异质结太阳电池的主体是由宽带隙的硫属化合物薄膜作为吸收层的顶电池和由窄带隙的钙钛矿薄膜作为吸收层的底电池构成。顶电池的基本结构为透明导电氧化物薄膜/窗口层/硫属化合物/电子反射层，底电池的基本结构为电子传输层/钙钛矿薄膜/空穴传输层。以这种结构为基础，可以构成两端双结串联结构和四端双结串联结构，还可以构成三端并联结构，而三端并联结构还可以制备成单面太阳电池和双面太阳电池。这一系列太阳电池的主要特点是能提高含有机钙钛矿薄膜的太阳电池的稳定性，使该结构获得的高转换效率得以长期保持。
一种化合物钙钛矿薄膜双异质结太阳电池

[发明专利]一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用-CN201610244438.3有效
发明人：李永舫;王彬彬;张志国 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用。所述钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)配制供体A和供体B的溶液，经搅拌得到钙钛矿前体溶液；2)在空气气氛中，将钙钛矿前体溶液旋涂于基底上，得到设有钙钛矿活性层的基底；3)设有钙钛矿活性层的基底经下述a)或b)或c)处理即得钙钛矿晶体薄膜：a)在空气中放置，直至钙钛矿活性层变为黑色；b)在空气中进行热退火，直至钙钛矿活性层变为黑色；c)在空气中，采用水蒸汽调控设有钙钛矿活性层的基底所在体系的湿度，对钙钛矿活性层进行水蒸汽退火处理，直至钙钛矿活性层变为黑色。利用该方法制备的平面异质结钙钛矿电池的光电转化效率达到16.4％，高于大多数热退火工艺得到的电池效率。
钙钛矿活性层钙钛矿晶体水蒸汽基底制备薄膜退火前体溶液热退火供体光电转化效率电池效率空气气氛退火处理异质结旋涂配制应用电池调控

[发明专利]一种钙钛矿/氧化锌异质结构发光材料及其制备方法-CN202110403850.6有效
发明人：徐庶;张璐璐;刘懿萱;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明为一种钙钛矿/氧化锌异质结构发光材料及其制备方法，该发光材料包括钙钛矿纳米晶和包覆在钙钛矿纳米晶表面的氧化锌。通过有机锌与修饰有机羧酸根配体的钙钛矿相结合在钙钛矿表面形成氧化锌过渡层，再结合氧源反应逐步生长形成钙钛矿/氧化锌异质结构。钙钛矿/氧化锌II型异质结构纳米晶材料波长调控步长1nm，能获得近紫外、可见光、到近红外光谱连续可调，且稳定的钙钛矿纳米晶。所制备的钙钛矿/氧化锌异质结构纳米晶较传统I基以及Br/I混杂的黄、橙和红光钙钛矿纳米晶的稳定性得到较大提升。
一种钙钛矿氧化锌结构发光材料及其制备方法

[发明专利]可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201410268785.0在审
发明人：谭占鳌;李聪;于露;屈江江 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，特别涉及一种可溶液加工的平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法。所述平面异质结钙钛矿太阳电池中阴极修饰层的材质为金属的乙酰丙酮螯合物膜材料。本发明的钙钛矿太阳电池的制备也具有工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
溶液加工平面异质结钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种具有功能特性的异质结场效应管-CN200810118114.0有效
发明人：吕惠宾;杨芳;何萌;金奎娟;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有功能特性的异质结场效应管，包括在n型或p型衬底1上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极源极和漏极还可以由两层或两层以上的钙钛矿氧化物p-n异质结材料组成。本发明提供的硅和氧化物场效应管不仅把钙钛矿氧化物和硅电子学结合起来，具有功能特性。
一种具有功能特性异质结场效应

[发明专利]钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池-CN201611256820.2有效
发明人：薛超;高鹏;张无迪;刘如斌;孙强;肖志斌;王宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池；其特征在于：包括如下步骤：步骤1、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池；步骤2、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线；步骤3、通过金属键合工艺将多结砷化镓电池和钙钛矿电池键合集成在一起。本发明采用高禁带宽度的钙钛矿太阳能电池作为子电池代替多结砷化镓太阳能电池的顶电池，解决三结以上多结砷化镓太阳能电池高禁带宽度的顶电池制备困难的问题。显著提高了三结以上多结砷化镓太阳能电池的光电转换效率。采用金属键合的方式，将钙钛矿太阳能电池和多结砷化镓太阳能电池通过金属栅线级联起来，方便的实现了异质集成，工艺成熟重复性好。
钙钛矿砷化镓异质集成太阳能电池制造方法电池

[发明专利]一种基于ReSe2-CN202110842986.7在审
发明人：肖静;林志涛 -专利权人：泰山学院
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器，包括SiO23钙钛矿量子点。本发明基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器在可见光波段借助于CsPbI3钙钛矿量子点的光生电子效应表现出各向同性的特征，而在近红外波段CsPbI3钙钛矿量子点可视作透明材料，借助于二硒化铼纳米片的光生电子效应和各向异性效应，从而表现出各向异性特性。本发明还提供了基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器的制备方法。
一种基于 rese base sub

[发明专利]一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法-CN202010554890.6有效
发明人：谷怀民;许文竹 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测领域，公开了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，包括衬底、氮化镓薄膜、钙钛矿层、第一金属电极、第二金属电极，还包括卤素基二维材料层；所述衬底上依次为第一金属电极、钙钛矿层、氮化镓薄膜、卤素基二维材料层、第二金属电极；所述的钙钛矿层与氮化镓薄膜形成异质结，所述的卤素基二维材料层与氮化镓薄膜也形成异质结；本发明提供一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，通过构建钙钛矿/GaN/PbI2双异质结结构，来加强PbI2/GaN界面光生载流子的高效分离，使光导增益更大；本发明还提供了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器的制备方法
一种基于二维材料氮化薄膜双异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于紫外光屏蔽层的钙钛矿光伏电池-CN201710370032.4有效
发明人：蔡荣杰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳市景方盈科技有限公司;蔡荣杰
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于紫外光屏蔽层的钙钛矿光伏电池，包括ITO导电玻璃基底、紫外光屏蔽层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和反射电极组成；所述的紫外屏光蔽层由N个依次层叠的m‑MTDATA/F16CuPc异质结所组成。本发明能够显著提高钙钛矿光伏电池的工作寿命。
钙钛矿紫外光屏蔽层光伏电池电子传输层空穴传输层反射电极工作寿命光吸收层依次层叠异质结基底

[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法-CN201510802027.7在审
发明人：田汉民;戎小莹;毕文刚;金慧娇;张天;杨瑞霞;王伟;花中秋;杨帆;张明兰 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-11-15 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池
一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池制备方法

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