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[发明专利]一种掺杂N-氯代丁二酰亚胺的二氧化锡电子传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202311012170.7在审
发明人： 阳军亮;丁洋 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K71/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂N‑氯代丁二酰亚胺的二氧化锡电子传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及光伏电子领域。本发明通过在二氧化锡的前驱体溶液中掺杂N‑氯代丁二酰亚胺来优化钙钛矿太阳能电池的埋底界面；掺杂后的二氧化锡具有与钙钛矿层更匹配的能级结构，促进了载流子在界面处的分离与传输，提高器件的光电转换效率；掺杂剂的引入还同时钝化了氧化锡表面与钙钛矿埋底界面缺陷，提高了器件的填充因子；掺杂剂的使用还有效释放了钙钛矿薄膜的残余应力，进一步提高了器件的光电性能和稳定性。
一种掺杂氯代丁二酰亚胺氧化电子传输钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]反溶剂气刀装置、利用该装置制备钙钛矿活性层的方法及包含该钙钛矿活性层的太阳能电池-CN202310965531.3在审
发明人： 阳军亮;高远基;龙操玉;常建辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种反溶剂气刀装置、利用该装置制备钙钛矿活性层的方法及包含该钙钛矿活性层的太阳能电池，反溶剂气刀装置包括洗气瓶、流量计、硬气管、惰性气体和气刀；洗气瓶盛有反溶剂，硬气管包括第一硬气管和第二硬气管，第二硬气管通过气管三通并联在第一硬气管上；惰性气体分两路，一路通过第一硬气管经由第二硬气管进入洗气瓶中的反溶剂内，反溶剂气体在惰性气体的作用下，依次经由洗气瓶的出气口、第二硬气管、第一硬气管到达气刀，另一路通过所述第一硬气管达到气刀。本发明通过用反溶剂气体产生装置产生的反溶剂气刀处理钙钛矿前驱体表面，可以加速钙钛矿结晶，从而获得大面积高质量的钙钛矿薄膜，提高太阳电池组件的能量转换效率。
溶剂装置利用制备钙钛矿活性方法包含太阳能电池

[发明专利]一种高速信号数据采集及显示方法-CN202310886933.4在审
发明人：徐效文;边照龙;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开实施例中提供了一种高速信号数据采集及显示方法，属于数据处理技术领域，具体包括：步骤1，采集电压形式数据；步骤2，第一FIFO将电压形式数据进行数据同步；步骤3，将单沿信号采样输入转换为双沿采样输出；步骤4，通过打拍完成抽样；步骤5，FPGA将抽样后的数据预先存储在第二FIFO中，在触发信号未到来之前，第二FIFO边读边写，持续写入但读出的数据舍弃，触发信号到来时，数据开始写入第三FIFO，接收到ARM的使能信号时，第三FIFO的数据开始传输到ARM进行显示；步骤6，重复步骤2至5，实现持续的高速信号数据采集和显示。通过本公开的方案，降低了成本、提高了处理速度和适用性。
一种高速信号数据采集显示方法

[发明专利]一种金纳米粒子掺杂二氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310711351.2在审
发明人： 阳军亮;龙操玉;李恒月 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10K30/85 文献下载
摘要：本发明提供了一种金纳米粒子掺杂二氧化锡电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池领域。该方法通过采用金纳米粒子作为SnO2电子传输层的添加剂，来制备出SnO2‑Au电子传输层；该电子传输层的导电性得到极大的增强，因此减小了电荷复合，促进了电荷传输；同时，掺杂的金纳米粒子还可以增加的SnO2透光率，进而增强了上层钙钛矿的光吸收，使得钙钛矿器件的效率得到了明显的提升。本发明的制备方法简单，克服了电荷传输层掺杂导电性和透光率之间的矛盾，为提高钙钛矿光伏器件的能量转换效率提供了一种通用的方法。
一种纳米粒子掺杂氧化电子传输钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种固态铝电解电容器及其制备方法-CN202310528372.0在审
发明人：胡拥军;阳军亮;彭帅凡 -专利权人：益阳市安兴电子有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：一种固态铝电解电容器，包括外壳和芯包，芯包由阳极箔、电解纸和阴极箔卷绕而成，阳极箔和阴极箔之间形成有导电高分子聚合物，导电高分子聚合物中掺杂有聚氧乙烯十六烷基醚；聚氧乙烯十六烷基醚占导电高分子聚合物总重量的0.1%‑5%；导电高分子聚合物为PEDOT:PSS。在本发明中通过对PEDOT:PSS进行聚氧乙烯十六烷基醚的掺杂能够有效的提高导电高分子聚合物的电导率，从而降低电容器的内阻。
一种固态铝电解电容器及其制备方法

[发明专利]一种叠层介电材料及其制备方法与应用-CN202310255291.8在审
发明人：孙佳;刘婉蓉;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层介电材料及其制备方法与应用，属于有机电子器件技术领域。该材料具有三层或多层的氧化铪(H)/氧化锆(Z)/氧化铪(H)叠层介电结构；该方法通过依次溅射沉积一层氧化铪薄膜、一层氧化锆薄膜，如此反复溅射沉积；此外，该材料在有机晶体管中的应用，该有机晶体管包括自下至上依次设置的基底、介电层(该材料)、有机半导体层和源、漏电极。该有机晶体管的工作电压低，可以降低有机晶体管的亚阈值摆幅至理论物理极限值(甚至突破理论物理极限值)，制备的堆叠栅介质具有高K介电常数和优异的绝缘性。
一种叠层介电材料及其制备方法应用

[发明专利]一种柔性有机突触晶体管阵列及其制备方法-CN202211648762.3在审
发明人：孙佳;徐运超;靳晨星;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10K19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性有机突触晶体管阵列及其制备方法，柔性有机突触晶体管阵列包括柔性基板和阵列设置在柔性基底上的多个相互独立的突触晶体管；突触晶体管包括设置在柔性基底上的有源层和栅电极，有源层上设置有源电极和漏电极，任一突触晶体管的有源层、源电极、漏电极、栅电极以及对应下方的柔性基底作为整体部件，整体部件上覆盖栅介质层；其中，所述有源层的材料为有机聚合物；栅介质层的材料为高分子聚合物、离子液和丙酮配制而成的离子凝胶；栅介质层通过丝网印刷制成；有源层需要激光刻蚀图案化。本发明提供的一种柔性有机突触晶体管阵列具有性能稳定、制作流程简单、经济有效的、具有特殊性能的优点。
一种柔性有机突触晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]一种锂离子固态电解质栅介质调控晶体管及其制备方法-CN202211303883.4在审
发明人：孙佳;刘鉴洲;阳军亮;徐运超;王舒扬;邓忠辉;石一鸣;陈文仲;于浩然 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种固态电解质栅介质调控晶体管及其制备方法，从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层，所述有源层上设置有源电极和漏电极，所述绝缘层的材料包括锂离子固态电解质薄膜。本发明利用锂离子固态电解质作栅介质，该类电解质具有良好的离子导电性，适合于大部分晶体管器件，得到的晶体管拥有较好的工作性能，较低的工作电压以及能适应较苛刻的工作环境。本发明中的锂离子固态电解质可以为半导体中的电子流通提供通道，导通压降较其他栅介质低，且性质稳定，保存时间长，具有较优异的工作性能，可适应高低温，突触特性明显。
一种锂离子固态电解质介质调控晶体管及其制备方法

[发明专利]一种自供能双向光控突触晶体管及其应用-CN202211474448.8在审
发明人：孙佳;杨胜兰;靳晨星;阳军亮;丁洋 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10K39/12 文献下载
摘要：本发明提供一种自供能光控突触晶体管及其应用，自供能双向光控突触晶体管包括人工突触晶体管、钙钛矿太阳能电池一、钙钛矿太阳能电池二；钙钛矿太阳能电池一的阴极通过导线与人工突触晶体管的栅电极连接，其阳极通过导线与人工突触晶体管的源电极连接；钙钛矿太阳能电池二的阴极通过导线与人工突触晶体管的源电极连接，其阳极通过导线与人工突触晶体管的另一栅电极连接。本发明不仅通过钙钛矿太阳能电池与人工突触晶体管栅电极连接实现了自供能概念，而且通过控制钙钛矿太阳能电池的阴阳极与人工突触晶体管的连接方式，在人工突触晶体管上实现了正负电导效应，从而实现了在人工突触晶体管上的双向调控神经形态行为。
一种自供双向光控突触晶体管及其应用

[发明专利]一种类金字塔形CsPbBr3-CN202111076601.7有效
发明人：代国章;李行;刘标;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜及其制备方法和应用，复合薄膜的基体由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成，类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒由CsPbBr3一次颗粒堆叠而成，复合薄膜还包括苯并噻吩；制备方法包括如下步骤：（1）气相法制备由类金字塔形的CsPbBr3二次颗粒组成的CsPbBr3基体薄膜；（2）将苯并噻吩溶解在有机溶剂中；（3）在CsPbBr3基体薄膜上旋涂苯并噻吩有机溶液，得到类金字塔形CsPbBr3/苯并噻吩复合薄膜。本发明采用化学气相沉积法制备CsPbBr3，避免了溶液法的溶剂对CsPbBr3结晶的负面影响，通过优化生长、控制沉积温度对于CsPbBr3微结构调控和与有机半导体C8BTBT构建异质结来提升CsPbBr3光电子器件性能和稳定性。
种类金字塔 cspbbr base sub

[发明专利]高湿度空气中一步法印刷制备钙钛矿太阳能电池的方法-CN202210841363.2在审
发明人： 阳军亮;李恒月 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种高湿度空气中一步法印刷制备钙钛矿太阳能电池的方法。本发明的制备方法是利用离子液体与钙钛矿生成的中间体为钙钛矿提供成核位点，脲基分子与钙钛矿的相互作用调节钙钛矿薄膜的生长，同时钝化钙钛矿薄膜缺陷，辅助基底原位加热和氮气吹气，在湿度超过80％空气中一步法刮涂制备连续光滑的钙钛矿薄膜。该方法操作简单、成本低、可大面积制备以及输出产品效率高等优异特点，具有广阔的应用前景。
湿度空气一步法印刷制备钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]一种可穿戴织物应变传感器及其制备方法和应用-CN202210667037.4在审
发明人： 阳军亮;曾祥辉;何培 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种可穿戴织物应变传感器及其制备方法和应用，可穿戴织物应变传感器为层状结构，其包括修饰织物以及覆于修饰织物一侧表面的碳基油墨导电薄膜；修饰织物包括织物基底以及热熔固化在织物基底面向碳基油墨导电薄膜的一面的转印纸，碳基油墨导电薄膜上连接有导电电极。制备方法包括以下步骤：(a)将转印纸热熔固化到织物基底表面形成修饰层，得修饰织物；(b)通过丝网印刷的方式将碳基油墨承印在修饰织物上，并进行若干次印刷；(c)将所得织物基导电薄膜辊压，再连接导电电极。本发明可穿戴织物应变传感器具有响应范围广、循环性能稳定、可水下工作等特点，将传感器贴于人体皮肤表面可以实现对肢体不同运动幅度的识别。
一种穿戴织物应变传感器及其制备方法应用

[发明专利]介电材料、有机晶体管及其制备方法-CN202111072887.1有效
发明人：孙佳;刘婉蓉;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电材料、有机晶体管及其制备方法；介电材料由以下制备方法制成：以金属单质或金属混合物作为靶材，采用磁控溅射工艺对所述靶材进行处理，并在处理过程中通入反应气体和溅射气体，处理设定时间后即得到所述介电材料；有机晶体管包括自下至上依次设置的基底、介电层、有机半导体层和电极，其中介电层的材料为上述方法制得的介电材料。本发明大大简化了高K介电材料的制备工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于高绝缘性能介电材料的产业化生产，制得的介电材料具有良好的绝缘性能，采用本发明制备的介电材料生产的有机晶体管工作电压仅3V，电流开关比可达到107，亚阈值摆幅SS接近理论极限。
材料有机晶体管及其制备方法

[发明专利]多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架-CN202111653668.2在审
发明人： 阳军亮;周辉;周武;刘波;汪炼成;李舀 -专利权人：昆山弗莱吉电子科技有限公司;中南大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。
多层铝合金引线框架制备方法以及

[发明专利]一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法-CN202111650011.0在审
发明人：孙佳;靳晨星;阳军亮;周博升 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法，晶体管包括基底和设置于基底之上的半导体层；半导体层上连接有电极，半导体层的全部和电极的部分被一栅介质层包覆，电极一端埋置于栅介质层内，另一端伸出至栅介质层外；半导体层为金属氧化物半导体层；栅介质层为离子胶固化得到的高单位电容栅介质。晶体管具备在单一金属氧化物半导体层晶体管中呈现负光电导现象。本发明使用特定的掩膜，采用磁控溅射制备半导体层阵列；采用热蒸发法沉积电极层阵列；最后通过丝网印刷栅介质层阵列。简化了工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于晶体管阵列产业化生产，制得的晶体管拥有较大的回滞窗口，电流开关比可达到104，回扫亚阈值摆幅SS小于60mV/decade。
一种具有电导效应晶体管及其制备方法

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