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[发明专利]金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管-CN201210562498.1有效
发明人：贠伦刚;黄安;田鹏博 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
硅共晶芯片焊接方法晶体管

[发明专利]一种高导热的功率器件封装结构和制作方法-CN201610709649.X在审
发明人：李琳松;张耀辉 -专利权人：昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高导热的功率器件封装结构，功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底；同时也公开了该结构的制作方法，包括步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；步骤2，将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层，进行金硅或金锗共晶焊。本发明通过优化非硅和非锗衬底功率器件背金工艺和热沉镀层工艺，实现高导热的金硅共金焊，可以满足大功率散热需求的低成本封装方法。
一种导热功率器件封装结构制作方法

[发明专利]一种低成本的大功率电子器件封装工艺-CN201410257016.0有效
发明人：马文珍;张耀辉;曾大杰;彭虎 -专利权人：昆山华太电子技术有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本大功率电子器件封装工艺，准备好封装大功率电子器件的芯片和法兰，在芯片背面制作厚金层或者金锡层，在法兰表面先镀镍层，再镀薄金层，芯片和法兰之间通过金硅共晶焊或者金锡共晶焊贴片。本发明所述的低成本大功率电子器件封装工艺在芯片背面制备厚金层或者金锡层，在法兰表面镀薄金，既可以达到良好的金硅共晶焊和金锡共晶焊效果，减小芯片和法兰之间热界面层的空洞率，保证芯片的散热效率，又可以大幅度的降低封装工艺中的镀金成本
一种低成本大功率电子器件封装工艺

[发明专利]金/硅共晶芯片键合方法-CN200710187345.2有效
发明人：刘凯;孙明 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接金/硅共晶芯片键合方法，该方法包括芯片键合区镀金，将晶片研磨到所需要的厚度，研磨步骤后的晶片切割，拾取芯片，和在高于金/硅共晶温度的温度下将芯片附贴到芯片键合区的各个步骤。
硅共晶芯片方法

[实用新型]可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构-CN201320272682.2有效
发明人：王仁书;徐永平 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构，属于半导体器件技术领域。其特征是，P型硅半导体基材背面设有III族元素原子与金及P型硅半导体材料的多元合金层，在多元合金层上设有金金属层或再在金金属层上设有SnCu或SnSb金属层，所述多元合金层厚度为0.02-0.3微米。金金属层厚度为1-2微米。本实用新型结构合理，提高背面的掺杂浓度,实现了背面高浓度与金属化的有机结合。进一步降低了半导体芯片的压降，实现了可满足共晶工艺的P型硅半导体芯片背面金属化结构。一方面降低了P型硅半导体芯片的压降，另一方面满足了半导体芯片封装共晶焊接工艺的要求。
用于共晶焊器件芯片背面金属化结构

[发明专利]LED倒装芯片的制备方法-CN200510110475.7有效
发明人：董志江;靳彩霞;周武;丁晓民;黄素梅 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED倒装芯片的制备方法，首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅衬底，并在硅衬底上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层，并在所述金导电层及引出导电层制作出超声金丝球焊点；然后，利用共晶焊接设备倒装机，将大尺寸LED芯片与硅衬底焊接在一起。
led 倒装芯片制备方法

[发明专利]一种硅基芯片的多层基板堆叠的封装体及堆叠封装方法-CN202210445083.X在审
发明人：邓小峰;聂宝敏;王世芳;王兵兵 -专利权人：四川九洲电器集团有限责任公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基芯片的多层基板堆叠的封装体及堆叠封装方法，属于微组装技术领域，解决了现有技术中的芯片散热效果差、连接可靠性差、使用面积大等问题。该封装体中，中间基板上开设通孔，硅基芯片置于通孔中；硅基芯片正面通过金凸点与底层基板键合形成电气连接，硅基芯片背面与顶层基板之间在封装过程中形成金硅共晶层。该方法包括如下步骤：将硅基芯片背面与顶层基板进行金硅共晶；在硅基芯片正面制作金凸点；将硅基芯片置于通孔中，中间基板的正面与顶层基板连接形成电气通路；底层基板与具有金凸点的硅基芯片部分键合，中间基板背面与底层基板连接该封装体及封装方法可用于硅基芯片的封装。
一种芯片多层堆叠封装方法

[发明专利]可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法-CN201310184970.7有效
发明人：徐永平;王仁书;张俊 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化方法，该方法包括：一，将需要进行背面共晶焊金属化的P型硅半导体基材面减薄；二，对步骤一的减薄面进行化学腐蚀或抛光；三，将步骤二经过化学腐蚀或抛光面用稀氢氟酸清洗，然后用DI水冲洗；四，将完成步骤三的半导体基材甩干；五，对完成步骤四的半导体基材的化学腐蚀或抛光面，采用蒸发或溅射的方法依次蒸发或溅射金镓合金或金铝合金或金铟合金、金；六，将完成步骤五的半导体基材在370℃-420℃、气氛为N2或H2环境下合金，制得可用于共晶焊的P型硅器件芯片。该方法进一步提高了P型硅半导体表面掺杂浓度，降低了P型硅半导体基材与金属层的接触电阻及芯片工作压降。
用于共晶焊器件芯片背面金属化方法

[发明专利]一种利用硅废料和锰矿制备Si-Mn合金的方法-CN202011530454.1在审
发明人：雷云;何勇;马文会;郇朝阳;赵泽华;雷敏鹏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硅废料和锰矿制备Si‑Mn合金的方法，属于固废资源利用和材料制备技术领域。本发明将硅废料、锰矿和造渣剂混合，进行高温熔炼，经渣金分离后得到Si‑Mn合金和废渣；在真空或惰性气氛下，将Si‑Mn合金经定向凝固或区域熔炼进行分离和提纯得到高纯硅和共晶硅锰合金，或者硅锰金属间化合物和共晶硅锰合金本发明可以回收利用工业生产中的硅废料，处理低品位锰矿，制备硅锰合金和高纯硅，或者硅锰金属间化合物和共晶硅锰合金材料。
一种利用废料锰矿制备 si mn 合金方法

[发明专利]基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法-CN201710891111.X在审
发明人：李国强;李洁 -专利权人：佛山市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法。该方法包括以下步骤1清洗处理外延层，制备第一粘附层、键合层；步骤2在转移硅衬底上制备粘附层、阻挡层、键合层；步骤3金锡双面共晶键合；步骤4剥离生长衬底，得到转移后的外延层硅衬底材料。本发明提出了金锡双面共晶键合的结构，改善了键合效果；同时，表面Au层保护Sn不被氧化；Ti做阻挡层很好地阻止Sn的扩散，穿过阻挡层破坏键合结构。本发明中所述制备方法通过形成可靠的金锡合金，减小键合层空洞，提升了键合质量，避免了键合失效，实现了外延层到硅衬底的无损转移。有利于发挥理想的半导体特性，制备成大规模、功能齐全的微电子和光电子集成器件。
基于双面共晶键合外延转移方法

[发明专利]一种共晶焊的硅金属化的金属件及其金属化工艺-CN201310550563.3有效
发明人：徐谦刚;张志向;杜林德;蒲耀川;薛建国;王丽华 -专利权人：天水天光半导体有限责任公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种降低共晶焊工艺过程中硅芯片与框架孔洞率和金属结构成本、提高焊接良率和焊接拉力的共晶焊的硅金属化的金属件。本发明的共晶焊的硅金属化的金属件采用Ti、Ni、SnAg、Au金属结构，Ti作为粘附层金属，起到与硅和上层金属Ni的粘附，Ni为阻挡层金属，防止上层金属SnAg合金渗透到硅。SnAg合金为粘附层金属，Sn熔点231.8℃，Ag熔点980℃，SnAg按质量分数为Sn55-65%、Ag35-45%组合，就能够形成共晶焊温度为380-450℃合金体。金为保护层金属，防止SnAg合金氧化。本发明降低了共晶焊工艺过程中硅芯片与框架孔洞率和金属结构成本，提高了焊接良率和焊接拉力，使得该发明产品在应用中有高的可靠性。
一种共晶焊金属化金属件及其工艺

[发明专利]一种含有金硅合金的太阳能电池导电浆料及应用-CN202210151392.6在审
发明人：田锐 -专利权人：江苏日御光伏新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有金硅合金的太阳能电池导电浆料及应用，属于导电浆料领域。基于导电浆料的重量，所述含有金硅合金的太阳能电池导电浆料包括80％～90％的第一金属和第二金属的组合物；玻璃料0.1～10％，和余量有机载体；其中，所述第一金属为银、铜、镍、铝中的任一种或几种，所述第二金属为金‑硅合金或含有金‑硅的三元及三元以上合金。本发明的金硅合金的共熔点为363℃，当金硅合金加热到363℃，部分合金或是全部合金会熔化，流动到金属和硅片的界面，与硅片进一步共晶熔化，为金属层和硅片之间建立欧姆接触，从而有利于降低电阻。
一种含有合金太阳能电池导电浆料应用

[实用新型]一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构-CN201521025203.2有效
发明人：黄赛琴;林勇;黄国灿;陈轮兴 -专利权人：福建安特微电子有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构，包括共晶硅芯片、粘附层、过渡层、焊接层、焊料和焊接铜框架，所述粘附层通过磁控溅射法溅射在共晶硅芯片的背面上，所述焊接层通过电子束蒸发工艺镀膜在过渡层上本实用新型为避免粘附层和焊接层这两种金属之间出现相互扩散现象，需要在这两中金属薄膜之间加入金属薄膜作为过渡金层，过渡金层可以减少这两层金属薄膜间产生的热应力，热稳定性好，导热和导电性能要好，而且当粘附层和焊接层之间附着力较弱的情况下
一种可靠功率器件共晶硅背面金属化结构

[发明专利]基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法-CN201010151647.6有效
发明人：张志红;熊化兵;何开全;朱虹娇;赵光辉;李茂松;胡琼 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金锡共晶的谐振型压力传感器芯片局部真空封装方法。本发明方法采用电镀和溅射淀积Sn/Au层，利用金锡合金在加热时的等温凝固和共晶反应，来实现局部真空封装，能使局部真空封装的成品率达到99％。与常规铅锡共晶烧结和硅玻璃的局部真空封装方法相比，具有金锡层的厚度均匀性好、传感器芯片的使用寿命提高等特点，是一种新颖的的芯片局部真空封装方法。
基于金锡共晶谐振压力传感器芯片局部真空封装方法

[发明专利]厚膜基板无焊料共晶贴装方法-CN201410579029.X有效
发明人：李杰;车勤;陈希龙;刘昕 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜基板无焊料共晶贴装方法，对基板进行加热，使用芯片吸头拾取芯片，并将芯片对准基板上的焊接区域，在焊接区域上按一定方向进行摩擦，直至芯片的硅材料与基板的金熔合形成金硅共晶体，冷却后形成焊接界面本发明实现无焊料的共晶焊焊接，有效的降低成本；芯片与基板直接熔合，具有较高的导电率和导热率，改善了电路的性能，可以用于大功率电路；无须进行焊料的涂覆、印刷、焊片的裁剪，生产效率得以提高；芯片硅材料直接与基板导体熔合
厚膜基板无焊料共晶贴装方法

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