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[发明专利]等离子显示面板-CN201180013962.5无效
发明人：三浦正范;辻田卓司;后藤真志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01J11/40 文献下载
摘要：在等离子显示面板中，在保护层(9)的基底层(91)上，遍布整个面地分散配置有凝集了多个氧化镁的结晶粒子(92a)而成的凝集粒子(92)以及金属氧化物粒子(93)。金属氧化物粒子(93)包含从由氧化镁、氧化钙、氧化锶以及氧化钡构成的群之中选出的至少2种金属氧化物。金属氧化物粒子(93)的特定方位面的X射线衍射分析的衍射角峰值，处于金属氧化物粒子(93)所包含的2种金属氧化物之中的一种金属氧化物的特定方位面的X射线衍射分析的衍射角峰值、和另一种金属氧化物的特定方位面的
等离子显示面板

[发明专利]多层包覆粉末及其生产方法-CN97196396.7有效
发明人：中塚胜人;新子贵史 -专利权人：日铁矿业株式会社;中塚胜人
申请日： 1997-06-06 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：在用两层或多层金属氧化物等包覆一种金属、金属氧化物等基体粉末形成多层包覆粉末的工艺中，金属氧化物等的膜是通过一种廉价的金属盐的分解等形成的。这一点是通过以下方法实现的，当发生能够产生酸等的金属盐分解反应等时，使得粉末颗粒不被酸腐蚀。多层包覆粉末的多层膜包括至少一层由一种金属醇盐的水解形成的金属氢氧化物或金属氧化物膜组成的层，作为沉积在上述层之外的一层是一层由金属盐的反应(如中和反应或热解反应)形成的金属氢氧化物或金属氧化物膜组成的包覆膜通过加热，由金属醇盐水解形成的这种金属氢氧化物或金属氧化物膜变成一种致密的金属氧化物膜。
多层粉末及其生产方法

[发明专利]金属氧化物膜形成性组合物、使用其的金属氧化物膜的制造方法、及使金属氧化物膜的体积收缩率降低的方法-CN202180085571.8在审
发明人：山内贤一;野田国宏;盐田大 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B82Y30/00 文献下载
摘要：本发明提供金属氧化物膜形成性组合物、使用其的金属氧化物膜的制造方法、及使金属氧化物膜的体积收缩率降低的方法，所述金属氧化物膜形成性组合物提供在400℃以下的加热时体积收缩被抑制的金属氧化物膜。本发明涉及的金属氧化物膜形成性组合物含有金属氧化物纳米团簇、封盖剂、基材和溶剂，前述金属氧化物纳米团簇的尺寸为5nm以下，前述封盖剂包含选自由烷氧基硅烷、酚、醇、羧酸及羧酰卤组成的组中的至少一种，在前述金属氧化物膜形成性组合物的固态成分中
金属氧化物形成组合使用制造方法体积收缩降低

[发明专利]一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘及其制备方法-CN201210197011.4有效
发明人：梁怀均;袁英 -专利权人：安阳朗都电气有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体芯片电极焊盘，它包括金属氧化物半导体芯片，金属氧化物半导体芯片的两侧为电极焊盘材料共晶体层，电极焊盘材料共晶体层的外侧为电极焊盘；其中，电极焊盘材料共晶体层由金属氧化物半导体芯片材料与电极焊盘材料共同构成本发明金属氧化物半导体芯片与电极焊盘之间的共晶体层中减少了杂质，使金属氧化物半导体芯片的性能更稳定；去除了金属氧化物半导体芯片电极焊盘中的杂质、空洞和间隙，使金属氧化物半导体芯片在脉冲电流冲击下不会发生爆炸损坏，提高了金属氧化物半导体芯片的通流能力；减少了电极焊盘的加速氧化，提高了金属氧化物半导体芯片电极焊盘的可焊性。
一种金属氧化物半导体芯片电极及其制备方法

[发明专利]基于氧化铝泡沫陶瓷载体的臭氧氧化催化剂及其制备方法-CN201710666958.8在审
发明人：石伟;杜庆洋;蒋延梅;荣颖慧;刘晓静;牛克胜;刘爱宝 -专利权人：光大水务（深圳）有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氧化铝泡沫陶瓷载体的臭氧氧化催化剂，所述基于氧化铝泡沫陶瓷载体的臭氧氧化催化剂为氧化铝泡沫陶瓷负载的金属氧化物，其中，所述金属氧化物为铁氧化物、铜氧化物、钌氧化物、铈氧化物、钴氧化物、锰氧化物、镍氧化物中的至少一种。
氧化铝泡沫陶瓷臭氧氧化催化剂金属氧化物锰氧化物镍氧化物铁氧化物铜氧化物钌氧化物钴氧化物铈氧化物制备

[发明专利]基于活性γ-氧化铝球载体的臭氧氧化催化剂及其制备方法-CN201710668026.7在审
发明人：石伟;蒋延梅;刘爱宝;荣颖慧;刘晓静;王冠平;杜庆洋 -专利权人：光大水务（深圳）有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于活性γ‑氧化铝球载体的臭氧氧化催化剂，所述基于活性γ‑氧化铝球载体的臭氧氧化催化剂为活性γ‑氧化铝球负载的金属氧化物，其中，所述金属氧化物为铁氧化物、铜氧化物、钌氧化物、铈氧化物、钴氧化物、锰氧化物、镍氧化物中的至少一种。
活性γ -氧化铝臭氧氧化氧化铝球催化剂金属氧化物锰氧化物镍氧化物铁氧化物铜氧化物钌氧化物钴氧化物铈氧化物制备

[发明专利]半导体元件-CN201910313720.6在审
发明人：陈敏璋;易圣涵;吕承轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。
含锆氧化物金属氧化物层顶电极基板半导体元件反铁电铁电性

[发明专利]基于活性炭载体的臭氧氧化催化剂及其制备方法-CN201710667513.1在审
发明人：石伟;牛克胜;杜庆洋;蒋延梅;刘爱宝;荣颖慧;刘晓静 -专利权人：光大水务（深圳）有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于活性炭载体的臭氧氧化催化剂，所述基于活性炭载体的臭氧氧化催化剂为活性炭负载的金属氧化物，其中，所述金属氧化物为铁氧化物、铜氧化物、钌氧化物、铈氧化物、钴氧化物、锰氧化物、镍氧化物中的至少一种
活性炭载体臭氧氧化催化剂金属氧化物活性炭负载锰氧化物镍氧化物铁氧化物铜氧化物钌氧化物钴氧化物铈氧化物制备

[发明专利]基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法-CN202210339962.4有效
发明人：李鹏;田兵;李立浧;刘仲;吕前程;骆柏锋;尹旭;张佳明;王志明;陈仁泽;徐振恒;韦杰;谭则杰;林秉章;樊小鹏;孙宏棣;林力 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法，包括：半金属氧化物自由层；绝缘氧化物隧穿层，位于所述半金属氧化物参考层之上；半金属氧化物参考层，位于所述绝缘氧化物隧穿层之上；其中，所述半金属氧化物参考层和所述半金属氧化物自由层的半金属氧化物材料均为钴酸镍材料，且所述半金属氧化物参考层的厚度大于所述半金属氧化物自由层的厚度，以使所述磁隧道结的阻值在外部磁场的作用下发生改变。
基于氧化物薄膜材料隧道及其制备方法

[发明专利]一种包覆固态电解质的复合金属氧化物及制备方法和应用-CN202310346545.7在审
发明人：曹文卓;闫昭;李婷 -专利权人：宜宾南木纳米科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明公开了一种包覆固态电解质的复合金属氧化物及制备方法和应用，复合金属氧化物包括：金属氧化物,以及包覆在金属氧化物外表面的固态电解质包覆层；金属氧化物包括：氧化铝Al2O3、氧化镁MgO、氧化锌ZnO或氧化铜CuO中的一种或多种；固态电解质包覆层为锂离子固态电解质；复合金属氧化物是由金属氧化物与锂离子固态电解质的颗粒经过两次煅烧反应得到；金属氧化物与固态电解质包覆层之间具有过渡层；过渡层通过金属氧化物和锂离子固态电解质之间的化学键作用而形成；将上述复合金属氧化物应用到锂离子电池中，可以提高电池的倍率性能和长循环性能；本发明提供的一种包覆固态电解质的复合金属氧化物的制备方法
一种固态电解质复合金属氧化物制备方法应用

[发明专利]有机电致发光器件及其导电基底-CN201180068719.3无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该导电基底包括玻璃衬底、铟锡氧化物层和位于所述玻璃衬底和所述铟锡氧化物层之间的金属氧化物层。所述金属氧化物层的折射率介于所述玻璃衬底和所述铟锡氧化物层的折射率之间。上述导电基底中由于插入了折射率介于玻璃衬底和铟锡氧化物层之间的金属氧化物层，在ITO/金属氧化物、金属氧化物/玻璃之间的光出射，使发生全发射的临界角相对于没有插入金属氧化物的临界角增大，大部分的光经过折射后射出界面
有机电致发光器件及其导电基底

[发明专利]载体组合物及其制备方法与应用-CN202210375219.4在审
发明人：林伟;宋烨;王磊;姜秋桥;彭博 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J29/70 文献下载
摘要：本发明涉及催化剂载体制备的技术领域，公开了一种载体组合物及其制备方法与应用。载体组合物包括氧化铝、具有BEA结构的分子筛和改性金属氧化物，改性金属氧化物为钛氧化物、锆氧化物和铈氧化物中的至少一种；改性金属氧化物的η＜0.3，θ≥50，η＝载体组合物中晶相改性金属氧化物的重量百分含量/载体组合物中改性金属氧化物的化学组成重量百分含量，θ＝载体组合物表面上改性金属氧化物的重量百分含量/载体组合物中改性金属氧化物的化学组成重量百分含量；其中，所述载体组合物B酸与L酸的比值不低于0.5。该载体组合物可用于丁二烯选择性加氢、1‑丁烯异构反应，提高丁二烯加氢性的反应性能。
载体组合及其制备方法应用

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构-CN201710364623.0在审
发明人：王质武 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法及其结构。该金属氧化物薄膜晶体管的制备方法通过向金属氧化物沟道层掺杂氮元素，能够减少金属氧化物沟道层内的氧空位数量，降低金属氧化物沟道层内以及金属氧化物沟道层与栅极绝缘层界面处的陷阱密度，改善薄膜晶体管的电性。
金属氧化物薄膜晶体管制备方法及其结构

[发明专利]图案化金属氧化物光刻胶的剂量减量-CN202080055591.6在审
发明人：特金德·辛格;阎俐凡;阿卜希吉特·B·马尔利克;丹尼尔·李·迪尔;和勇·黄;乔斯林甘·罗摩林甘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及用作极紫外(EUV)平板印刷术中的掩模的多层堆叠物和用于形成多层堆叠物的方法。在一个实施方式中，方法包括以下步骤：在膜堆叠物之上形成碳层，通过物理气相沉积(PVD)工艺在碳层上形成富金属氧化物层，在富金属氧化物层上形成金属氧化物光刻胶层，和图案化金属氧化物光刻胶层。金属氧化物光刻胶层不同于富金属氧化物层，且通过与PVD工艺不同的工艺形成金属氧化物光刻胶层。通过PVD工艺形成的富金属氧化物层改善了金属氧化物光刻胶层的黏附力，并在EUV平板印刷期间增加次级电子，从而导致EUV剂量能量减少。
图案金属氧化物光刻剂量

[发明专利]利用受保护催化剂的溶胶-凝胶方法-CN200880120963.8有效
发明人：帕斯卡·约瑟夫·保罗·布司肯斯;延斯·克里斯托·蒂斯;纳尼·乔格·阿福斯坦 -专利权人：帝斯曼知识产权资产管理有限公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C03C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备金属-氧化物-金属化合物的混合物的溶胶-凝胶方法，其中，使至少一种金属氧化物前驱体经受水解处理，以获得一种或多种相应的金属氧化物氢氧化物，使所获得的金属氧化物氢氧化物经受缩合处理，以形成所述金属-氧化物-金属化合物，所述方法在催化剂的存在下进行，所述催化剂包含不稳定保护基(Pg)和碱(B)，所述不稳定保护基(Pg)与所述碱(B)共价链接，其中所述保护基和所述碱之间的共价链接可通过暴露于外部刺激而断裂，并且其中，在暴露于该外部刺激之后释放的碱能够催化在所获得的所述金属氧化物氢氧化物中存在的金属-氢氧基的缩合。
利用保护催化剂溶胶凝胶方法

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