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[发明专利]半导体发光元件-CN201410587684.X有效
发明人：高尾将和;酒井光彦;千田和彦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种使用不透明的半导体衬底形成金属反射层的高亮度的半导体光学元件。其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，该GaAs衬底结构具备GaAs层(3)、在GaAs层的表面上配置的第一金属缓冲层(2)、在第一金属缓冲层上配置的第一金属层(1)、在GaAs层的背面配置的第二金属缓冲层(4)和第二金属层(5)，该发光二极管结构配置在GaAs衬底上并具备第三金属层(12)、在第三金属层上配置的金属接触层(11)、在金属接触层上配置的p型包覆层(10)、在p型包覆层上配置的多重量子阱层(9)、在多重量子阱层上配置的n型包覆层(8)、在n型包覆层上配置的窗口层(7)，使用第一金属层(1)及第三金属层(12)，将GaAs衬底结构和发光二极管结构粘贴。
半导体发光元件

[发明专利]电阻整合式气体传感器-CN201910870056.5有效
发明人：骆玠錞 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻整合式气体传感器，包括基板、第一金属氧化物层，绝缘层，接触金属层，接触空穴，第二金属氧化物层以及指叉状电极层。第一金属氧化物层配置于基板中。绝缘层配置于基板及第一金属氧化物层上。接触金属层及接触空穴配置于绝缘层中。第二金属氧化物层配置于绝缘层上。指叉状电极层的一部分配置于绝缘层上，另一部分配置于第二金属氧化物层中。接触金属层及接触空穴连接第一金属氧化物层与指叉状电极层。
电阻整合气体传感器

[发明专利]电容结构及其制作方法-CN200610071511.8无效
发明人：蔡明轩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种电容结构，其包括一基底、一第一金属层、一蚀刻终止层、一连接层、一第二金属层与一绝缘层。第一金属层配置于基底中。蚀刻终止层配置于基底上，其中蚀刻终止层具有一开口，此开口暴露出部分第一金属层。连接层配置于开口与部分蚀刻终止层的表面。第二金属层配置于连接层上。绝缘层配置于第二金属层与连接层之间。
电容结构及其制作方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200880019938.0有效
发明人：高尾将和;酒井光彦;中田俊次 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该半导体发光元件使用不透明的半导体衬底形成金属反射层且具有高亮度。该半导体发光元件由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成。所述GaAs衬底结构具有：GaAs层(3)、配置在GaAs层的表面的第一金属缓冲层(2)、配置于第一金属缓冲层上的第一金属层(1)、配置于GaAs层的背面的第二金属缓冲层(4)和第二金属层(5)；所述发光二极管结构配置于所述GaAs衬底结构上，其具有：第三金属层(12)、配置于第三金属层上的金属接触层(11)、配置于金属接触层上的p型包层(10)、配置于p型包层的多量子阱层(9)、配置于多量子阱层上的n型包层(8)、配置于n型包层上的窗层(7)；使用第一金属层(1)及第三金属层(12)，将发光二极管结构与GaAs衬底结构粘合在一起。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200880012118.9无效
发明人：高尾将和;酒井光彦;千田和彦 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用不透明的半导体衬底形成金属反射层的高亮度的半导体光学元件及其制造方法。其特征在于，由GaAs衬底结构和发光二极管结构构成，该GaAs衬底结构具备GaAs层(3)、在GaAs层的表面上配置的第一金属缓冲层(2)、在第一金属缓冲层上配置的第一金属层(1)、在GaAs层的背面配置的第二金属缓冲层(4)和第二金属层(5)，该发光二极管结构配置在GaAs衬底上并具备第三金属层(12)、在第三金属层上配置的金属接触层(11)、在金属接触层上配置的p型包覆层(10)、在p型包覆层上配置的多重量子阱层(9)、在多重量子阱层上配置的n型包覆层(8)、在n型包覆层上配置的窗口层(7)，使用第一金属层(1)及第三金属层(12)，将GaAs衬底结构和发光二极管结构粘贴。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]布线电路基板及其制造方法和布线电路片材-CN201980036285.5在审
发明人：伊藤正树;柴田直树;大薮恭也;滝本显也 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：布线电路基板具有：支承金属层，其导热系数为5W/m·K以上；绝缘层，其配置于支承金属层的至少厚度方向一侧；布线层，其配置于绝缘层的表面；保护金属膜，其在支承金属层与绝缘层之间配置于支承金属层的整个表面；以及保护薄膜，其配置于支承金属层中的从保护金属膜暴露的暴露面。
布线路基及其制造方法电路

[发明专利]带电路的悬挂基板-CN201810576092.6在审
发明人：藤村仁人 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：基座具有第1绝缘层、配置于第1绝缘层之上的第1金属层、配置于第1金属层之上的第2绝缘层、配置于第2绝缘层之上的第2金属层以及配置于第2金属层之上的第3绝缘层。第1金属层和第2金属层中的至少一者具有互相隔开间隔地并列配置的多条布线。
绝缘层第1金属层金属层带电悬挂基板配置并列配置互相隔开支承滑块布线滑块悬挂

[发明专利]热敏打印头及其制造方法-CN202210099308.0在审
发明人：仲谷吾郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B41J2/335 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏打印头及其制造方法，其能够抑制金属膏的流动，能够将配线宽度形成得较细。本实施方式的热敏打印头包括：基板；配置在基板上的第一蓄热层；配线，其具有配置在第一蓄热层上的第一金属层，和配置在第一蓄热层上的与第一金属层隔开间隔地配置的第二金属层；以及配置在第一蓄热层上的与第一金属层和第二金属层电连接的发热电阻层
热敏打印头及其制造方法

[发明专利]探测垫结构及其制造方法-CN200810131289.5有效
发明人：李秋德 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明揭示一种探测垫结构及其制造方法，此探测垫结构适于配置在晶圆的切割道区，具有凹槽及较小截面积，并提供探针较长的滑行距离。探测垫结构包括基底、至少一层导电层以及保护层。基底具有凹槽。导电层配置于基底上，且导电层包括第一金属层与第二金属层。第一金属层配置于凹槽上。第二金属层配置于第一金属层上，并延伸至凹槽以外的基底上。保护层配置于基底上，保护层具有开口，且开口对应凹槽的位置而配置。
探测结构及其制造方法

[发明专利]电子元件及其制法-CN201410298600.0有效
发明人：颜精一;蔡武卫;高伟程;陈韦翰 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明有关于一种电子元件及其制法，该电子元件包括承载板、第一金属层、介电层、半导体层、软质层、至少一第一开孔与至少一第二金属层。第一金属层配置于承载板上。介电层配置于第一金属层上，第一金属层与介电层的图案一致。半导体层配置于介电层上。软质层配置于承载板上，以包覆第一金属层、介电层与半导体层，软质层的杨氏系数小于40十亿帕斯卡。第一开孔贯穿软质层。第二金属层配置于软质层上与第一开孔中，以电性连接半导体层。
电子元件及其制法

[发明专利]热敏打印头及其制造方法-CN202210099985.2在审
发明人：仲谷吾郎;藤田明良 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B41J2/335 文献下载
摘要：本实施方式的热敏打印头包括：基板；配置在上述基板上的蓄热层；配线，其具有配置在上述蓄热层上的第一金属层，和配置在上述蓄热层上的与上述第一金属层隔开间隔地配置的第二金属层；和发热电阻层，其配置在上述蓄热层上，并且与上述第一金属层和上述第二金属层电连接。
热敏打印头及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201911219661.2在审
发明人：许博砚;吴伯伦;王炳琨;林铭哲;陈侑廷;白昌宗;廖绍憬;刘奇青 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、第二电极、可变电阻层、第一金属层、第二金属层及电阻稳定层。第二电极配置于第一电极上。可变电阻层配置于第一电极与第二电极之间。第一金属层配置于可变电阻层与第二电极之间。第二金属层配置于第一金属层与第二电极之间。电阻稳定层配置于第一金属层与第二金属层之间。可变电阻层的氧含量高于第一金属层的氧含量，第一金属层的氧含量高于电阻稳定层的氧含量，电阻稳定层的氧含量高于第二金属层的氧含量。所述电阻式随机存取存储器具有良好的耐久性、重置特性以及数据保持能力。
电阻随机存取存储器

[发明专利]平面发光元件及其制造方法-CN200310100618.7无效
发明人：蔡永诚;魏茂国;王锡九 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2003-10-13 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：一种平面发光元件及其制造方法，此元件是包括一透明基板；一介电材料层，配置在透明基板上；一半透明金属层，配置在介电材料层上，其中介电材料层与半透明金属层是构成一半透镜结构；一透明阳极，配置在半透明金属层上；一发光层，配置在透明阳极上；以及一金属阴极，配置在发光层上。
平面发光元件及其制造方法

[发明专利]一种声发射传感器-CN201810761925.6在审
发明人：付常刚;刘时风 -专利权人：清诚声发射研究（广州）有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01H11/08 文献下载
摘要：本申请包括：压电元件、绝缘垫、金属保护层、金属罩壳和信号输出接口；所述压电元件，配置在所述绝缘垫上；所述绝缘垫，配置在所述金属保护层上；所述金属罩壳，底部敞口；所述金属保护层配置在所述金属罩壳的底部敞口上，以将所述压电元件配置在所述金属罩壳中；所述信号输出接口，配置在所述金属罩壳上，且与所述压电元件连接。本申请通将压电元件配置在绝缘垫上，将绝缘垫配置在金属保护层上，再利用金属保护层和金属罩壳的配合，提升对压电元件的电磁屏蔽保护效果，进而适用于复杂电磁环境和导电液体环境。
金属罩壳金属保护层绝缘垫压电元件配置声发射传感器信号输出接口压电元件配置底部敞口申请复杂电磁环境传感器领域导电液体电磁屏蔽再利用配合

[发明专利]三维电感器-电容器装置和制备方法-CN201880081096.5有效
发明人：刘屿春;A·拉温德兰 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一些方面涉及包括以螺旋形状来配置的多个堆叠金属层的装置。多个堆叠金属层包括：第一金属层，包括第一电感器；第二金属层，包括多个第一焊盘和多个第二焊盘；第三金属层，包括多个第三焊盘和多个第四焊盘；第四金属层，包括第二电感器；多个第一过孔，被配置为将第一金属层耦合至第二金属层；多个第二过孔，被配置为将第二金属层耦合至第三金属层；多个第三过孔，被配置为将第三金属层耦合至第四金属层；以及至少部分地包围装置的电介质层。
三维电感器电容器装置制备方法

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