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[发明专利]量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器-CN202011606707.9在审
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片加工方法、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，量子阱层厚度小，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流
量子结构芯片加工方法激光器

[实用新型]量子阱结构、芯片及激光器-CN202023289626.9有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请总体来说涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种量子阱结构、芯片及激光器，其中量子阱结构包括，量子阱结构包括InAlAs量子阱层和InAlGaAs量子阱层，所述InAlAs量子阱层设置多层，所述InAlGaAs量子阱层的厚度与InAlAs量子阱层厚度相同，且相邻两个所述InAlAs量子阱层之间设置有所述InAlGaAs量子阱层，其中，所述InAlAs量子阱层的厚度在0.4nm‑0.6nm之间，所述InAlAs量子阱层的数量在3‑17之间，本申请方案中，InAlAs量子阱层的厚度及层数，在量子阱结构厚度不变的情况下，量子阱结构厚度与单层量子阱层厚度的比值增大了，量子阱限制参数Γ的值增大了，量子阱限制参数增大会减小了芯片阈值电流
量子结构芯片激光器

[发明专利]包括具有非对称多能级的三耦合量子阱结构的光器件-CN201611186285.8有效
发明人：罗炳勋;朴昌泳;朴勇和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
包括具有称多能级耦合量子结构器件

[发明专利]一种高亮度发光二极管的多量子阱结构-CN201310562955.1有效
发明人：李淼;游桥明;沈志强 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高亮度发光二极管的多量子阱结构，以实现器件整体性能的提升。该多量子阱结构的四个多量子阱层中，第一多量子阱层的量子阱禁带宽度最小，第二多量子阱层的量子阱禁带宽度最大，第三和第四多量子阱层的量子阱禁带宽度介于第一多量子阱层与第二多量子阱层的量子阱禁带宽度之间；第四多量子阱层的量子垒禁带宽度比其他多量子阱层的量子垒禁带宽度小但大于第四量子阱层的量子阱禁带宽度本发明的多量子阱结构设计对于各方面的优化结果对于电子空穴的注入效率，迁移速度，浓度分布和复合位置等均有明显改善，进而对器件的整体性能有了较大的提升效果。
一种亮度发光二极管多量结构

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811012178.2有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括：衬底、以及依次在衬底上沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型层；所述多量子阱层包括n层层叠的量子阱垒层，各个所述量子阱垒层包括量子阱和沉积在所述量子阱上的量子垒，所述量子阱为InGaN量子阱，所述量子垒为GaN量子垒；各个所述量子垒的厚度是相同的；靠近所述N型层的量子阱垒层的层数为1；第一相邻两层量子阱垒层中奇数层的量子阱垒层层数小于偶数层的量子阱垒层层数；所述第一相邻两层量子阱垒层中，所述奇数层的量子阱垒层中量子阱的厚度小于或大于所述偶数层的量子阱垒层中量子阱的厚度；2≤n。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]包括具有多能级的三耦合量子阱结构的光学设备-CN201410363259.2有效
发明人：赵龙哲;李用卓;朴昌泳;罗炳勋;朴勇和;周建佑 -专利权人：三星电子株式会社;光州科学技术院
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
包括具有多能耦合量子结构光学设备

[发明专利]发光二极管和发光二极管制备方法-CN201911119307.2有效
发明人：王晟 -专利权人：芜湖德豪润达光电科技有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：每个子层结构包括第一量子阱结构以及多个第二量子阱结构。第一量子阱结构替换传统的量子垒层结构。多个第二量子阱结构设置于第一量子阱结构，形成更深层次的量子阱结构。并且，每个第二量子阱结构的厚度小于第一量子阱结构的厚度，使得第二量子阱结构相比于第一量子阱结构形成窄的量子阱结构。此时，将传统结构中的量子垒替换为所述第一量子阱结构。通过多个第二量子阱结构使得多量子阱层中形成多个子层深窄多量子阱结构，相比于传统的量子阱变得更深，使得量子阱对电子和空穴的限制能力更好，减小发光波长的半宽，产生波色更纯的、发光强度更强的指定波段。
发光二极管制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202210812034.5有效
发明人：程龙;郑文杰;曾家明;高虹;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，该发光二极管外延片包括：衬底，在衬底上依次沉积的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，有源层包括周期性交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层包括依次沉积的量子阱准备层、量子阱子层、量子阱升温层和量子阱高温层，量子阱准备层、量子阱子层、量子阱升温层和量子阱高温层均为InGaN层，量子阱准备层中In组分为0.01~0.5，量子阱子层中In组分为0.1~0.5，量子阱升温层中In组分为0.05~0.5，量子阱高温层中In组分为0.05~0.25。本发明可以降低量子阱非辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管结构-CN201810194487.X在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[发明专利]一种氮化物发光二极管结构-CN201710286221.3在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;吴小明;王小兰;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率
一种氮化物发光二极管结构

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201811378262.6在审
发明人：姚振;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：外延片的有源层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，InGaN量子阱层包括沿有源层的层叠方向依次设置的多个第一量子阱层和多个第二量子阱层，多个第一量子阱层和多个第二量子阱层之间设有多个交替设置的第三量子阱层和第四量子阱层第一量子阱层的厚度小于等于第三量子阱层的厚度，第一量子阱层的厚度小于第四量子阱层的厚度，第三量子阱层的厚度小于等于第四量子阱层的厚度，第四量子阱层的厚度小于等于第二量子阱层的厚度。
量子阱层源层发光二极管外延半导体技术领域空穴层叠方向发光效率复合发光极化效应交替设置量子垒层依次设置周期交替外延片制造辐射生长

[实用新型]一种氮化物发光二极管结构-CN201820323961.X有效
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本实用新型通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管本实用新型缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[实用新型]半导体发光元件-CN202321330710.1有效
发明人：高默然;丘金金;董雪振;李森林 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下到上依次包括：衬底、缓冲层、第一型导电层、多量子阱层以及第二型导电层，多量子阱层包括蓝光量子阱层、红光量子阱层和绿光量子阱层，红光量子阱层位于绿光量子阱层靠近第一型导电层的一侧，蓝光量子阱层位于红光量子阱层和绿光量子阱层的两侧。本实用新型中的多量子阱层具有绿光量子阱层、红光量子阱层和蓝光量子阱层，可以直接产生三种发光波长的光，以形成混合白光，相对于激发荧光粉产生的混合白光发光效率更高，相对于采用三种光色LED制造的白光成本更低
半导体发光元件

[发明专利]一种可电压调制微带隙的半导体量子阱结构-CN201610356892.8在审
发明人：魏相飞;张忠义 -专利权人：皖西学院
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可电压调制微带隙的半导体量子阱结构。它包括第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层和第四量子阱层，第一量子阱层和第四量子阱层材料均为AlSb，第二量子阱层材料为InAs，第三量子阱层材料为GaSb，第一量子阱层和第四量子阱层厚度分别为5‑40 nm，第二量子阱层厚度为5‑40 nm，第三量子阱层厚度为5‑20 nm，还包括外加门电压。相对于用改变量子阱的厚度来调制微带隙，本发明用门电压调制微带隙更加方便可靠，并且可以精确确定费米能级的位置和微带隙的大小，从而进一步确定费米能级的调制范围。本发明可在基于InAs/GaSb的半导体量子阱系统拓扑绝缘体性质的研究和器件方面获得广泛应用。
一种电压调制微带半导体量子结构

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法-CN201710021559.6有效
发明人：王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层，多量子阱层由多层量子阱层和多层量子垒层交替层叠而成，量子阱层为掺有Al的InGaN层，量子垒层为GaN层；多层量子阱层沿多层量子阱层的层叠方向依次属于前阱、中阱、后阱，属于前阱的量子阱层、属于中阱的量子阱层、属于后阱的量子阱层的厚度依次减小，In组分含量依次增大，Al掺杂浓度依次减小。本发明将尽量多的电子限制在最靠近P型AlGaN层的几层量子阱层中，同时方便空穴注入多量子阱层，提高发光二极管的发光效率。
一种氮化发光二极管外延及其制作方法

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