“量子阱”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果61306个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法-CN201610486136.7有效
发明人：曹志芳;赵霞焱;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子阱结构、一种LED外延结构及其生长方法，包括多个量子阱单元，所述量子阱单元包括由下至上依次设置InGaN浅垒层、GaN量子垒层、第一InGaN浅阱层、InGaN量子阱层、第二InGaN浅阱层。本发明所设计的量子阱结构中，量子垒层包括通低流量TMIn源的InGaN浅垒层、不通TMIn源的GaN量子垒层，量子垒层包括通低流量TMIn源的第一InGaN浅阱层、通正常流量TMIn源的InGaN量子阱层、通低流量TMIn源的第二InGaN浅阱层，本发明设计的量子阱结构增加了通低流量TMIn源的InGaN浅垒层，使得量子垒层与量子阱层之间晶格适配度增加，减少内应力的产生。
一种量子结构 led 外延及其生长方法

[实用新型]一种量子阱结构-CN201620661036.9有效
发明人：曹志芳;赵霞焱;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种量子阱结构，包括多个量子阱单元，量子阱单元包括由下至上依次设置InGaN浅垒层、GaN量子垒层、第一InGaN浅阱层、InGaN量子阱层、第二InGaN浅阱层。本实用新型所设计的量子阱结构中，量子垒层包括通低流量TMIn源的InGaN浅垒层、不通TMIn源的GaN量子垒层，量子垒层包括通低流量TMIn源的第一InGaN浅阱层、通正常流量TMIn源的InGaN量子阱层、通低流量TMIn源的第二InGaN浅阱层，本实用新型设计的量子阱结构增加了通低流量TMIn源的InGaN浅垒层，使得量子垒层与量子阱层之间晶格适配度增加，减少内应力的产生。
一种量子结构

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201510874393.3在审
发明人：胡任浩;郭炳磊;谢文明;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，多量子阱层包括若干第一多量子阱子层和层叠在若干第一多量子阱子层上的第二多量子阱子层，第一多量子阱子层包括量子阱层和层叠在量子阱层上的量子垒层，第二多量子阱子层包括依次层叠在若干第一多量子阱子层上的量子阱层、量子垒层、掺杂Mg的量子垒层，第二多量子阱子层中的量子垒层和掺杂Mg的量子垒层的厚度之和等于第一多量子阱子层中的量子垒层的厚度
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]半导体发光器件-CN201610881598.9有效
发明人：李振燮;金定燮;成汉珪;权纯祚;延智慧;李东建 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体发光器件，其包括：第一导电型半导体层；有源层，设置在第一导电型半导体层上，并且包括多个量子垒层和包含In的多个量子阱层，所述多个量子垒层和所述多个量子阱层彼此交替地堆叠，所述多个量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；第二导电型半导体层，设置在有源层上，其中，第一量子阱层设置成比第二量子阱层较接近于第一导电型半导体层，第二量子阱层设置成比第一量子阱层较接近于第二导电型半导体层，其中，第二量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，其中，第一量子阱层和第二量子阱层中的每个包括In成分的量变化的至少一个分级层，第二量子阱层的至少一个分级层具有比第一量子阱层的至少一个分级层大的厚度。
半导体发光器件

[发明专利]一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片-CN202210602897.X有效
发明人：程龙;高虹;曾家明;郑文杰;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片，外延片包括依次沉积第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层、第四量子阱子层以及第五量子阱子层而成的量子阱层，其中，前两个子层为GaN层，其余子层为InGaN层，在生长第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层的过程中，掺杂Si，且第一量子阱子层和第二量子阱子层中的Si掺杂浓度均高于所述第三量子阱子层中的Si掺杂浓度，其中，掺杂Si可以降低量子阱极化电场作用，提高电子和空穴波函数的交叠，进而提升辐射复合效率，达到提升发光二极管的发光效率。
一种 gan led 外延生长方法芯片

[发明专利]一种半导体发光二极管-CN202310662766.5在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;胡志勇;黄军;蒙磊 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光二极管，该二极管包括从下到上一次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体；量子阱由阱层和垒层组成周期结构，量子阱具有若干个周期；量子阱的Si掺杂浓度从浅量子阱向电子阻挡层方向的第一预设周期内逐渐下降；量子阱的Mg掺杂浓度从电子阻挡层向浅量子阱方向的第二预设周期内逐渐下降；量子阱中具有Si掺杂和Mg掺杂的交叉区域。采用本发明实施例，通过浅量子阱、量子阱和电子阻挡层形成狄拉克量子隧穿结构，使得电子和空穴在该狄拉克量子隧穿结构中无法通过扩散和漂移在量子阱中跃迁，进而使得电子和空穴仅通过狄拉克量子隧穿进行跃迁和辐射。
一种半导体发光二极管

[实用新型]LED磊晶片结构-CN202120636445.4有效
发明人：谷鹏军;杨顺贵;林雅雯 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED磊晶片结构，其中，上述结构包括：多量子阱MQW有源层；所述多量子阱MQW有源层包括前多量子阱MQW有源层和后多量子阱MQW有源层，所述前多量子阱MQW有源层和所述后多量子阱MQW有源层中均具有交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度均大于所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度。
led 晶片结构

[发明专利]一种多量子阱基发光二极管及其制备方法-CN202210499766.3在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;曾家明;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多量子阱基发光二极管及其制备方法，包括衬底，还包括：依次层叠于衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层及P型GaN层；其中，多量子阱层包括若干周期交替堆叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层依次包括第一量子阱子层、第二量子阱子层及第三量子阱子层，第一量子阱子层设于N型GaN层之上；第一量子阱子层包括第一GaN层以及设于第一GaN层之上的第二GaN层，第一GaN层设于N型GaN层之上；第三量子阱子层包括第一InGaN层以及设于第一InGaN层之上的第二InGaN层，第一InGaN层设于第二量子阱子层之上，本发明能够解决现有技术中低温生长的InGaN量子阱层降低了多量子阱层的晶体质量，影响多量子阱基发光二极管的发光效率的技术问题。
一种多量子阱基发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法-CN201610098456.5有效
发明人：孙玉芹;董彬忠;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，量子阱层为InGaN阱层，量子垒层为GaN垒层；M+N个量子阱层中靠近N型GaN层的M个量子阱层的厚度逐渐变化，且在M+N个量子阱层中靠近N型GaN层的M个量子阱层中，靠近N型GaN层的量子阱层的厚度大于靠近P型GaN载流子层的量子阱层的厚度，M+N个量子阱层中靠近P型GaN载流子层的N个量子阱层的厚度均小于M个量子阱层的厚度，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0。
具有新型量子发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法-CN201610887200.2有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述生长方法包括：依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW层、P型层，所述MQW层包括交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；量子阱层分成第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱三种，第一类量子阱中的量子阱层的生长温度逐层降低，第二类量子阱中的量子阱层的In含量逐层变化，第三类量子阱中的量子阱层的In含量和Ga含量的比值逐层减小，所有量子阱层沿发光二极管外延片的生长方向依次属于第一类量子阱、第二类量子阱、第三类量子阱。
一种发光二极管外延生长方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202310703498.7在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;张江勇;刘紫涵;陈婉君 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括从下到上依次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、电子尖峰层、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，其特征在于，浅量子阱的禁带宽度大于量子阱的禁带宽度；电子尖峰层的Si掺杂浓度大于量子阱的Si掺杂浓度；电子尖峰层的Si掺杂浓度呈倒V型曲线或倒U型曲线分布。采用本发明实施例，通过对浅量子阱与量子阱之间的禁带宽度、电子尖峰层的Si掺杂浓度及其分布趋势的设计，使浅量子阱、电子尖峰层和量子阱形成量子自旋轨道光耦合结构，从而降低量子阱的极化效应和Stark效应，提升空穴注入效率、增强量子阱中电子空穴辐合效率、提升量子阱的光提取效率和半导体发光元件的发光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法-CN201310244191.1无效
发明人：张连;曾建平;魏同波;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法，其能够提高紫外发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率。所述可调控能带的UV LED多量子阱结构装置，其包括至少一个能带被调控的量子阱结构，该能带调控量子阱结构由量子阱势垒层和组分渐变量子阱势阱层交替生长而成。该可调控能带的UV-LED量子阱结构能够实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高UV-LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高UV-LED的功率和效率。
调控能带 uv led 多量结构装置生长方法

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管-CN202210404564.6在审
发明人：刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层；其中，所述量子阱层包括依次层叠设置的第一量子阱子层、第二量子阱子层以及第三量子阱子层，所述量子垒层包括周期性层叠在所述第三量子阱子层上的第一量子垒子层和第二量子垒子层，所述第一量子阱子层、所述第三量子阱子层以及所述第二量子垒子层均采用TMGa源进行生长，所述第二量子阱子层采用TEGa源进行生长和所述第一量子垒子层均采用
一种外延制备方法以及发光二极管

[发明专利]半导体发光元件和光学相干断层成像装置-CN201510279692.2在审
发明人：关口芳信 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体发光元件包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包含具有相互不同的阱宽度的第一量子阱和第二量子阱。第一量子阱和第二量子阱的阱层由In_xGa_1-xAs形成。第一量子阱的阱宽度Lw和阱层In含量In_x(Lw)以及第二量子阱的阱宽度Ln和阱层In含量In_x(Ln)满足下式(1)：0.0631(Ln/Lw)²
半导体发光元件光学相干断层成像装置

[发明专利]一种黄绿光发光二极管-CN201711247866.2有效
发明人：刘超;高鹏;王凌飞;高文浩;刘晓峰;张军召;吴超瑜 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄绿光发光二极管，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合，采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫，减少了Al的组分使得器件可靠性更强，同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
一种黄绿发光二极管