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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]印刷电路板的制造方法-CN202180056317.5在审
发明人：野原公幸;佐藤利德;喜多村慎也;中岛洋一;信国豪志 -专利权人： MGC电子科技有限公司;米泽菱电子株式会社
申请日： 2021-08-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：然后，于绝缘层(14)的表面设置无电镀铜层(17)，并于其上形成留有形成通孔的部分的阻剂图案(18)。接着，将阻剂图案(18)作为镀阻剂，于无电镀铜层(17)的表面设置电镀铜层，且在除去阻剂图案(18)后，将电镀铜层作为蚀刻阻剂蚀刻无电镀铜层(17)，并形成通孔形成用的遮罩。形成遮罩后，通过激光除去绝缘层(14)中未被遮罩覆盖的部分，而形成通孔。
印刷电路板制造方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN202210152792.9在审
发明人：张競予;陈哲明;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法包括形成光阻层在遮罩层上、图案化光阻层、以及形成氧化层在已图案化的光阻层的暴露表面上。使用已图案化的光阻层作为遮罩以图案化遮罩层。使用已图案化的遮罩层作为遮罩以图案化目标层。
形成半导体装置方法

[发明专利]形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法-CN202111208602.2在审
发明人：王建忠;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造图形化硬遮罩的方法包括:在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。借此，可以通过开口狭小的图形化硬遮罩，进而利用图形化硬遮罩形成精细的金属线(宽度小于或等于12.5纳米)，且仅使用一个图形化硬遮罩就可以形成相当细的金属线。
形成图形化硬遮罩方法导电

[发明专利]碟片原版制作方法-CN200510059970.X无效
发明人：蔡正原;谢忠勤 -专利权人：精碟科技股份有限公司
申请日： 2005-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G11B7/26 文献下载
摘要：本发明是有关于一种碟片原版制作方法，其包括沉积一硬遮罩层于一基板上，涂布一蚀刻速率大于硬遮罩层的蚀刻速率的光阻层于硬遮罩层之上，激光刻版光阻层及硬遮罩层并进行显影，蚀刻基板并移除光阻层，以及移除硬遮罩层
碟片原版制作方法

[发明专利]图案化结构及其制造方法-CN202110766182.3在审
发明人：苏品源;赖振益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：于第一方向上依序堆叠形成硬遮罩层与光阻层。光阻层形成于硬遮罩层上。于垂直第一方向的第二方向上对硬遮罩层与光阻层执行等向性蚀刻工艺，使得硬遮罩层在第二方向上的宽度小于光阻层在第二方向上的宽度。如此，减少破坏光阻层厚度与形状并缩短硬遮罩层的尺寸，有利于后续形成的结构或元件的关键尺寸精确缩小。
图案结构及其制造方法

[发明专利]具有受控聚酰亚胺轮廓的结构及其形成方法-CN202210224707.5在审
发明人：黄晨绮;黄昶尧;陈柏诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：此方法包括以下步骤：在基板上沉积含有聚酰亚胺的光阻剂；及在第一温度下执行第一退火。方法进一步包括以下步骤：透过一光遮罩将此光阻剂曝光于辐射源，此光遮罩具有与聚酰亚胺开口形状关联的图案。此方法进一步包括以下步骤：在第二温度下执行第二退火；及去除部分光阻剂以形成聚酰亚胺开口。此方法进一步包括以下步骤：在第三温度下执行第三退火；及通过灰化清理聚酰亚胺开口。
具有受控聚酰亚胺轮廓结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010288709.1在审
发明人：吴庭玮;杨政达;周信宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本发明为半导体结构的形成方法，包含：形成目标层于基板上；将第一硬遮罩层以及第二硬遮罩层形成目标层上；图案化第二硬遮罩层以形成多个图案化第二硬遮罩，并且此些图案化第二硬遮罩包括第二宽遮罩及第二窄遮罩；形成多个间隙物于第二宽遮罩及第二窄遮罩的侧壁；形成光阻层以覆盖第二宽遮罩的顶面，且光阻层覆盖位于第二宽遮罩的侧壁的一对间隙物的侧表面，并执行刻蚀工艺来移除位于此些间隙物之间的第二窄遮罩；以及移除光阻层，接着通过此些间隙物与第二宽遮罩作为刻蚀遮罩来刻蚀第一硬遮罩层，以形成多个图案化第一硬遮罩于目标层上，其中此些间隙物用以定义第一线宽，第二宽遮罩与形成在第二宽遮罩的侧壁的一对间隙物共同用以定义第二线宽。
半导体结构形成方法

[发明专利]界定不同光阻图案的双重显影方法-CN202111534539.1在审
发明人：叶永全;陈任和 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本公开提供一种界定不同光阻图案的双重显影方法。该双重显影方法包含：提供一基底，该基底包括一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；使用一双型光阻而形成一光阻层在该基底上；通过一第一光遮罩而将该光阻层曝光到辐射，以界定出一第一图案在该周围区中；使用一正型显影剂显影该光阻层，以形成一第一图案在该周围区中以及形成该光阻层的一余留未曝光部分在该阵列区中；通过一第二光遮罩将在该周围区中的该第一图案与在该阵列区中的该光阻层曝光到辐射，以界定出一第二图案；以及使用一负型显影剂显影在该阵列区中的该光阻层
界定不同图案双重显影方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202110921431.1在审
发明人：萧名雯;戴均晏;刘雁欣;郭明誌;谢铭峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一个或多个层形成于底层结构之上，且一个或多个硬质遮罩层形成于一个或多个层之上。一个或多个第一抗蚀层形成于硬质遮罩层之上，且第一光阻图案形成于一个或多个第一抗蚀层之上。调整第一光阻图案的宽度。通过以第一光阻图案作为蚀刻遮罩来图案化一个或多个第一抗蚀层，从而形成第一硬质遮罩图案。并且通过使用第一硬质遮罩图案来图案化硬质遮罩层，从而形成第二硬质遮罩图案。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN201911202106.9在审
发明人：萧志民;赖志明;赖建文;张雅惠;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体元件的方法包括在绝缘层的上部表面上沉积硬遮罩层。蚀刻硬遮罩层以在硬遮罩层中形成开口。经由开口在绝缘层中形成通孔凹槽。在硬遮罩层上及在通孔凹槽中形成第一光阻层。蚀刻第一光阻层以在通孔凹槽中形成光阻插塞。蚀刻开口的两个相对侧以移除硬遮罩层的部分，并借此暴露绝缘层的上部表面的一部分。移除光阻插塞。在通孔凹槽中及在绝缘层的已暴露表面上沉积金属。图案化金属。
制造半导体元件方法

[发明专利]半导体制造方法及其设备-CN200710090481.X无效
发明人：王静亚;吴文进;罗冠腾;汪青蓉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：该半导体制造方法，包括提供具有介电层形成于上的基材，然后在介电层上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定义出开口，然后透过这些开口蚀刻介电层。接着以蚀刻物质处理部分的光阻遮罩，并以超临界流体移除这些光阻遮罩上处理的部分。该设备是一种用于半导体制造方法的反应室，能使上述的蚀刻、处理及移除过程于此单一的反应室中进行。本发明能在不破坏多孔性低介电常数的介电物质情况下，进行光阻移除的过程。
半导体制造方法及其设备

[发明专利]一种制造半导体元件的方法-CN201910916800.0在审
发明人：张世明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：硬遮罩层在衬垫氧化层上方形成。抗反射层(anti‑reflective layer；ARL)在硬遮罩层上方形成。第一光阻层在抗反射层上方形成。图案化第一光阻层并且移除硬遮罩层及抗反射层。移除第一光阻层及抗反射层的剩余部分，并且形成图案化的硬遮罩层。蚀刻衬垫氧化层及半导体基板以获得多个鳍。底部层在鳍上方及之间形成。中间层在底部层上方形成并且第二光阻层在中间层上形成。图案化第二光阻层以形成开口，并且间隔件在第二光阻层中形成的开口中形成。
一种制造半导体元件方法

[发明专利]光罩的形成方法-CN202110225684.5在审
发明人：谢玮哲;王子奕;林秉勳;连大成;李信昌;李环陵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。
形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110362187.X在审
发明人：陈玠玮;连建洲;江子昂;林群能;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法：包括沉积第一功函数层于栅极介电层上；形成第一硬遮罩层于第一功函数层上；形成光阻遮罩于第一硬遮罩层上，其中形成光阻遮罩的步骤包括沉积底抗反射涂层于第一硬遮罩层上；蚀刻底抗反射涂层的一部分；采用底抗反射涂层作为遮罩，蚀刻第一硬遮罩层的一部分；蚀刻第一功函数层的一部分，并经由第一硬遮罩层与第一功函数层露出栅极介电层的一部分；移除第一硬遮罩层；以及沉积第二功函数层于第一功函数层与栅极介电层的部分上
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体元件结构的制备方法-CN202211260585.1在审
发明人：马士元;叶永全 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成一光阻层；对该光阻层进行图案化处理以形成一图案化光阻层；在该图案化光阻层上形成一间距调整层以定义一遮罩图案；以及判断该遮罩图案是否符合一半导体制程规格；当确定该遮罩不符合该半导体制程规格时
半导体元件结构制备方法

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