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[发明专利]基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法-CN202210858802.0在审
发明人：徐杨;李宗文;曹小雪;张致翔;田丰;柴健;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法，主要解决现有雪崩光电探测器暗电流大、增益小、雪崩阈值电压过高等问题，并提出了一种分离吸收层和倍增层的低雪崩阈值电压新型红外光电探测器该光电探测器以宏观组装石墨烯作为红外光吸收层，以外延硅层作为载流子倍增层，通过吸收倍增层的分离有效抑制噪声电流倍增，实现微弱光信号的灵敏探测；在较大的反向偏压下，光生载流子越过势垒与耗尽区内硅晶格发生碰撞电离，激发出指数型倍增的载流子贡献到光电流中，实现一个很大的内部增益；本发明光电探测器可以探测红外光谱，解决传统肖特基势垒探测器对红外光探测响应低的问题，利于通信波段信息的传递。
基于宏观组装石墨外延硅肖特基结红外雪崩光电探测器及其制备方法

[发明专利]中红外光电探测器驱动电路、探测器组件及组件阵列-CN201210591005.7有效
发明人：张磊;邵碧波;冯刚;杨鹏翎;陈绍武;闫燕 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种中红外光电探测器驱动电路、探测器组件及探测器组件阵列，采用与测量探测器暗电阻特性相接近的补偿探测器及其驱动电路，实现了对探测器随环境温度基线漂移的补偿，降低了输出基线的变化幅值，减小了其对光信号测量动态范围带来的影响；上述驱动电路除了可用于单只中红外光电探测器组件外，还可以用于中红外光电探测器组件阵列中，采用一路补偿探测器同时补偿多路测量探测器，满足了多只探测器同时测量的需要，并大大降低了制作成本，减小了功耗。
红外光电探测器驱动电路组件阵列

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器制备方法-CN201711057712.7有效
发明人：汤乃云;仇志军;单亚兵;龚海梅;李雪;邵秀梅 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~600nm可见光，发射1μm近红外光。利用掺杂稀土元素的氯硫玻璃完成可见光到近红外光的转换，不影响铟镓砷红外探测器对短波红外的吸收，同时吸收400nm~600nm可见光，发射1μm左右的近红外光被铟镓砷红外探测器吸收，实现铟镓砷红外探测器可见光范围的扩展当需要进行多波段探测时，扩展铟镓砷红外探测器探测范围到可见光这种方式优势非常明显、实用性很强。
一种铟镓砷红外探测器制备方法

[发明专利]二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件-CN201710056998.0在审
发明人：彭海琳;尹建波;谈振军;刘玉静;吴金雄 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法，包括如下步骤以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在基底上进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。用该种方法得到的二维硒氧化铋近红外探测器，被有效应用在近红外探测、显示、成像上。
二维氧化晶体红外光电探测器件

[发明专利]一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法-CN201811579271.1有效
发明人：金立川;杨航;王宇;张岱南;张怀武;钟智勇;向全军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控
一种基于三维外延薄膜结构光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种免维护式光电式烟雾探测器-CN201220293300.X有效
发明人：王兴元;朱飞 -专利权人：扬州市扬子通讯器材有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G08B17/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种免维护式光电式烟雾探测器。包括至少两对收发红外光电传感器；包括：一对使用时对应的常开收发红外光电传感器，其余的为和上述收发红外光电传感器对应的起检测上述收发红外光电传感器是否能正常工作的辅助收发红外光电传感器。本实用新型具备以下优点：本实用新型可通过辅助的收发红外光电传感器，并通过计算机控制进行对常开收发红外光电传感器实时检测，其检测过程非常便捷且准确；本实用新型同时可通过计算机的远程控制，能远程的对烟雾探测器进行检测，进一步的方便了对探测器的测试，保证了其工作的稳定性，同时辅助收发红外光电传感器在常开收发红外光电传感器损坏时，可投入使用，保证了探测器的连续使用，提高了抗损坏能力。
一种维护光电烟雾探测器

[发明专利]一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器-CN202210698129.9在审
发明人：张程;黄亮杰;龚靖轩;张文;陈阳;朱鹏;李孝峰;朱忻 -专利权人：苏州大学;苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，公开了一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包含底部导电电极、金属光栅和顶部导电电极；金属光栅和底部导电电极之间有一层钛薄膜作为粘附层；金属光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金属光栅完全嵌入硅基底的方式进一步地提高了金属的光吸收效率和热电子产生率，其中光吸收率能达到接近100%，减少了热电子的热化损失，进而提升了光电探测器的响应度；调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。
一种完全嵌入式光栅结构窄带红外电子光电探测器

[发明专利]一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器-CN201910931220.9有效
发明人：张程;施嘉伟;李孝峰;刘添裕;曹诗嘉;眭博闻;蔡文杰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，提供一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包含硅基底和金属光栅；金属光栅和硅基底之间有一层钛薄膜作为粘附层；金属光栅连接到顶部导电电极硅背面设有底部导电电极；通过将金属光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金属的光吸收效率、热电子产生率，减少了热电子的热化损失，增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率，进而提升了光电探测器的响应度；调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。
一种基于嵌入式光栅结构窄带红外电子光电探测器

[实用新型]一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器-CN201921639532.4有效
发明人：施嘉伟;李孝峰;张程;刘添裕;曹诗嘉;眭博闻;蔡文杰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，提供一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，包含硅基底和金光栅；金光栅和硅基底之间有一层钛薄膜层作为粘附层；金光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率，减少了热电子的热化损失，增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率，进而提升了光电探测器的响应度；调节金光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。
一种嵌入式光栅结构窄带红外电子光电探测器

[实用新型]一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器-CN202221545679.9有效
发明人：黄亮杰;张程;龚靖轩;张文;陈阳;朱鹏;李孝峰;朱忻 -专利权人：苏州大学;苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，公开了一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包含底部导电电极、金属光栅和顶部导电电极；金属光栅和底部导电电极之间有一层钛薄膜作为粘附层；金属光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金属光栅完全嵌入硅基底的方式进一步地提高了金属的光吸收效率和热电子产生率，其中光吸收率能达到接近100%，减少了热电子的热化损失，进而提升了光电探测器的响应度；调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。
一种完全嵌入式光栅结构窄带红外电子光电探测器

[发明专利]一种COD和氨氮多参数在线监测装置及其监测系统-CN201510768174.7在审
发明人：朱坚磊;曾令春;陈水苗;陈科;何玉宇 -专利权人：浙江微兰环境科技有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：一种COD和氨氮多参数在线监测装置，该装置包括在消解池X轴方向一侧设置的紫外LED、红外LED和可见光LED，在X轴方向另一侧设置的紫外光电探测器和第一可见红外光电探测器，所述的第一可见红外光电探测器采集红外LED和可见光LED发出的透射光源信号，在消解池y轴方向设置第二可见红外光电探测器，第二可见红外光电探测器采集红外LED发出的红外散射光源信号。
一种 cod 氨氮多参数在线监测装置及其系统

[实用新型]一种COD和氨氮多参数在线监测装置及其系统-CN201520898789.7有效
发明人：曾令春;陈水苗;陈科;何玉宇 -专利权人：浙江微兰环境科技有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：一种COD和氨氮多参数在线监测装置，该装置包括在消解池X轴方向一侧设置的紫外LED、红外LED和可见光LED，在X轴方向另一侧设置的紫外光电探测器和第一可见红外光电探测器，所述的第一可见红外光电探测器采集红外LED和可见光LED发出的透射光源信号，在消解池y轴方向设置第二可见红外光电探测器，第二可见红外光电探测器采集红外LED发出的红外散射光源信号。
一种 cod 氨氮多参数在线监测装置及其系统

[发明专利]一种对于近红外光具有高探测率的自驱动有机光电探测器-CN202110636079.7在审
发明人：黄辉;魏亚男 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及构建一种具有垂直相分离结构的有机光电探测器，从而实现了较低的暗电流，获得了一种对于近红外光具有高探测率的自驱动有机光电探测器。利用垂直相分离结构的构建，增加了界面层与活性层间不利的电荷注入势垒，以降低暗电流，获得较高的探测率。
一种对于红外光具有探测驱动有机光电探测器

[发明专利]一种近红外光电探测器及其制备方法-CN201711070851.3在审
发明人：张晗;王慧德;郭志男 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种近红外光电探测器，包括基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在光吸收层相对的两端且分别与光吸收层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括所述光电探测器具有很高的近红外光响应度和环境稳定性。本发明还提供了一种近红外光电探测器的制备方法，包括提供β‑InSe单晶块，将β‑InSe单晶块粘到胶带上，反复撕胶带10‑20次，得到β‑InSe纳米薄片，将β‑InSe纳米薄片转移到隔离层上，形成光吸收层
一种红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种高精度红外探测器时间常数测试系统及方法-CN201711478559.5有效
发明人：徐庆安;邵逸恺;汪韬;尹飞;袁鸣;崔爽;田广;刘豫东;宋志华;赵娜 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01V13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度红外探测器时间常数测试系统及方法。其中该系统包括：红外光源单元、红外光学系统单元、红外探测器适配器单元、光电信号采集单元和信息处理单元；其中，红外光源单元产生调制的红外光信号，经过红外光学系统单元进行光学整形，垂直投射到红外探测器适配器单元，经红外探测器适配器单元将光信号转换为电信号，电信号经过光电信号采集单元采集读取，并通过信息处理单元得到红外探测器时间常数。
一种高精度红外探测器时间常数测试系统方法