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[发明专利]一种异质结材料及其应用-CN202110437540.6有效
发明人：曾祥斌;王曦雅;胡一说;王文照;陆晶晶;王君豪;肖永红;周宇飞;王士博;陈铎;张茂发 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
一种异质结材料及其应用

[发明专利]垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法-CN202310499466.X在审
发明人：张玉平;唐利斌;邓功荣;吴刚;袁绶章;王博;宋立媛;赵鹏;王静宇;岳彪;王海澎;刘燕;辛永刚;王琼芳;苏润洪;魏虹;姬玉龙;黄俊博;李红福;李轶民;敖雨;彭秋思;吴强 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：垂直型ITO/黑硅光电探测器及其制备方法，涉及光电器件成像技术领域，尤其是一种高性能垂直型ITO/黑硅可见‑近红外光电探测器的制备技术。该光电探测器基于n型硅衬底，正面为高掺杂浓度的p型层。器件背面的n型层为过饱和掺杂的黑硅层，并在黑硅表面覆盖透明电极ITO，来改善黑硅微结构的表面特性，抑制表面复合，增强载流子的分离，以提升光电探测器的光电响应性能。通过利用ITO作为黑硅微结构表面的电极，可以很好的抑制表面复合，增强光生载流子的分离，使器件具有高的光电响应性能，在发展低成本的硅基红外探测器方面，具有重要的应用前景。
垂直 ito 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器平均光电转换效率确定方法-CN201811399085.X有效
发明人：甄政;欧文;张聪;于灏洋;王英瑞;熊健;李昂 -专利权人：北京遥感设备研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器平均光电转换效率确定方法包括步骤：构建红外探测器平均光电转换效率仿真系统；计算黑体在不同温度下辐射光子流数的差值；计算红外探测器像面上接收到黑体辐射的光子数；计算黑体在不同温度下黑体辐射照度差值；计算红外探测器光电转换后的平均响应电压；计算红外探测器感光生成的电子数；计算出红外探测器感应光子生成电子的平均效率。本发明确定了红外探测器平均光电转换效率，有利于直接评价探测器的能力，有利于红外光电成像系统能力直接评估和评价。
一种红外探测器平均光电转换效率确定方法

[实用新型]弱光条件下红外光电探测器响应特性参数标定装置-CN201621480580.X有效
发明人：郭毅;刘峰;赵建科;徐亮;刘锴;李朝辉;高明星;李晓辉 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01J5/52 文献下载
摘要：本实用新型属于红外光电探测领域，涉及一种弱光条件下红外光电探测器响应特性参数标定装置，包括标定光源、光学斩波器、平行光管和锁相放大器；所述光学斩波器位于标定光源和平行光管的入口之间；所述锁相放大器分别与光学斩波器和待测红外光电探测器相连；待测红外光电探测器的靶面位于所述平行光管的出口处。
弱光条件下红外光电探测器响应特性参数标定装置

[发明专利]一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法-CN202111412253.6在审
发明人：黄建;李睿智;钟玉杰;雷仁方;鄢真真;高建威 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括从下至上依次设置的微黑体阵列和透光区，所述微黑体阵列包括多个呈阵列分布的微黑体像元，每一所述微黑体像元均包括吸收区、相对设置在所述吸收区上、下两侧的正面反射区和背面反射区以及设置在所述正面反射区和背面反射区之间且包围所述吸收区的侧面反射区；所述正面反射区上设有一通光孔，使得近红外光经所述透光区聚合并由所述通光孔射入吸收区后，能在正面反射区、背面反射区和侧面反射区之间来回反射，实现所述吸收区对近红外光的反复吸收，增加入射光的吸收率，在提高光电探测器的灵敏度的同时兼顾击穿电压温度系数和响应时间。
一种黑体 apd 光电探测器及其制作方法

[发明专利]红外光电探测器及制备方法-CN202210916415.8在审
发明人：孙振华;池治国;文政 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种红外光电探测器及制备方法，该红外光电探测器包括：半导体层，半导体层由具有电子能带隙的材料制得；绝缘介电层，形成于半导体层的一侧表面；栅电极，设置于绝缘介电层背离半导体层的一侧；红外光敏层，设置于半导体层上，红外光敏层为窄带隙半导体纳米形态颗粒形成的多晶薄膜；红外透明电极，设置于红外光敏层背离半导体层的一侧表面；红外透明电极为具有高导电性与红外透过性的薄膜，红外透明电极宽度小于或等于红外光敏层宽度；源电极及漏电极，设置于半导体层的一侧表面，且分别设置于红外光敏层的两侧。本发明解决了目前红外光电探测器无法兼具高光电响应度和高响应速度的问题。
红外光电探测器制备方法

[实用新型]一种光电探测器、暗电流抑制电路及可见光传感器-CN201620159024.6有效
发明人：樊子宇 -专利权人：深圳市乐夷微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本实用新型适用于集成电路领域，提供了一种光电探测器、暗电流抑制电路及可见光传感器，该光电探测器包括：在硅片上形成的第一光电二极管和第二光电二极管；第一光电二极管的上表面覆盖一仅透过人眼能感知的可见光的IR滤波器；第二光电二极管的上表面覆盖一滤除可见光和近红外光的金属膜。本实用新型在PN结结构中通过注入增加一个NG注入区，降低了暗电流，提高了光电转换效率，并在两光电二极管的上表面分别用金属膜和IR滤波器覆盖，以隔离近红外光，还将该抑制暗电流的光电探测器和高增益放大器集成在同一硅基上，从而得到一个高灵敏度、高线性度的可见光传感器。
一种光电探测器电流抑制电路可见光传感器

[发明专利]酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器-CN201010299072.2有效
发明人：唐利斌;姬荣斌;张筱丹;段瑜;宋立媛;陈雪梅;马钰 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，尤其是光导型有机半导体探测器。一种酞菁稀土类有机红外半导体光导型探测器，包括衬底，金属或透明导电电极以及有机红外光敏材料层等，其特征在于所说的光敏材料是具有三明治结构的酞菁稀土，这种有机红外半导体探测器光敏材料的电学参数可控，从而可以通过受主掺杂使器件的电阻在三个数量级的范围调控，增强了器件性能的调控性及其与红外系统的兼容性，其光敏材料是有机红外半导体材料，其可以在硅基集成电路、廉价衬底玻璃、石英片及柔性塑料衬底上制备大面积、成本低廉对1.3~1.8微米近红外光有响应的有机红外光导探测器
稀土有机红外半导体光导型探测器

[发明专利]光电探测器及其制备方法-CN202210023552.9在审
发明人：龙明珠;栾佳宏;黄莉;周国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括绝缘衬底；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互间隔设置在绝缘衬底上；锡掺杂氧化钼/硅异质结结构，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构连接第一电极和第二电极根据本申请实施例的光电探测器，至少具有如下有益效果：本方案所提供的光电探测器通过锡掺杂氧化钼在其中引入杂化能级，实现红外光的高吸收率，并且将掺杂后的氧化钼进一步和硅形成具有理想界面的二维材料异质结，锡掺杂氧化钼/硅异质结界面可以形成内建电场，有效分离光生电子空穴对，从而使得近红外光电探测器具备超快的响应时间。
光电探测器及其制备方法

[发明专利]硅基紫外/可见/近红外多波段光电探测器及其制备方法-CN202310837449.2在审
发明人：李炳生;王月飞;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基紫外/可见/近红外多波段光电探测器及其制备方法，包括硅衬底（10）、可见/红外光响应层（20）以及紫外光响应层（30），可见/红外光响应层（20），其制备在硅衬底（10）上方，可见/近红外光响应层（20）从下至上包括可见/近红外光吸收层（21）和第一重掺杂电极接触层（22），第一重掺杂电极接触层（22）制备于可见/近红外光吸收层（21）上方；紫外光响应层（30）制备于可见/近红外光响应层（20）
紫外可见红外波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅酞菁J-聚集薄膜及其制备方法与在近红外光电探测器中的应用-CN202210629817.X在审
发明人：刘伟;赵东木;张威;王祥磊;赵婉茹 -专利权人：山东大学深圳研究院;山东大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅酞菁J‑聚集薄膜及其制备方法与在红外光电探测器中的应用。所述硅酞菁J‑聚集薄膜，是将式Ⅰ所示的硅酞菁溶解在有机溶剂中配成溶液，经旋涂、真空、高温自组装得到的。本发明的J‑聚集薄膜在近红外处(800‑900nm)吸收明显增加，并对近红外光有着优异的光电响应，表现为高的灵敏度和开关比。本发明的硅酞菁J‑聚集薄膜具有价格低，工艺简单，稳定性好，是一类新颖的有机J‑聚集薄膜，在有机近红外探测器领域具有极强的潜在应用价值。
一种硅酞菁聚集薄膜及其制备方法红外光电探测器中的应用

[发明专利]一种波导共振增强型光电探测器-CN200510119710.7无效
发明人：李成;陈荔群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种波导共振增强型光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种波导共振增强型光电探测器。提供一种可实现对入射光的有效限制和共振增强效应，提高器件的量子效率，同时使器件具有波长选择特性的一种波导共振增强型光电探测器，主要用于对近红外波段入射光的探测。是一种高量子效率的Si基光电探测器，工作波长从可见光到近红外光。器件尺寸与RC时间大幅减小，在相同的量子效率下可得到更高的响应速度。吸收区厚度不受SiGe临界厚度和响应速度限制。
一种波导共振增强光电探测器

[实用新型]红外碳硫分析仪用频率可调斩光装置-CN201220539818.7有效
发明人：杨立新 -专利权人：南京华欣分析仪器制造有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：一种红外碳硫分析仪用频率可调斩光装置，由斩光电机、斩光片座、电机座、红外光源模块、斩光片、碳池、气路接头、碳前放板、硫池管、硫池座、硫前放板、碳红外探测器、碳红外探测器及斩光电机可调驱动器组成，斩光电机安装在电机座上，红外光源模块安装在电机座内，斩光片座安装在斩光电机的转轴上，并穿过电机座和红外光源模块；电机座安装在带碳池上，碳前放板装在碳池上，硫前放板装在硫池座上；硫池管一端伸入硫池座内，另一端与红外光源模块相连；碳红外探测器装有碳滤光片，安装在碳前放板上，硫红外探测器安装硫前放板上；斩光电机可调驱动器用于驱动并调整斩光电机的转速。本实用新型结构简单、使用方便，可以提高红外碳硫分析仪的分析精度。
红外分析频率可调装置

[发明专利]基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法-CN201610729858.0在审
发明人：李伟;宋钦剑;郭国辉;钟豪;苟*豪;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、金属诱导刻蚀纳米结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P⁺型区、上电极，金属诱导刻蚀纳米结构层为纳米尖锥阵列，本发明将透射过空间电荷区的未吸收光进行多次反射，增加光的传播路程和光子捕获比，增加光的吸收和利用，更多的激发光生载流子，提高探测器的响应度，通过控制钌含量获得较窄的光学带隙，使硅材料的禁带宽度变窄，从而捕获能量更低、波长更长的近红外光，因此可以额外增加对近红外的吸收，扩展光电探测器的探测光谱范围。
基于金属诱导刻蚀红外增强 si pin 探测器及其制备方法

[发明专利]基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法-CN201610739136.3在审
发明人：李伟;郭国辉;宋钦剑;钟豪;侯伟;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种基于飞秒激光烧蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、飞秒激光烧蚀微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P⁺型区、上电极，飞秒激光烧蚀微结构层为微米尖锥阵列，本发明将透射过空间电荷区的未吸收光进行多次反射，增加光的传播路程和光子捕获比，增加光的吸收和利用，更多的激发光生载流子，提高探测器的响应度，通过控制钌含量获得较窄的光学带隙，使硅材料的禁带宽度变窄，从而捕获能量更低、波长更长的近红外光，因此可以额外增加对近红外的吸收，扩展光电探测器的探测光谱范围。
基于激光红外增强 si pin 探测器及其制备方法

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