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[实用新型]改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器-CN202221626205.7有效
发明人：深作克彦;生驹贵英 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善像素场效应晶体管GIDL的图像传感器，图像传感器包括像素场效应晶体管及外围逻辑场效应晶体管，像素场效应晶体管包括电荷传输栅极及漂浮扩散有源区，电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域与外围逻辑场效应晶体管的栅极边缘区域具有不同结构，使得电荷传输栅极中靠近漂浮扩散有源区一端的栅极边缘区域的电场强度低于电荷传输栅极的栅极中心区域的电场强度，以改善像素场效应晶体管的GIDL现象，提高CIS的图像质量。
改善像素场效应晶体管 gidl 图像传感器

[发明专利]复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器-CN201610883828.5有效
发明人：毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型场效应晶体管及其制备方法、控制器；复合型场效应晶体管包括横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管，横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管共用相同的漏端，结型场效应晶体管位于横向扩散MOS晶体管的边缘，结型场效应晶体管漂移区的长度大于横向扩散MOS晶体管漂移区的长度。本发明仅仅增大了整个器件的边缘部分区域的面积，提高了结型场效应晶体管的开态耐压，同时保持关态耐压不变。
复合型场效应晶体管及其制备方法控制器

[实用新型]复合型场效应晶体管及控制器-CN201621109938.8有效
发明人：毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合型场效应晶体管及控制器；复合型场效应晶体管包括横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管，横向扩散MOS晶体管和结型场效应晶体管共用相同的漏端，结型场效应晶体管位于横向扩散MOS晶体管的边缘，结型场效应晶体管漂移区的长度大于横向扩散MOS晶体管漂移区的长度。本实用新型仅仅增大了整个器件的边缘部分区域的面积，提高了结型场效应晶体管的开态耐压，同时保持关态耐压不变。
复合型场效应晶体管控制器

[发明专利]在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法-CN201110200041.1有效
发明人：苏毅;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下，提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管；传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着；包围主场效应管的电绝缘结构，使主场效应管的源极和本体区，与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处，并与传感场效应管的晶体管部分分隔开；传感场效应管源极垫通过传感场效应管探针金属，连接到传感场效应管的晶体管部分；配置绝缘结构，使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部
分立功率 mos 场效应集成传感器件方法

[发明专利]场效应晶体管、边缘结构及相关制造方法-CN201310205319.3有效
发明人：马荣耀;李铁生;王怀锋 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提出了一种场效应晶体管、用于该场效应晶体管的边缘结构及其制造方法。根据本公开的实施例，场效应晶体管包括形成于有效单元区域中的晶体管单元和形成于边缘区域中的边缘结构。该边缘结构包含多个槽型隔离单元，由边缘区域的内侧至外侧方向依次排布；其中最靠近边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将场效应晶体管的体区分隔成有效体区和电悬浮的悬浮体区；并且该起始槽型隔离单元与晶体管单元的栅区电耦接该边缘结构不仅能很好的将边缘区域与有效单元区域隔离，以保护有效单元区域中的晶体管单元不受边缘区域载流子的影响，而且解决了起始槽型隔离单元易于击穿的问题，具有相对较高的反向击穿电压和较好的工作稳定性。
场效应晶体管边缘结构相关制造方法

[实用新型]场效应晶体管及用于场效应晶体管的边缘结构-CN201320300304.0有效
发明人：马荣耀;李铁生;王怀锋 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提出了一种场效应晶体管及用于该场效应晶体管的边缘结构。根据本公开的实施例，场效应晶体管包括形成于有效单元区域中的晶体管单元和形成于边缘区域中的边缘结构。该边缘结构包含多个槽型隔离单元，由边缘区域的内侧至外侧方向依次排布；其中最靠近边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将场效应晶体管的体区分隔成有效体区和电悬浮的悬浮体区；并且该起始槽型隔离单元与晶体管单元的栅区电耦接该边缘结构不仅能很好的将边缘区域与有效单元区域隔离，以保护有效单元区域中的晶体管单元不受边缘区域载流子的影响，而且解决了起始槽型隔离单元易于击穿的问题，使晶体管具有相对较高的反向击穿电压和较好的工作稳定性
场效应晶体管用于边缘结构

[发明专利]一种MOS场效应管及其制造方法-CN200510110711.5无效
发明人：伍宏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-11-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS场效应管及其制造方法。本发明一种MOS场效应管，其介于源/漏－衬底PN结和栅边缘的某个位置到源漏硅化物边缘的栅氧厚度大于介于源/漏－衬底PN结和栅边缘的位置之间的栅氧厚度。本发明一种制造MOS场效应管的方法，包括以下步骤：第一步，阱离子注入，阱离子注入退火，和牺牲氧化层剥离；第二步，生长或淀积一层厚栅氧化层；第三步，完全刻蚀中间区域的厚栅氧；第四步，生长薄栅氧；第五步，已有工艺方法的正常后续步骤本发明适用于半导体工艺中的MOS场效应管制造工艺。
一种 mos 场效应及其制造方法

[发明专利]抗总剂量效应的MOS场效应管-CN201811440768.5有效
发明人：刘淼;康晓峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗总剂量效应的MOS场效应管，属于MOS场效应管的设计技术领域。该场效应管在源区和漏区的边缘使用多晶硅环绕源区和漏区两极，同时多晶硅覆盖有源区的边缘形成的蝴蝶柵形结构，因为P管不存在边缘寄生晶体管反型的问题，所以只对N管采用蝴蝶栅结构。该蝴蝶柵形结构能够完全消除辐射感生边缘寄生晶体管效应，并且与商用工艺相兼容，使用该方法设计的集成电路，能够在整体上具有抗总剂量效应的功能。
剂量效应 mos 场效应

[发明专利]一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法-CN202111311073.9有效
发明人：陈长鑫;王坤婵;周庆萍;江圣昊;胡蓓;李欣悦 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材料作为栅极，得到背栅结构的基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管；本发明使用宽度为1～5nm的窄的石墨烯纳米带制备得到场效应晶体管，由于制得的石墨烯纳米带具有很窄的宽度使其具有大的带隙，从而使得由其制备的场效应晶体管具有高的开关比，同时制得的石墨烯纳米带具有光滑的边缘使制备的场效应晶体管具有高的场效应迁移率。
一种基于石墨纳米场效应晶体管制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98118821.4在审
发明人：江尻洋一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 1998-09-02 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：结型场效应晶体管与双极型晶体管连接起来的复合型双极型晶体管器件，可保证良好和稳定的特性而不会导致结型场效应晶体管中较大的面积。双极型晶体管的收集极和结型场效应晶体管的源极连接起来，结型场效应晶体管的栅区、栅极接触导电层和用于漏区的漏极接触导电层由用相同的导电材料或互不相同的材料形成为各自不同的层的导电层形成，栅极接触导电层的漏极一侧的边缘部分的配置表面位于在漏极接触导电层的栅极一侧的边缘部分的配置表面之下
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种MOS场效应管及其制作方法-CN200510111432.0无效
发明人：伍宏;陈晓波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS场效应管，该MOS场效应管多晶硅栅的宽度，从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内的某处到硅区域与浅沟道隔离区域交界处线性地增加。本发明一种制作MOS场效应管的方法，首先，根据反窄沟道效应的严重程度，MOS场效应管的综合特性，定义该多晶硅栅形状改变的几何参数；其次，根据第一步中确定的几何参数改变版图。本发明在通过线性增加场效应管边缘的多晶硅栅的宽度，等效于增加“寄生晶体管”的沟道长度，降低其漏电流并提高“寄生晶体管阈值电压，从而降低总晶体管的漏电流并提高总晶体管的阈值电压。从而改善MOS场效应管反窄沟道效应引起的阈值电压下降的问题。
一种 mos 场效应及其制作方法

[发明专利]场效应晶体管、片上系统以及制造其的方法-CN201811494404.5在审
发明人：马克·S·罗德尔;博尔纳·奧布拉多维奇;达尔门达·帕勒;雷维基·森古普塔;穆罕默德·阿里·普尔卡迪里 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种互补金属氧化物半导体片上系统，包含一系列部分环绕栅极场效应晶体管。每一个部分环绕栅极场效应晶体管包含：鳍，具有沟道区的堆叠；源区和漏区，位于鳍的相对侧上；介电分隔区，包含第一沟道区与第二沟道区之间的介电材料；栅极堆叠，位于鳍上；以及一对侧壁间隔物，位于栅极堆叠的相对侧上介电分隔区的一部分具有从介电分隔区的外边缘到相应侧壁间隔物的内边缘的长度。部分环绕栅极场效应晶体管中的一个的介电分隔区的部分的长度与部分环绕栅极场效应晶体管中的另一个的介电分隔区的部分的长度不同。也提供一种场效应晶体管和制造互补金属氧化物半导体片上系统的方法。
分隔区栅极场效应晶体管介电片上系统沟道区环绕互补金属氧化物半导体场效应晶体管侧壁间隔物栅极堆叠介电材料内边缘外边缘堆叠漏区源区制造

[发明专利]一种压力传感器及其制备方法-CN201811366144.3有效
发明人：黄晓东;曹远志;黄见秋;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体压力传感器，半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构，半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管，顶栅型场效应晶体管包括设置在第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖源极/漏极的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的栅极，栅极为压电层；正对顶栅型场效应晶体管设置在所述第二衬底下表面的凹槽，源极/漏极对称设置在所述凹槽的两侧，栅极的外侧端部边缘覆盖源极/漏极的内侧的端部边缘或者与源极/漏极的内侧的端部边缘相对齐。本发明的半导体压力传感器通过压电效应产生的压电电荷为晶体管的栅极提供偏置，无需外加栅压就能工作，具有低功耗、高灵敏度的优点。
一种压力传感器及其制备方法

[发明专利]具有低夹断电压的半导体器件-CN202210149364.0在审
发明人：傅达平;连延杰 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：公开了一种具有低夹断电压的半导体器件，该半导体器件包括结型场效应晶体管。其中结型场效应晶体管包括半导体衬底，形成于半导体衬底中的第一阱区，第一边缘栅，第二边缘栅，源极和漏极。其中第一边缘栅和第二边缘栅形成于第一阱区中，且第一边缘栅的深度，第二边缘栅的深度和第一阱区的深度相同，其中源极和漏极形成于第一阱区中。
具有断电半导体器件

[发明专利]包括无边缘晶体管的晶体管电路及其制造方法-CN202280016896.5在审
发明人：岩田大;中辻広志;小川裕之;藤仓荣一;赤岩俊;云晃洋 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了，第一场效应晶体管包含第一有源区、覆盖在该有源区上面的第一栅极介电质和覆盖在该第一栅极介电质上面的第一栅极电极，该第一有源区包括源极区、漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的沟道区。第二场效应晶体管包含第二有源区、覆盖在该有源区上面的第二栅极介电质和覆盖在该第二栅极介电质上面的第二栅极电极，该第二有源区包括源极区、漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的沟道区。该第一场效应晶体管包括边缘区，在该边缘区中，该第一栅极电极垂直于该源极区至该漏极区方向延伸经过该有源区，并且该第二场效应晶体管不包括该边缘区。
包括边缘晶体管电路及其制造方法

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