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[发明专利]一种光电计算单元-CN201910259566.9有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京威派视半导体技术有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：其中，发光单元的发光面紧贴着计算单元的输入面；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区。
一种光电计算单元

[发明专利]一种利用光学结构输入的光电计算阵列-CN201910259622.9有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京威派视半导体技术有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：发光阵列发出的光经过光学结构调制后输入计算阵列；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区。
一种利用光学结构输入光电计算阵列

[发明专利]一种可实现高精度光输入的光电计算装置-CN201910259624.8有效
发明人：王瑶;李张南 -专利权人：南京吉相传感成像技术研究院有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：包括由多个发光单元周期排列组成的发光阵列和由多个计算单元周期排列组成的计算阵列，发光阵列发出的光入射到计算阵列中；计算单元包括载流子控制区、耦合区、以及光生载流子收集区和读出区；载流子控制区用于控制并调制光生载流子收集区和读出区内的载流子；光生载流子收集区和读出区中的收集区用于吸收发光单元发射的光子并收集产生的光生载流子；载流子控制区或者光生载流子收集区和读出区中的读出区与电信号连接，读出区用于输出被光生载流子和电信号作用后的载流子；耦合区连接收集区和读出区
一种实现高精度输入光电计算装置

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法-CN201910649098.6在审
发明人：李国兴;盛义忠;薛胜元;康智凯;黄冠凯;吴建良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管，包含一载流子传输层、一载流子供应层、一主栅极、一控制栅极、一源极电极以及一漏极电极。载流子传输层位于一基底上。载流子供应层位于载流子传输层上。主栅极以及控制栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于主栅极以及控制栅极的相对两侧，其中源极电极以一金属内连线结构电连接控制栅极。
电子迁移率晶体管及其形成方法

[发明专利]基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管及其制作方法-CN202111574688.0在审
发明人：刘艳;曾培林;周久人;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管，主要解决现有技术栅控能力弱，器件性能差的问题，其包括：纳米线沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、控制栅极(4)、栅极隔离区(5)、编程栅极(6)、载流子控制层(7)和侧墙(8)，该源区和漏区分别位于圆柱状纳米线沟道的两端，载流子控制层和侧墙包裹在纳米线沟道的外侧，且侧墙位于载流子控制层的两端，厚度大于载流子控制层；该控制栅极、栅极隔离区和编程栅极从左到右分布在载流子控制层的外部，其中载流子控制层采用铁电材料，通过改变两个栅极的脉冲极性，使该层极化反转，实现不同类型的载流子掺杂。
基于掺杂拱形不对称可重构场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]高速LED光通信调制器-CN201510331085.6有效
发明人：陈敦军;雷建明;谢自力;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
高速 led 光通信调制器

[发明专利]宽频谱光学传感器-CN202211730294.4有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及“宽频谱光学传感器”，公开了一种光学传感器，包括：半导体基板；形成在半导体基板中的包括收集电子的第一载流子收集区和收集空穴的第二载流子收集区的第一光吸收区，其吸收第一波长范围内的光子并产生光载流子；在第一光吸收区的一部分上的第二光吸收区，其吸收第二波长范围内的光子并产生光载流子；耦合到第一读取电路并向其提供由第一载流子收集区收集的电子的第一读取区；耦合到控制第一载流子收集区和第一读取区之间的载流子传输的第一控制信号的第一栅极；耦合到第二读取电路并向其提供由第二载流子收集区收集的空穴的第二读取区；和耦合到控制第二载流子收集区和第二读取区之间的载流子传输的第二控制信号的第二栅极。
宽频光学传感器

[发明专利]发光元件、发光装置和电子装置-CN200710127179.7有效
发明人：铃木恒徳;濑尾哲史;野村亮二 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的发光元件包括在一对电极之间的发光层和用于控制载流子运动的层。用于控制载流子运动的层包括具有载流子传输特性的第一有机化合物，和用于降低第一有机化合物的载流子传输特性的第二有机化合物，并且第二有机化合物分散在第一有机化合物中。以这种方式提供用于控制载流子运动的层，由此可以抑制载流子平衡随时间的变化。因此可以得到一种具有长使用寿命的发光元件。
发光元件装置电子

[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示装置-CN201810004382.3有效
发明人：顾鹏飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置，通过设置与有源层绝缘设置的载流子调控层，可以根据不同TFT的初始阈值电压Vth的需要来调控载流子调控层的载流子浓度，在薄膜晶体管制作过程中，有源层、绝缘层和载流子调控层一经接触，费米能级就会达到平衡，有源层会感应出与载流子调控层等量异种的电荷，从而可以控制调节有源层的载流子浓度，进而实现调节TFT的初始阈值电压Vth的大小。因此，本发明实施例提供的阵列基板不需要调整栅绝缘层和有源层的总氧含量来控制TFT的阈值电压Vth，只需调整载流子调控层的载流子浓度即可实现控制调节TFT不同的初始阈值电压Vth，实现同时兼顾TFT膜层的均一性和准确控制
一种阵列制备方法显示装置

[发明专利]发光元件、发光装置和电子装置-CN201110026329.1有效
发明人：铃木恒徳;濑尾哲史;野村亮二 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的发光元件包括在一对电极之间的发光层和用于控制载流子运动的层。用于控制载流子运动的层包括具有载流子传输特性的第一有机化合物，和用于降低第一有机化合物的载流子传输特性的第二有机化合物，并且第二有机化合物分散在第一有机化合物中。以这种方式提供用于控制载流子运动的层，由此可以抑制载流子平衡随时间的变化。因此可以得到一种具有长使用寿命的发光元件。
发光元件装置电子

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201680040999.X有效
发明人：张坤好;张宇昊 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：分层结构，该分层结构形成在所述半导体装置的不同深度平行延伸的多个载流子沟道；以及栅电极，该栅极电极具有不同长度的多个栅极指，多个栅极指穿透所述分层结构以到达并控制处于不同深度的对应载流子沟道所述半导体装置还包括载流子电极，该载流子电极具有不同长度的多个载流子指，多个载流子指穿透所述分层结构以接入对应的载流子沟道。所述载流子指与所述栅极指相间交错。
半导体装置制造方法

[发明专利]非易失性存储装置-CN97103086.3无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-03-24 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。
非易失性存储装置

[发明专利]非易失性存储装置-CN03158490.X无效
发明人：崔雄林;罗庚晚 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-03-24 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。
非易失性存储装置

[发明专利]有机光导鼓流水线涂布工艺-CN201210475432.9有效
发明人：姚国祥;吴威威 -专利权人：宁波舜韵光电科技有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G03G5/06 文献下载
摘要：本发明公开了有机光导鼓流水线涂布工艺，它包括步骤：步骤1）在鼓基上采用浸涂法涂布载流子阻挡层；步骤2）在所述载流子阻挡层上采用浸涂法涂布载流子产生层；步骤3）在所述载流子产生层上采用浸涂法涂布载流子传输层本发明有机光导鼓流水线涂布工艺通过控制载流子阻挡层、载流子产生层、载流子传输层涂布工艺涂料温度、涂料浓度、涂液流量、浸涂下降提升速度、排气点控制、浸涂高度、干燥温度时间等使本发明涂布工艺所制备得到的成品涂层均匀
有机光导鼓流水线工艺

[发明专利]一种膜层退火设备及退火方法-CN201710543723.X有效
发明人：王明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：所述膜层退火设备包括：承载台，用于承载形成有半导体膜层的基板；多个加热器，用于对半导体膜层各区域进行分别加热；载流子检测装置，用于检测半导体膜层各区域的载流子浓度；控制装置，控制装置分别与载流子检测装置和每个加热器连接，控制装置根据载流子检测装置所检测的半导体膜层各区域的载流子浓度，调整加热器对半导体膜层中对应区域进行加热的加热温度，使半导体膜层各区域的载流子浓度相同。
一种退火设备方法

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