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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于碱金属原子弛豫率变化测量气体扩散常数的方法-CN201711033721.2有效
发明人：傅杨颖;袁杰 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碱金属原子弛豫率变化测量气体扩散常数的方法，包括步骤：用二次函数y＝a*(x+b)2+c对测量得到的横向弛豫率随纵向磁场梯度变化规律进行拟合将磁场梯度引起的碱金属原子弛豫这一弊端转化为可利用的资源，充分利用了磁力仪中碱金属原子横向弛豫率受磁场梯度影响这一特点，提出了一种利用磁力仪中碱金属原子横向弛豫率随纵向磁场梯度变化情况实现气体扩散常数测量的方案
基于碱金属原子弛豫率变化测量气体扩散常数方法

[发明专利]一种基于Fe₃O₄@Au的磁性弛豫开关及其制备方法-CN201010191633.7无效
发明人：梁国海;孔继烈 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01R33/50 文献下载
摘要：本发明属于磁性弛豫开关检测技术领域，具体为一种基于Fe3O4@Au的磁性弛豫开关及其制备方法。本发明的磁性弛豫开关，采用的探针为表面修饰有识别分子的花朵状磁性纳米颗粒，该花朵状磁性纳米颗粒为Fe3O4@Au核壳结构。探针的粒径在50-70nm，探针的弛豫度为R2＝9.35mM-1·s-1。本发明解决了目前磁性弛豫开关技术实施不方便，检测结果不稳定的问题。
一种基于 fe sub au 磁性开关及其制备方法

[发明专利]基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法-CN201210046230.2有效
发明人：卞剑涛;狄增峰;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：根据本发明的制备方法，首先制备（100）/（110）全局混晶SOI结构；接着，在全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层后，再形成（110）外延图形窗口，并在（110）外延图形窗口处外延（110）硅层及非弛豫的锗硅层后，使图形化混晶SOI结构表面平坦化，接着再形成隔离器件的隔离结构，最后在（110）衬底部分制备P型高压器件结构、在（100）衬底部分制备N型高压器件结构和/或低压器件结构，由此可有效提高各器件的载流子迁移率
基于混合 soi 沟道应力器件系统结构制备方法

[发明专利]食用明胶品质的低场核磁共振检测方法-CN201310594265.4在审
发明人：王欣;黄远芬;夏义苗;刘宝林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种食用明胶品质的低场核磁共振检测方法，该方法包括以下步骤：a、将食用明胶、工业明胶按照与水的质量体积浓度为25％的比例溶解于蒸馏水中后，进行低场核磁共振检测，由此得到纯明胶的低场核磁共振弛豫图谱信息；配制一系列掺有不同质量分数工业明胶的食用明胶掺伪样品，进行低场核磁共振检测，得到各掺伪样品的低场核磁共振弛豫图谱信息，建立食用明胶低场核磁共振弛豫图谱信息数据库；b、将待测明胶样品进行低场核磁共振检测，并将得到的弛豫图谱信息与食用明胶低场核磁共振弛豫图谱数据库中的弛豫图谱信息进行分析比较，确定待测食用明胶中是否掺有工业明胶。
食用明胶品质核磁共振检测方法

[发明专利]一种基于弛豫的原子磁强计极化率测量方法-CN202310308030.8在审
发明人：翟跃阳;李任杰;李佳洁 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：一种基于弛豫的原子磁强计极化率测量方法，以原子磁强计为主要研究对象，利用色散曲线获得磁强计的磁线宽，进而获得磁强计的总弛豫率。并通过大范围变动磁强计的抽运光功率密度，获得总弛豫率随光功率密度的变化关系，同时考虑弛豫率饱和的部分，并对此关系进行拟合，分别获得抽运率与其他弛豫率，此时即可获得原子磁强计的极化率。此方法由于考虑了弛豫率的饱和，大大提高了极化率测量的精度和可靠性，并可同时应用于单轴磁强计、双轴磁强计和三轴磁强计，而不需要任何额外的辅助或校准设备。
一种基于原子磁强计极化测量方法

[发明专利]拟饱含水核磁共振自旋回波信号的分解与合成方法-CN201310418890.3有效
发明人：刘堂晏;邬龙;薛苗苗;王红涛;潘豪杰;王飞飞 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01V3/14 文献下载
摘要：根据已知的饱和度数据和对应的弛豫信号，优化拟合确定不同油样饱和度对弛豫过程的影响系数。对于不同含油饱和度的弛豫信号，用同体积的盐水取代其中的油样，通过引入所述的影响系数，表征不同含油饱和度油样对弛豫信号的影响，据此写出不同含油饱和度下拟饱含水核磁共振弛豫信号。反演拟饱含水岩心的自旋回波弛豫信号，可以在一定程度上消除不同流体类型和不同饱和度的影响，提高核磁共振信号对岩石孔隙结构和流体的识别能力。
含水核磁共振自旋回波信号分解合成方法

[发明专利]反复弯曲器件用粘着剂、粘着片、反复弯曲层叠构件及反复弯曲器件-CN201911267057.7有效
发明人：七岛祐;小泽祐树;渡边旭平;小鲭翔 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C09J133/08 文献下载
摘要：所述反复弯曲器件用粘着剂用于贴合构成被反复弯曲的器件的一个可弯曲构件与另一个可弯曲构件，以JIS K7244‑1为基准，将使该粘着剂变形10％时所测定的最大的弛豫模量值设为最大弛豫模量G(t)max(MPa)，从测定到该最大弛豫模量G(t)max开始至3757秒后持续使该粘着剂变形10％，将在此期间测定的最小的弛豫模量值设为最小弛豫模量G(t)min(MPa)，由以下式(I)计算的弛豫模量变动值ΔlogG(t)为0.33以上1.50以下。
反复弯曲器件粘着层叠构件

[发明专利]一种基于激发态载流子瞬态吸收分布的弛豫时间计算方法-CN202011089022.1在审
发明人：张怿;阿热帕提·西尔买买提;刘爽;汤亮亮;王沛;许昌 -专利权人：河海大学
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激发态载流子瞬态吸收分布的弛豫时间计算方法。该计算方法的适用对象为半导体光伏材料，特别是卤化物钙钛矿光伏材料，该方法所需的主要实验数据包括适用对象的飞秒瞬态吸收光谱；该计算方法通过Matlab数学软件对实验数据进行分析拟合以获得皮秒时间尺度下的依时性载流子温度，并据此利用多指数牛顿弛豫方程计算激发态载流子弛豫时间。本发明可准确可靠的计算半导体光伏材料的依时性载流子温度及其对应弛豫时间。
一种基于激发态载流子瞬态吸收分布弛豫时间计算方法

[发明专利]用选择性外延淀积制造应变硅CMOS结构的方法-CN01123081.9有效
发明人： K·里姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-07-25 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：制作了一种应变硅CMOS结构，其制作步骤包括：在衬底表面上制作SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层中制作隔离区和阱注入区；以及在所述SiGe弛豫层上制作应变硅层。
选择性外延制造应变 cmos 结构方法

[发明专利]一种用于金属带材的多级弛豫调控热处理设备及热处理工艺-CN202211348449.8在审
发明人：张涛;张文峰;张听;孙诚 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C21D9/573 文献下载
摘要：本发明涉及金属薄带状材料的热处理技术领域，尤其涉及Fe基、Co基非晶合金带材的一种多级弛豫调控热处理设备及热处理工艺；包括依次设置的放料装置、多级弛豫调控装置、急冷装置、温控装置和收卷装置；所述多级弛豫调控装置包括n+1组高导热辊，其中n为大于等于1整数，每组高导热辊包括两个高导热辊体并且呈平行排列，每组高导热辊分别与温控装置进行连接，本发明的一种用于金属带材的多级弛豫调控热处理设备不仅能够精准调控非晶合金的结构弛豫过程以获得预期性能
一种用于金属多级调控热处理设备工艺

[发明专利]用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法-CN202310298484.1在审
发明人：吴家刚;吴肖骏;殷杰;文澜骥;吴超 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N30/06 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，公开了用于钛酸铋钠基弛豫铁电体的电致应变增强方法。本发明通过对传统固相法合成的位于临界位置附近的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷进行交流电场的预极化操作，在遍历的钛酸铋钠基弛豫体中引诱出原生性的大尺寸的非遍历极性区域，降低场致应变过程中的成核势垒，显著增强电致应变效应本发明的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷通过简单处理后在60 kV/cm电场激励下的电致应变相比于初始状态存在明显的提升，具有比普通钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷更为优异的性能。
用于钛酸铋钠基弛豫铁电体应变增强方法

[发明专利]一种储层孔径分布获取方法及装置-CN201710993702.8有效
发明人：胡法龙;李潮流;李长喜;奎萌;王昌学;徐红军 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G01V3/38 文献下载
摘要：所述方法包括：获取待分析井段的测井资料；根据所述测井资料和预先构建的弛豫率温度转化函数，获取待分析井段所在温度对应的有效横向表面弛豫率，所述弛豫率温度转化函数根据横向表面弛豫率和温度之间的关系构建；根据所述有效横向表面弛豫率和所述测井资料
一种孔径分布获取方法装置

[发明专利]一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法-CN201110223233.4无效
发明人：王向展;于奇;杨洪东;王微 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料(如硼硅玻璃、或硼磷硅玻璃)；再采用高温退火，或快速热退火等退火技术，修复锗硅(SiGe)层中因离子注入而产生的晶格损伤，并使应力完全弛豫；利用硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层中间形成的材料的黏性和流动性，使得上面的锗硅(SiGe)缓冲层中的应力弛豫。采用本发明，可制作一种厚度薄，弛豫度高，表面质量好的锗硅(SiGe)缓冲层。
一种具有高弛豫度 sige 缓冲制备方法

[发明专利]硅锗/绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法-CN02148143.1无效
发明人：许胜藤;D·J·特威特;D·R·埃文斯 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：尤其是，通过生长SiGe外延层，然后在550－1050℃之间的温度使其弛豫退火，而将SOI的顶硅层转化为Si1－xGex。该温度处理使SiGe弛豫，以将Ge顶硅层转化为弛豫的SiGe层并且消除了SOI膜中的缺陷。因此，可得到缺陷密度非常低的晶体。该SiGe层覆盖有外延的硅层。因为该硅层生长在弛豫的SiGe上，所以顶硅层是应变的硅层。因此，得到了更高的电子和孔穴迁移率。埋入的氧化物界面作为SiGe弛豫的缓冲区。不需要缓变的SiGe层。
硅锗绝缘体外延互补金属氧化物半导体及其制造方法

[发明专利]高强度低收缩的聚酯拉伸纱线及其制造方法-CN03817900.8有效
发明人：金允照;李水真 -专利权人：株式会社可隆
申请日： 2003-07-26 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： D01D5/098 文献下载
摘要：这种高强度低收缩聚酯拉伸纱线在最终温度设定为170℃的热弛豫和收缩应力曲线上具有5％到100％的热弛豫应力变化率和50％到140％的热弛豫应力面积比。通过设置骤冷延迟区I的直接纺纱拉伸(DSD)过程制造高强度低收缩聚酯拉伸纱线的方法，是用设置在低于绝缘板3底面500到1500毫米处的上油装置8向正纺的纱线施加纺纱油，用设置在弛豫区III导丝辊之间的一个或两个张力导纱器9控制纱线的弛豫应力，或者同时设置上油装置8和张力导纱器9。
强度收缩聚酯拉伸纱线及其制造方法

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