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[发明专利]在金属衬底上的半导体异质结构中具有应变沟道的功率MOSFET-CN200980138320.0有效
发明人：塔特·恩盖;王琦;乔尔·夏普 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一半导体层具有处于弛豫异质结构中的第一半导体材料和第二半导体材料并且是重度掺杂的。第二半导体层覆于第一半导体层上并具有处于弛豫异质结构中的第一半导体材料和第二半导体材料。应变沟道区提供增强的载流子迁移率并改善场效应晶体管的性能。
金属衬底半导体结构具有应变沟道功率 mosfet

[发明专利]一种多孔介质的选层T2弛豫谱快速测试方法-CN202010964273.3在审
发明人：王为民;马德铭;朱涛涛;丁耀 -专利权人：北京大学;北京斯派克科技发展有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明公布了一种多孔介质的选层T2弛豫谱快速测试方法，通过设计具有选层功能的T2弛豫谱测试脉冲序列，在恒定选层梯度下，用CPMG脉冲序列同时对空间位置点进行选层编码，实现多孔介质中不同选层位置的核磁共振T2弛豫谱的测试分析，能够获取多孔介质不同位置的物性参数特征。
一种多孔介质 t2 弛豫谱快速测试方法

[发明专利]一种基于弛豫电压特征的电池内短路诊断方法-CN202010456801.4有效
发明人：戴海峰;魏学哲;王学远;张广续 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01R31/3835 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于弛豫电压特征的电池内短路诊断方法，包括以下步骤：1)在相同的电池条件下，获取电池中每个电池单体在卸载电流后的弛豫电压曲线；2)对每个电池单体的弛豫电压曲线进行特征提取，获取对应的曲线特征
一种基于电压特征电池短路诊断方法

[发明专利]一种非晶合金的热处理方法-CN201810310296.5有效
发明人：何娜娜;王军强;霍军涛;许巍;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：该方法将热处理与弛豫相结合，首先以时间与温度作为二维坐标系构建弛豫激活能谱图，得到β弛豫激活能区到α弛豫激活能区之间的二维过渡区，然后选择该过渡区间作为热处理区，即，热处理温度与保温时间所构成的二维区域位于该过渡区间内
热处理弛豫非晶合金激活能过渡区间二维坐标系二维区域非晶带材热处理区软磁性能过渡区带材二维构建快淬保温凝固应用

[发明专利]利用图案化电荷标记研究聚合物弛豫现象的方法-CN201510767000.9在审
发明人：吝子红;关丽;张建平 -专利权人：中国人民大学
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用图案化电荷标记研究聚合物弛豫现象的方法。印章对聚合物薄膜进行图案化注电，在所述聚合物薄膜的表面构筑出电荷图案；所述PDMS印章为表面具有微纳米图案结构的PDMS模板；所述PDMS印章的上表面和下表面均镀有金属；2)研究所述聚合物薄膜在温度刺激或溶剂刺激条件下的弛豫现象发明提供的图案化电荷标记研究聚合物弛豫的方法，以图案化的静电荷能够在微尺度下作为一种标记，实时观察、定量测量注电区域和非注电区域在弛豫过程中相关参量的对比和反差，提供了一条更直观的观察介电弛豫差异的方法
利用图案电荷标记研究聚合物现象方法

[发明专利]用于磁共振的化学交换饱和转移定量方法、装置及介质-CN202011437343.6在审
发明人：吴垠;孙哲;郑海荣;刘新 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01R33/561 文献下载
摘要：本申请的定量方法包括：获取水的纵向弛豫率；预设基于非稳态实验条件下计算水的自旋锁弛豫率的变形公式，变形公式的至少一个变形参数为非稳态实验条件下的饱和信号与无饱和参考信号的比值；获取非稳态实验条件下的多项参数，并根据上述参数计算变形公式，获取水的自旋锁弛豫率；基于水的纵向弛豫率与水的自旋锁弛豫率，获取稳态实验条件下的磁共振化学交换饱和转移信号；基于该信号获取稳态实验条件下的磁共振化学交换饱和转移效应。
用于磁共振化学交换饱和转移定量方法装置介质

[发明专利]一种页岩表面弛豫率的确定方法-CN202210582407.4在审
发明人：张昆;刘培;彭军;谭洁;李斌;袁雪皎;韩凤丽;刘伟伟;程四洪;王雪莹;张丽雯;陈学成;郑泽昊;叶赖婷;王泽云;黄震 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种页岩表面弛豫率的确定方法，包括以下步骤：通过核磁共振实验获取目标岩样的弛豫时间‑孔隙体积分布曲线；通过高压压汞实验获取目标岩样的孔喉半径‑孔隙体积分布曲线；以所述孔隙体积为纵坐标，在同一坐标系下做弛豫时间分布曲线和孔喉半径分布曲线获得弛豫时间/孔喉半径‑孔隙体积分布曲线；在所述弛豫时间/孔喉半径‑孔隙体积分布曲线的区域范围内做N条平行于y＝0的直线；根据所述直线与所述弛豫时间曲线和所述孔喉半径分布曲线的交点，计算每个交点的表面弛豫率；对各个表面弛豫率求均值，获得目标岩样最终的表面弛豫率。本发明能够对不同的岩样进行计算，获取其表面弛豫率值，提高孔喉结构表征的准确性和实用性。
一种页岩表面弛豫率确定方法

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211462897.0在审
发明人：孔真真;张毅文;刘靖雄;任宇辉;王桂磊;李俊峰;高建峰;周娜;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法通过在第二硅衬底上依次生长高低温Ge层、GeSi反向渐变缓冲层和完全弛豫的GeSi应变弛豫层之后，将第二硅衬底上的GeSi应变弛豫层键合在第一硅衬底上的电介质层上，之后再去除第一硅衬底、高低温Ge层和GeSi反向渐变缓冲层，并减薄GeSi应变弛豫层，最后在减薄后的GeSi应变弛豫层上外延生长压应变锗层，实现高迁移率的压应变锗层GOI结构，同时制造出高迁移率、少杂质沾污
一种半导体结构制备方法

[发明专利]一种气体绝缘变压器PET材料的老化评估方法、设备及介质-CN202211324020.5在审
发明人：张大宁;李泉浩;许璐琳;李璇;冯馨缘;穆海宝;张冠军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：方法包括：通过FDS频域介电谱测试仪对待评估气体绝缘变压器的PET材料进行测量，以获取对应的频域介电谱函数；通过预设的弛豫峰分析算法，对频域介电谱函数进行计算，以确定频域介电谱函数包含的弛豫过程的数量，并基于弛豫过程的数量，确定待应用H‑N弛豫模型；利用待应用H‑N弛豫模型对频域介电谱曲线进行拟合，以获得频域介电谱函数对应的老化状态评估参数，并基于老化状态评估参数，通过预设的等效老化时间算法，确定PET
一种气体绝缘变压器 pet 材料老化评估方法设备介质

[发明专利]基于矿物成分拟合的岩心表面弛豫速率确定方法-CN202210287966.2在审
发明人：张天骄;张伟忠;史士龙;李晓晨;韩敏;吴明荣;徐元刚;王丽;杨淑霞;郭丽娟 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司胜利油田分公司物探研究院
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于矿物成分拟合的岩心表面弛豫速率确定方法，包括：步骤1，将岩心样品烘干，测量饱和状态核磁共振衰减曲线，反演成横向弛豫时间T2谱；步骤2，计算岩心的孔径分布；步骤3，计算每块岩心的核磁共振T2几何平均值和孔喉半径平均值；步骤4，计算岩心的矿物成分及含量；步骤5，采用单因素法分析表面弛豫速率与不同矿物含量的关系，筛选出主控因素；步骤6，采用多元回归法建立表面弛豫速率与矿物含量的关系，实现基于矿物成分的表面弛豫速率建模。该方法可解决复杂岩性或成岩相表面弛豫速率确定困难的问题，实现核磁共振弛豫时间与孔喉半径之间的转换，对岩石孔隙结构的定量表征及核磁共振测井的刻度具有重要意义。
基于矿物成分拟合岩心表面速率确定方法

[发明专利]一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法-CN200910076424.5有效
发明人：郭磊;王敬;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-01-07 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD低温淀积一层二氧化硅覆盖在所述薄锗硅层上；进行高温快速热退火，使所述薄锗硅层完全弛豫；去掉氧化层，得到薄的表面粗糙度低的高质量高锗含量的弛豫锗硅材料层。本发明在半导体硅衬底上通过综合采用低温减压外延，低温淀积氧化层，快速热退火等工艺方法制备出一层高质量高锗含量表面粗糙度低的弛豫薄锗硅(SiGe)虚拟衬底，应用于未来CMOS工艺中各种沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上
一种弛豫薄 sige 虚拟衬底制备方法

[发明专利]一种扩散T2弛豫二维谱的校正方法和装置-CN201910850236.7有效
发明人：薛志波;姜志敏;党煜蒲;张嘉伟;张国强;李东;刘世明;张璋 -专利权人：中国海洋石油集团有限公司;中海油田服务股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01V3/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种扩散T2弛豫二维谱的校正方法和装置，包括：根据第一梯度场对多维核磁共振回波数据进行反演得到原始的扩散T2弛豫二维谱；根据原始的扩散T2弛豫二维谱中受内部梯度场影响明显的区域的扩散系数计算内建梯度场；根据第一梯度场和内建梯度场之和对多维核磁共振回波数据进行反演得到校正后的扩散T2弛豫二维谱。本发明实施例基于原始的扩散T2弛豫二维谱中受内部梯度场影响明显的区域的扩散系数消除了内部梯度场的影响，保证了同一流体处于不同弛豫时间T2的谱峰具有相同的扩散系数，提高了精度；能够适用更多的应用场景。
一种扩散 t2 二维校正方法装置

[发明专利]磁共振成像中组织特性的适应性和互动性评估-CN201310669924.6有效
发明人：钟晓东;M·D·尼克尔;S·坎宁吉泽 -专利权人：西门子保健有限责任公司;西门子公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：在一个示例性实施例中，组织的横向弛豫值或横向弛豫速率，其可以从MR图像中轻易测得，被用于评估组织中的铁沉积。铁沉积影响了组织的横向弛豫值(T2或T2*)或弛豫速率(R2＝1／T2或)。
磁共振成像组织特性适应性互动评估

[发明专利]获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法-CN201310229132.7有效
发明人：李飞;张树君;李振荣;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明涉及一套获得单畴弛豫铁电单晶的极化方法，包括了针对于四方相、三方相及正交相铁电晶体的极化方法，其步骤是将晶体加热使之温度高于该晶体的居里温度后，在晶体上施加相应方向上的直流电场，之后在带场情况下使晶体缓慢降温至室温，即获得极化的四方相、三方相或正交相弛豫铁电单畴晶体。采用本发明所述方法可保证弛豫铁电单晶的高度单畴化，并且在极化后无晶体开裂现象，为单畴弛豫铁电单晶的应用起到了推进作用。
获得单畴弛豫铁电单晶极化方法

[发明专利]一种抗弛豫涂层和碱金属气室及方法-CN201910466503.0有效
发明人：房建成;池浩湉;全伟;周斌权;丁中亚;陆吉玺 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C03C17/30 文献下载
摘要：一种抗弛豫涂层和碱金属气室及方法，通过在玻璃表面镀制有机硅烷类抗弛豫材料复合涂层以密实涂层的覆盖结构或者说增大覆盖面积，有利于提升抗弛豫涂层的质量，进而提升碱金属气室的抗弛豫效果其特征在于，包括玻璃基体表面
一种抗弛豫涂层碱金属方法