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[发明专利]一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置及方法-CN202210001980.1有效
发明人：夏钰坤;夏宗仁;夏文英;张婷 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸X轴或Y轴掺镁铌酸锂单晶极化装置，包括：极化炉，用于掺镁铌酸锂单晶的极化；坩埚，内置于极化炉，作为极化容器；弧形负电极、弧形正电极，相对设置且分别连接有引出线引出至极化炉外；掺镁铌酸锂单晶，立放于坩埚内且处于弧形负电极、弧形正电极所围的柱面空间内；所述坩埚、弧形负电极、弧形正电极、掺镁铌酸锂单晶之间填充LN晶粉。本发明采用立放的方式取代现有的卧放方式，避免了极化过程中可能出现的各种极化失败的风险，使得掺镁铌酸锂单晶单畴化完全，成功率高。
一种尺寸轴掺镁铌酸锂单晶极化装置方法

[发明专利]基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法-CN201810536490.5有效
发明人：郑大怀;宋晓鹏;孔勇发;李文灿;贾龙飞;王烁琳;刘宏德;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
铌酸锂薄膜掺铁生长外延取向衬底制备脉冲激光沉积电光调制器提拉法生长铌酸锂单晶铁电薄膜微观尺度传感器纳米级铁电畴探测器靶材波导晶向微腔薄膜调控制作应用研究

[发明专利]一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法-CN202010400032.6有效
发明人：孙德辉;陈玉客;王东周;王孚雷;刘齐鲁;桑元华;刘宏 -专利权人：济南大学;济南量子技术研究院;山东大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
一种生长晶格铌酸锂晶体方法

[实用新型]基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件-CN202121990794.2有效
发明人：仇晶;陈险峰 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件，包括由下至上依次设置的铌酸锂衬底层、二氧化硅层和掺镁铌酸锂薄膜层，所述宽带倍频器件沿与掺镁铌酸锂薄膜Z轴成一定角度的方向切割而成；所述掺镁铌酸锂薄膜层上设置有两条不相交、非平行设置的槽，两条槽之间设置有铌酸锂波导结构。
基于双折射相位匹配宽带倍频波导器件

[发明专利]钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法-CN201110058798.1无效
发明人：周忠祥;李磊;封雷;宫德维 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法，它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成；方法：称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀，再研磨后放在坩埚中，在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶，采用逐步降温法，即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。本发明的单晶在975nm激光的激发下产生545nm绿光和650nm红光，可用于频率上转换短波长全固态激光器领域及太阳能电池、彩色显示和生物识别等领域。
钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法

[发明专利]富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法-CN201310636441.6无效
发明人：李均;李杨;周忠祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法，它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低，而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3，其中x=0.50～0.90。方法：将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后，压片，然后预烧得到多晶片，再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料，在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后，得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310～500K，可用在无铅压电铁电器件中。
富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法

[发明专利]一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法-CN201210335651.7有效
发明人：张婷;曹远虎;夏宗仁;梁万国 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。
一种氧化镁成分铌酸锂晶片及其制备方法

[发明专利]一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法-CN201010598266.2无效
发明人：李磊;周忠祥;杜艳伟;田浩 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法对于铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用
一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶制备方法

[发明专利]一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法-CN202110248273.8有效
发明人：华平壤;丁宁;戎士铖 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-03-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明的一种一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法，包括自准直空间型电光相位调制器包括电极(1)，掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)和高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)；其中在电极(1)的两极之间设置所述高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)；所述掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)成对地设置于高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)与所述电极(1)形成的空间中。与现有的铌酸锂空间型电光相位调制器相比，本发明具有更低的半波电压、更大的光强承受能力、更低的传输损耗和更高的调制效率；输入光束无需进行准直，减少了系统复杂程度，可直接与大芯径、大模场光纤直接连接，扩展了应用场景
一种空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法

[发明专利]一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置-CN202010707383.1在审
发明人：夏钰坤;夏宗仁;曹远虎;曹义育;夏文英 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置，该方法包括以下步骤：（1）掺镁铌酸锂多晶的制备；（2）单晶的生长；（3）退火、极化；（4）晶体检测，得到成品单晶；该生长方法用的装置是高纯度的Pt圆形坩埚处于热场中心保温圆形坩埚外围同心设置感应加热线圈，高纯度Pt圆形坩埚底部设置锅底保温层，Pt圆形坩埚与导电圆筒间，以及导电圆筒与保温圆形坩埚之间填充保温粉或保温层；该方法结合具有热响应快、贵金属损耗低、温场稳定的装置所生长的单晶内部生长层少
一种掺镁铌酸锂单晶生长方法装置

[发明专利]一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法-CN202110003399.9有效
发明人：马超群;陈伟;刘袁;张旺;崔国新;陆延青 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法，所述制备方法通过依次在掺镁铌酸锂晶体表面进行第一次涂覆光刻胶、光刻与显影、镀膜、剥离光刻胶、第二次涂覆光刻胶和加压极化制备金属电极图案，实现制备掺镁铌酸锂晶体畴结构，通过两次涂覆光刻胶和加压极化的制备方法，能够在较大厚度的掺镁铌酸锂表面得到任意的、均匀的、贯穿的、稳定存在的畴结构，成品率高，所述制备方法简单，且操作安全。
一种掺镁铌酸锂畴结构制备方法

[发明专利]一种均匀掺镁铌酸锂多晶料的批量化合成方法-CN201410158340.7有效
发明人：桑元华;孙德辉;康学良;梁龙跃;王东周;冯彧;乔永军;刘宏 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种均匀掺镁铌酸锂多晶料的批量化合成方法，属于无机材料制备领域。该方法将氧化镁溶解于有机酸中，使其与有机酸完全反应，形成无色透明溶液，然后加入一定配比（化学计量比或同成分）的氧化铌和碳酸锂纳米颗粒，经过球磨技术形成混合均匀的悬浊液。对悬浊液采用喷雾干燥技术得到掺镁铌酸锂多晶的前驱体，这样的前驱体颗粒是镁离子均匀地掺入氧化铌和碳酸锂的纳米颗粒。最后低温煅烧前驱体得到成分均匀颗粒状掺镁铌酸锂多晶料。本发明所用原料为常规材料，氧化铌和碳酸锂在溶液中混合更加均匀。该方法适用于其他掺杂原料的合成，具有普适性。
一种均匀掺镁铌酸锂多晶批量化合成方

[发明专利]掺锡铌酸锂晶体-CN200910068819.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;王利忠;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn⁴⁺，所述锡离子Sn⁴⁺的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li¹⁺与铌离子Nb³⁺。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用
掺锡铌酸锂晶体

[发明专利]掺锆铌酸锂晶体-CN200610129356.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;赵艳军;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2006-11-11 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr⁴⁺的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr⁴⁺，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
掺锆铌酸锂晶体

[发明专利]弹性表面波元件用基板及其制造方法-CN201780002895.4有效
发明人：佐桥家隆;笹俣武治;大桥秀树;仓知雅人;八木透;东浩之;梶谷尚史 -专利权人：株式会社山寿瑟拉密克斯
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的弹性表面波元件用基板的特征在于，由镁铌酸锂单晶或镁钽酸锂单晶构成，所述镁铌酸锂单晶中，Li与Nb的原子比为0.9048≤Li/Nb≤0.9685，Mg的含有比例为1摩尔％～9摩尔％，所述镁钽酸锂单晶中
弹性表面波元件用基板及其制造方法

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