专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果7677083个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]COF Film生产用狭缝式挤压光涂布结构-CN201921722612.6有效
  • 薛红伟;陈杰 - 合肥奕斯伟材料技术有限公司
  • 2019-10-15 - 2020-04-17 - G03F7/16
  • 本实用新型公开了一种COF Film生产用狭缝式挤压光涂布结构,属于COF Film生产领域,包括滚筒(4),所述COF Film生产用狭缝式挤压光涂布结构还包括挤出结构(2),该挤出结构(2)包括挤出通道(3),该挤出通道(3)一端为挤出口(6),挤出口(6)与滚筒(4)的边缘之间形成间隙(7)。本实用新型的COF Film生产用狭缝式挤压光涂布结构有效避免厚度周期波动的状况,从而减少对后续显影工序和刻蚀工序的影响,不但降低了线粗线细导致的报废率,还杜绝了断胶,以及提高了涂布精度,减少了消耗
  • coffilm生产狭缝压光阻涂布结构
  • [发明专利]晶圆侧边去方法-CN201711392379.5有效
  • 周世均;陈力钧;朱骏 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-12-21 - 2020-12-18 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种晶圆侧边去方法,提供晶圆,所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边,所述晶圆上形成有层;提供光源,使至少照射到所述侧边且不照射到所述正面,引起层的光学反应;最后去除反应掉的所述层。该方法使用光学原理,通过调整所述晶圆侧边被光照射到的范围,以此来达到调整所述晶圆侧边高度,最后去除反应掉的所述,从而到达高精度控制在晶圆侧边形貌的能力,而且,即使晶圆侧边位置有偏移,但只要的方向不变这种方法形成的在晶圆侧边位置的准确和边缘的均一非常好。
  • 侧边去光阻方法
  • [发明专利]一种型压控振荡电路及压控振荡器-CN201910083068.3有效
  • 潘权;朱俊桦;郭宇浩;邵理阳 - 南方科技大学
  • 2019-01-25 - 2023-09-22 - H03B5/06
  • 一种型压控振荡电路及压控振荡器,包括选频模块、差分对模块以及阻抗模块。选频模块用于接收直流电信号、产生第一阻抗并确定环路的振荡频率;差分对模块用于产生;阻抗模块用于产生第二阻抗,以使第二阻抗与第一阻抗进行叠加后,增大环路的增益,以确保电路能够起振。上述的型压控振荡电路及压控振荡器,通过增设阻抗模块,为电路提供第二阻抗,与选频模块提供的第一阻抗叠加后,再与差分对模块提供的进行增益运算,增大了环路的增益,确保电路能够起振,解决了传统的型振荡电路存在的由于环路增益无法达到电路的起振条件而导致整个电路无法起振并输出具有目标振荡频率的交流电的问题
  • 一种负阻型压控振荡电路压控振荡器
  • [发明专利]改善关键尺寸均匀的方法-CN201410222757.5在审
  • 孙超;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-05-23 - 2015-11-25 - H01L21/027
  • 本发明提供一种改善关键尺寸均匀的方法,至少包括以下步骤:S1:提供一表面形成有层的晶圆,进行曝光及显影以在所述层中形成若干开口;S2:对所述晶圆进行电浆预处理以去除所述开口底部残留的;S3:对所述晶圆进行Ar/O2电浆处理以进一步对所述层进行刻蚀,并调节Ar与O2的流量比例,使得晶圆边缘部位的刻蚀速率大于晶圆中间部位的刻蚀速率;S4:以Ar/O2电浆处理后的层为掩模对所述晶圆进行刻蚀。本发明在电浆预处理后再经过一步Ar/O2电浆处理,并调节Ar与O2的流量比例,使得晶圆边缘部位的刻蚀速率大于晶圆中间部位的刻蚀速率,从而调节晶圆边缘部位及晶圆中间部位的开口尺寸,改善刻蚀后通孔关键尺寸的均匀
  • 改善关键尺寸均匀方法
  • [发明专利]一种去除的方法-CN200910130070.8无效
  • 郁新举;黄志刚 - 和舰科技(苏州)有限公司
  • 2009-04-03 - 2010-10-06 - G03F7/42
  • 本发明提出了一种去除的方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1,提供一层衬底;步骤2,在不需要植入离子的部位涂覆并进行光照处理;步骤3,在步骤2所得到的结构中植入离子,此时,未被覆盖的部分中具有被植入的离子,同时光表面也因为植入大量离子而产生硬化,形成硬壳;步骤4,降低温度后,去除硬壳部,而后升高温度,去除;或者利用紫外光照射,使得全部硬化,而后升高温度,去除。本发明的有益效果在于,通过对光进行处理,降低了内外差异,从而减小了喷溅的危险,提高产生的晶片的质量。
  • 一种去除方法
  • [发明专利]变压器功率合成器-CN200910118960.7有效
  • 赖玠玮 - 联发科技股份有限公司
  • 2009-03-10 - 2009-11-04 - H02M5/10
  • 本发明涉及一种变压器功率合成器,变压器功率合成器包含多个输入端以及一个输出端,还包含多个主绕导体,分别电连接至多个输入端,其中多个主绕导体的每一主绕导体电连接于对应输入端的正端与端之间;以及多个次绕导体,分别磁性耦接至多个主绕导体,其中,多个次绕导体配置为拓扑结构,拓扑结构包含输出端的正端以及端之间的串联以及并联。本发明通过新颖的次绕导体之间的拓扑结构,可以使得每个功率放大器的输入阻抗基本相同的,从而达到高功率合成效率及系统稳定性。
  • 变压器功率合成器
  • [实用新型]基于微分NDR特性的三值T触发器电路-CN201620019105.6有效
  • 林弥 - 杭州电子科技大学
  • 2016-01-08 - 2016-07-06 - H03K3/02
  • 本实用新型公开了一种基于微分NDR特性的三值T触发器电路。本实用新型包括三值三轨输出结构的NDR文字(literal)电路、基于微分NDR特性的与非运算单元、基于微分NDR特性的或非运算单元以及基于微分NDR特性的MOBILE反相器单元。微分器件可以用共振隧穿二极管RTD实现,也可以由晶体管构成的MOS-NDR等效网络来模拟微分NDR特性。本实用新型提供了一种全新的三值T触发器结构类型。
  • 基于微分ndr特性触发器电路
  • [发明专利]基于超材料的-CN201410852437.8在审
  • 周济;吴红亚 - 清华大学
  • 2014-12-31 - 2015-06-03 - H01L45/00
  • 本发明公开了一种基于超材料的波导式片。该片,包括和填充介质;其中,所述位于所述填充介质内;所述的个数至少为一个。该波导式片的透射率在电磁场的加载下表现出有高低透射率的变化,并具有记忆效应。该波导式片可以用作一种光学元器件,使现有的路设计更富有功能,能使光学产品,如矢量网络分析仪等,向功能更丰富的方向发展,且便于插取。该波导式片的制造方法简单,成本低,具有重要的应用价值。
  • 基于材料光忆阻片
  • [实用新型]一种自生成栅压的驱动电路及电磁炉-CN202222048516.6有效
  • 胡志;吴杨洪 - 中山爱它电器科技有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-01-13 - H05B6/06
  • 本实用新型公开了一种自生成栅压的驱动电路及电磁炉,包括开关管驱动模块以及栅压生成模块,开关管驱动模块至少包括第一开关管单元,第一开关管单元用于与负载连接以构成至少部分供电支路,栅压生成模块至少包括第一栅压生成单元,第一栅压生成单元包括第一储能部件以及第一件,第一储能部件的一端分别与第一件的一端以及第一开关管单元的源极连接,第一件的另一端分别与第一开关管单元的栅极以及控制信号源的一极连接,第一储能部件的另一端与控制信号源的另一极连接,本设计根据控制信号即可自生成栅压以控制开关管驱动模块运行,提高开关管驱动模块的通断效率。
  • 一种生成负栅压驱动电路电磁炉
  • [发明专利]加热厚膜的制造方法-CN202110817275.4在审
  • 胡志升;胡旭 - 深圳瑞森特电子科技有限公司
  • 2021-07-19 - 2021-10-22 - G03F7/20
  • 本申请公开了一种加热厚膜的制造方法,包括:在衬底基材上依次设置导电浆料层和层;利用光罩对光层进行曝光处理,罩的透光区允许透过并照射至层上、非透光区用于阻止透过;对经过曝光处理的层进行显影处理,去除层中被光照射的部分、而保留未被光照的部分;对导电浆料层进行刻蚀处理,去除导电浆料层中未被层遮挡的部分、而保留被层遮挡的部分;去除剩余的层;对导电浆料层进行烧结,形成发热件;在发热件上设置绝缘层本申请可以提高发热件的成型精度及厚度均匀,有利于控制加热效率,改善加热不均匀等问题。
  • 加热制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top