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[实用新型]集成MCU和LDO的封装体、电路板及电子设备-CN202223052708.0有效
发明人：李煌娴;陈家勋;黄耿毓;唐丰饶 -专利权人：深圳宇凡微电子有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装技术领域，提供了一种集成MCU和LDO的封装体，所述集成MCU和LDO的封装体包括封装外壳、基板、第一芯片裸片、第二芯片裸片以及多个引脚；其中，所述第一芯片裸片为LDO芯片裸片，所述第二芯片裸片为MCU芯片裸片；所述第一芯片裸片和所述第二芯片裸片均设置在所述基板表面上，所述第一芯片裸片、所述第二芯片裸片和所述基板均设置在所述封装外壳之内；所述第一芯片裸片、所述第二芯片裸片、所述基板以及所述多个引脚通过键合线电连接
集成 mcu ldo 封装电路板电子设备

[实用新型]集成MCU和EEPROM的封装体、电路板及电子设备-CN202223077604.5有效
发明人：廖锡略;陈焕杰;周中柱;卢龙平 -专利权人：深圳宇凡微电子有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体封装技术领域，提供了一种集成MCU和EEPROM的封装体，所述集成MCU和EEPROM的封装体包括封装外壳、基板、第一芯片裸片、第二芯片裸片以及多个引脚；其中，所述第一芯片裸片为EEPROM芯片裸片，所述第二芯片裸片为MCU芯片裸片；所述第一芯片裸片和所述第二芯片裸片均设置在所述基板表面上，所述第一芯片裸片、所述第二芯片裸片和所述基板均设置在所述封装外壳之内；所述第一芯片裸片、所述第二芯片裸片
集成 mcu eeprom 封装电路板电子设备

[发明专利]半导体装置金属可编程池化和裸片-CN200880111960.8有效
发明人：贝赫纳姆·马莱克科斯拉维;戴维·伊恩·韦斯特 -专利权人：速桥有限责任公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种裸片设计池，其包含具有金属可编程基底层的裸片设计。从所述池中选择裸片设计以供制造裸片时使用。通过定制已在所述池中的裸片设计或通过准备并入有金属可编程基底层的定制裸片设计来将裸片设计添加到所述池。在一些实施例中，多瓦片裸片具备可配置以用于瓦片间通信或裸片间通信的I/O插槽。
半导体装置金属可编程

[发明专利]模块化封装的集成电路芯片及其制作方法-CN201510098183.X有效
发明人：沈天扬;施一明;潘再生;王挺;童庆;唐艳丽;朱冬冬;方科科;王建平 -专利权人：浙江中控研究院有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种模块化封装的集成电路芯片及其制作方法，该方法包括S1，根据目标芯片的功能和性能要求制作若干第一裸片和若干第二裸片，所述第一裸片和第二裸片的形状为由整数个预设的基准矩形组成的正方形或长方形，且所述第二裸片小于所述第一裸片，所述第一裸片上设置有若干接口，所述接口之间具有预设间距，所述接口组成一接口矩阵，所述接口的数量大于制作的所述第二裸片的数量，且所述预设间距大于所述第二裸片的最大尺寸；S2，从步骤S1制作的所述若干第一裸片和若干第二裸片中选取一第一裸片和至少一第二裸片；S3，将步骤S2所选的所述第一裸片和第二裸片进行模块化封装获得所述目标芯片。
模块化封装集成电路芯片及其制作方法

[发明专利]AI芯片-CN202180029687.X在审
发明人：后藤昌一;小畑幸嗣;笹子胜;中川雅通 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：AI芯片(1)具备：存储数据的多个存储器裸片(200，201)；进行AI处理中包括的运算的多个运算裸片(300，301)；以及系统芯片(100)，对多个存储器裸片(200，201)以及多个运算裸片(300多个存储器裸片(200，201)分别具有第1布局图案。多个运算裸片(300，301)分别具有第2布局图案。存储器裸片(201)被层叠在存储器裸片(200)的第1布局图案的上方。运算裸片(301)被层叠在运算裸片(300)的第2布局图案的上方。
ai 芯片

[发明专利]混合玻璃上无源(POG)声学滤波器-CN201780077210.2有效
发明人： D·F·伯迪;C·H·芸;古仕群;N·S·穆达卡特;M·F·维勒兹;左丞杰;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：一种集成射频(RF)电路组合无源器件和声学滤波器的互补特征，并且包括第一裸片、第二裸片和第三裸片。第一裸片包括具有一个或多个无源器件的衬底。第二裸片包括第一声学滤波器。第二裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。第三裸片包括第二声学滤波器。第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。
混合玻璃无源 pog 声学滤波器

[实用新型]半导体结构-CN202023141504.5有效
发明人：刘俊良 -专利权人：迪科特测试科技(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：半导体结构包括一裸片、散热构件及纳米结构，裸片包括设置在该裸片的一表面上或内部的一电路，该电路使得该裸片具有特定的功能；一散热构件通过设置在该裸片的该表面与该散热构件之间的一粘着剂附接到该裸片；一纳米结构设置在该粘着剂与该裸片之间、配置成将热量从该裸片传导到该散热构件、从该粘着剂朝向该裸片的该表面突出并与该裸片的该表面接触。
半导体结构

[发明专利]一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法-CN202110808994.X有效
发明人：蔺光磊 -专利权人：芯知微（上海）电子科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法，方法包括：提供晶圆片，晶圆片中形成有多个第一裸片，第一裸片顶部形成外接焊线板和第一焊线板；在第一裸片上、第一焊线板远离外接焊线板一侧形成第一可固化粘接层；在第二裸片上形成有第二焊线板；将第二裸片粘接在第一裸片上的第一可固化粘接层上，第二裸片上的第二焊线板与第一裸片上的第一焊线板隔空垂直相对，在第一裸片上的第一焊线板与第二裸片上的第二焊线板之间形成空腔；在空腔内形成导电互连结构；沿各个第一裸片与晶圆片之间分割区域切割第一裸片；与外接焊线板形成外接互连线；胶封第一裸片顶面和第二裸片侧面。
一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法

[实用新型]微机电系统封装结构-CN202320039895.4有效
发明人：雷永庆;向兴林 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本申请涉及微机电系统技术领域，公开了一种微机电系统封装结构，包括MEMS裸片、内置有控制MEMS裸片的控制电路的CMOS裸片以及通过引脚或端口与外部电路连接的基底，基底用于支撑CMOS裸片和MEMS裸片；CMOS裸片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二表面通过设于CMOS裸片和基底之间的焊料球与基底倒装连接；第二表面设有功能区，MEMS裸片通过胶粘剂层固定在功能区内，且通过导线的引线键合与CMOS裸片电性连接，其中，MEMS裸片背离CMOS裸片的一侧与基底保持有避空间隙；CMOS裸片的外周包覆有塑封料，塑封料延展至基底。本申请消除了MEMS裸片在封装中所受的应力影响，保证了MEMS裸片的输出精度。
微机系统封装结构

[发明专利]裸片-裸片堆迭-CN201610569585.8有效
发明人： S·拜尔;J·霍恩切尔;A·埃贝尔曼恩 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种裸片‑裸片堆迭。一种半导体裸片，其设有：光发射器，经配置成传输光信号至另一个裸片；以及光接收器，经配置成接收来自另一裸片的光信号。另外，提供一种形成半导体装置的方法，包括形成第一半导体裸片的步骤有：提供半导体衬底、形成一个晶体管装置至少部分地位于半导体衬底上方、形成一个光接收器至少部分地位于半导体衬底上方及至少部分地位于其内其中一者
裸片堆迭

[发明专利]具有数据处理引擎阵列的多裸片集成电路-CN202180064614.4在审
发明人： J·J·诺古拉·塞拉;T·图安;S·萨布拉玛尼安 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：多裸片集成电路(IC)可以包括中介层和耦合到该中介层的第一裸片。该第一裸片可以包括数据处理引擎(DPE)阵列，其中该DPE阵列包括多个DPE和耦合到该多个DPE的DPE接口。该多裸片IC还可以包括第二裸片，该第二裸片耦合到该中介层。该第二裸片可以包括裸片接口。该DPE接口和该裸片接口被配置为通过该中介层进行通信。
具有数据处理引擎阵列多裸片集成电路

[发明专利]裸片拾取方法及装置-CN201880088199.4有效
发明人：春日大介 -专利权人：雅马哈发动机株式会社
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种裸片拾取方法，其是通过头而依次拾取被切割后的晶圆的多个裸片的方法，其包括以下步骤：参照预先制作的表示所述晶圆中的所述多个裸片各自的良与否的晶圆图，将所述多个裸片中的一部分裸片的区域指定为被检裸片区域，以用于确认所述晶圆图上的裸片位置与实际的晶圆上的裸片位置之间的位置偏移亦即图偏移的步骤；进行所述晶圆图上的裸片位置与实际的晶圆上的裸片位置之间的对位的步骤；通过所述头，在参照所述被检裸片区域的位置信息的情况下依次拾取所述被检裸片区域以外的拾取对象裸片的步骤
拾取方法装置

[发明专利]一种复合卷芯-CN201911409492.9在审
发明人：宋庆彬;白科;孙玉龙;游杰;陈富源 -专利权人：江西安驰新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合卷芯，包括：卷裸电芯，所述卷裸电芯由正极片、负极片以及隔膜组成；在所述卷裸电芯中间的负极对负极的中间，增加由5到15层的叠片裸电芯。所述叠片裸电芯由正极片，隔膜和负极片组成，具体的结构是隔膜在最外侧，后是正极片、隔膜，其次是负极片，再次是隔膜、正极片，如此循环。所述卷裸电芯与所述叠片裸电芯通过极耳连接，组成复合裸电芯。通过在卷绕裸电芯中间增加叠片裸电芯的的结构，卷绕裸电芯内层的极片弯曲半径数倍增长，使得复合裸电芯在热压时内层的极片比较顺滑弯曲，不会产生折断。叠片裸电芯使得卷绕卷芯内层的两面极片的容量可以发挥，起到提高电芯能量密度的作用。生产工艺简单,有利于量产。
一种复合

[实用新型]一种复合卷芯-CN201922464500.1有效
发明人：宋庆彬;白科;孙玉龙;游杰;陈富源 -专利权人：江西安驰新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合卷芯，包括：卷裸电芯，所述卷裸电芯由正极片、负极片以及隔膜组成；在所述卷裸电芯中间的负极对负极的中间，增加由5到15层的叠片裸电芯。所述叠片裸电芯由正极片，隔膜和负极片组成，具体的结构是隔膜在最外侧，后是正极片、隔膜，其次是负极片，再次是隔膜、正极片，如此循环。所述卷裸电芯与所述叠片裸电芯通过极耳连接，组成复合裸电芯。通过在卷绕裸电芯中间增加叠片裸电芯的的结构，卷绕裸电芯内层的极片弯曲半径数倍增长，使得复合裸电芯在热压时内层的极片比较顺滑弯曲，不会产生折断。叠片裸电芯使得卷绕卷芯内层的两面极片的容量可以发挥，起到提高电芯能量密度的作用。生产工艺简单,有利于量产。
一种复合

[发明专利]一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备-CN202180088527.2在审
发明人：王士伟 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备，该芯片封装结构包括：基板，位于基板之上的第一裸片和第二裸片，以及至少一个互连桥。第一裸片和第二裸片的有源面朝向基板，互连桥搭在第一裸片和第二裸片之间。第一裸片中设有第一硅通孔，第二裸片中设有第二硅通孔，互连桥通过第一硅通孔与第一裸片的有源面上的布线层连通，互连桥通过第二硅通孔与第二裸片的有源面上的布线层连通。通过设置第一硅通孔和第二硅通孔，可以将信号引至第一裸片和第二裸片的无源面，并由互连桥进行信号互连，互连桥不占用电源供电的垂直通道资源，因而，第一裸片和第二裸片与互连桥重叠区域中的电路可以进行垂直供电，提高了第一裸片和第二裸片的供电可靠性
一种芯片封装结构制作方法电子设备