“裸片上”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13697350个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多裸片封装结构、芯片及方法-CN202011534093.8有效
发明人：蒲应江;蒋航 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种多裸片封装结构、芯片及方法。该多裸片封装结构包括：嵌入裸片，被埋在基板中；上倒装裸片，被放置在基板的上方，通过导体与基板电连接；下倒装裸片，被放置在基板下方，通过导体与基板电连接。所述多裸片封装结构降低了成本、提高了性能。
多裸片封装结构芯片方法

[发明专利]通过电传导材料的喷雾施加形成的半导体裸片互连-CN200980149285.2无效
发明人： J·S·利尔;S·麦格拉思;S·潘格尔勒 -专利权人：垂直电路公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：通过以喷雾形式施加电传导材料(例如通过喷雾喷射印刷)在半导体裸片上形成互连端子。同时，通过以喷雾形式施加电传导材料形成堆叠裸片之间或者裸片和下层支撑(例如封装基底)中的电路之间的电互连，所述电互连与所述裸片或者所述裸片和所述基底上的焊盘接触，并经过相应焊盘之间。在一些实施方式中，在由裸片的互连侧壁和下层特征(下层裸片或者支撑)上的焊盘内侧的表面形成的内拐角处形成圆角；并且电传导材料经过圆角的表面之上。
通过传导材料喷雾施加形成半导体互连

[实用新型]半导体器件-CN201920342224.9有效
发明人： C·索玛;F·V·丰塔纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本文公开了一种半导体器件，其包括：裸片焊盘；引线，与所述裸片焊盘间隔开；电部件，具有在所述裸片焊盘上的第一接触件和在所述引线上的第二接触件；半导体裸片，在所述电部件上，所述半导体裸片通过所述电部件来与所述裸片焊盘间隔开；以及导电线，所述半导体裸片通过所述导电线来电耦合到所述引线。
裸片焊盘半导体裸片电部件导电线接触件半导体器件耦合到来电

[发明专利]具有三维小芯片结构的片上系统和电子装置-CN202210966515.1在审
发明人：尹队瀚;李庆民;许峻豪;李稀裼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了具有三维(3D)小芯片结构的片上系统(SoC)和电子装置。电子装置包括印刷电路板、位于印刷电路板上的SoC以及位于SoC上的存储器装置，其中SoC包括：SoC封装基底；第一裸片，布置在SoC封装基底上，并且在第一裸片上具有逻辑电路；以及第二裸片，布置在第一裸片上，并且在第二裸片上具有逻辑电路。
具有三维芯片结构系统电子装置

[实用新型]集成器件和电子装置-CN201720762831.1有效
发明人： E·杜奇;L·巴尔多;D·朱斯蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：集成器件具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。由此提供半导体材料晶片间机械耦合和电耦合的更容易实现和高可靠性。
裸片面对表面竖直轴电接触元件集成器件导电区域电子装置机械耦合耦合区域电耦合半导体材料晶片承载高可靠性水平平面支撑元件耦合正交的成对堆叠对准申请支撑

[实用新型]半导体器件和引线框-CN201920210409.4有效
发明人： R·罗德里奎兹;M·G·马明;J·塔利多 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：该半导体器件包括：引线框，包括裸片焊盘，所述裸片焊盘具有表面和在所述表面中的多个空腔；粘合剂，在所述裸片焊盘的所述表面上和所述多个空腔中；以及在所述粘合剂上的半导体裸片，所述半导体裸片包括多个拐角，所述多个拐角中的每个拐角位于所述多个空腔中的相应空腔上方空腔允许在半导体裸片的拐角处在裸片焊盘上形成附加粘合剂，并且防止附加粘合剂溢出到半导体裸片的有源区域上。
空腔半导体裸片粘合剂裸片焊盘拐角半导体器件引线框源区域溢出

[发明专利]半导体器件及相应方法-CN201611236433.2有效
发明人： F·G·齐格利奥利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：一个或多个半导体裸片；支撑一个或多个半导体裸片的裸片焊盘；模制到由所述裸片焊盘支撑的一个或多个半导体裸片上的封装件，其中裸片焊盘被暴露在封装件的表面处；以及暴露的裸片焊盘，其中具有蚀刻图案以在裸片焊盘中形成至少一个电接触焊垫
半导体器件相应方法

[实用新型]半导体器件与半导体封装件-CN201621455616.9有效
发明人： F·G·齐格利奥利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体器件包括一个或多个半导体裸片；支撑一个或多个半导体裸片的裸片焊盘；模制到由所述裸片焊盘支撑的一个或多个半导体裸片上的封装件，其中裸片焊盘被暴露在封装件的表面处；以及暴露的裸片焊盘，其中具有蚀刻图案以在裸片焊盘中形成至少一个电接触焊垫
半导体器件半导体封装

[实用新型]具有集成DRAM的系统级封装-CN201721560708.8有效
发明人：新叶·邵 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：在一些方面中，将动态随机存取存储器(DRAM)裸片和应用处理器(AP)裸片安装到包括一个或多个重分布层的系统级封装(Sip)裸片载体。DRAM裸片和AP裸片在裸片载体上彼此相邻使得每个裸片的相应存储器输入/输出邻近其它的输入/输出。
裸片系统级封装输入/输出动态随机存取存储器应用处理器裸片安装重分布层存储器邻近

[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构-CN202110335623.4在审
发明人：周辉星 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请中，半导体封装结构包括：散热板、裸片与包封层，裸片位于散热板上，裸片包括正面与背面，裸片的正面与裸片的背面相对，裸片的背面面向散热板，裸片的正面设置有焊垫；包封层位于散热板靠近裸片的一侧，且包覆裸片的侧面
半导体封装方法结构

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201710199048.3有效
发明人： F·V·丰塔纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：具体地，一种半导体器件(10)，包括：‑半导体裸片(12)，该半导体裸片具有相对的第一表面(12a)和第二表面(12b)，‑裸片焊盘(14)，该裸片焊盘具有附接(16)在其上的该半导体裸片的该第一表面(12a)，‑导电接地焊盘(24)，该导电接地焊盘在该半导体裸片(12)的该第二表面(12b)处，‑器件封装体(22)，该器件封装体与该半导体裸片(12)耦合，该接地焊盘(24)位于该半导体裸片(12)与该封装体(22)之间，以及‑接地接线或迹线(26)，该接地接线或迹线用于该半导体裸片(12)的该第二表面(12b)与该接地焊盘(24)之间的该半导体裸片(12)。可以在该半导体裸片(12)的该第二表面(12b)处的该接地焊盘(24)与具有附接(16)在其上的该半导体裸片(12)的该裸片焊盘(14)之间设置另外的(例如，单接线)接线连接(28)。
半导体器件制造方法

[实用新型]半导体器件及相应布置-CN201720324701.X有效
发明人： F·V·丰塔纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：具体地，一种半导体器件(10)，包括：‑半导体裸片(12)，该半导体裸片具有相对的第一表面(12a)和第二表面(12b)，‑裸片焊盘(14)，该裸片焊盘具有附接(16)在其上的该半导体裸片的该第一表面(12a)，‑导电接地焊盘(24)，该导电接地焊盘在该半导体裸片(12)的该第二表面(12b)处，‑器件封装体(22)，该器件封装体与该半导体裸片(12)耦合，该接地焊盘(24)位于该半导体裸片(12)与该封装体(22)之间，以及‑接地接线或迹线(26)，该接地接线或迹线用于该半导体裸片(12)的该第二表面(12b)与该接地焊盘(24)之间的该半导体裸片(12)。可以在该半导体裸片(12)的该第二表面(12b)处的该接地焊盘(24)与具有附接(16)在其上的该半导体裸片(12)的该裸片焊盘(14)之间设置另外的(例如，单接线)接线连接(28)。
半导体器件相应布置

[发明专利]模块化封装的集成电路芯片及其制作方法-CN201510098183.X有效
发明人：沈天扬;施一明;潘再生;王挺;童庆;唐艳丽;朱冬冬;方科科;王建平 -专利权人：浙江中控研究院有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种模块化封装的集成电路芯片及其制作方法，该方法包括S1，根据目标芯片的功能和性能要求制作若干第一裸片和若干第二裸片，所述第一裸片和第二裸片的形状为由整数个预设的基准矩形组成的正方形或长方形，且所述第二裸片小于所述第一裸片，所述第一裸片上设置有若干接口，所述接口之间具有预设间距，所述接口组成一接口矩阵，所述接口的数量大于制作的所述第二裸片的数量，且所述预设间距大于所述第二裸片的最大尺寸；S2，从步骤S1制作的所述若干第一裸片和若干第二裸片中选取一第一裸片和至少一第二裸片；S3，将步骤S2所选的所述第一裸片和第二裸片进行模块化封装获得所述目标芯片。
模块化封装集成电路芯片及其制作方法

[发明专利]预测容易发生过早使用寿命失效的裸片-CN202180026603.7在审
发明人： R·伯奇;朱青;K·阿诺德 -专利权人： PDF决策公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：在裸片级上对半导体良率进行模型化以预测容易发生过早使用寿命失效(ELF)的裸片。依据从半导体制造过程中的晶片测试获得的参数数据进行第一裸片良率计算。仅依据裸片位置进行第二裸片良率计算。所述第一裸片良率计算与所述第二裸片良率计算之间的差是预测差值。基于对所述第一裸片良率计算和所述预测差值的评估，可识别过早使用寿命失效的可能性并且可确立可接受的裸片损耗水平以从进一步处理移除裸片。
预测容易发生过早使用寿命失效

[发明专利]一种芯片扇出封装方法及芯片扇出封装件-CN202211486922.9在审
发明人：陆洋;李成 -专利权人：成都海光集成电路设计有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片扇出封装方法及芯片扇出封装件，该芯片扇出封装方法包括：将至少一组裸片贴合在散热载片上，其中，每组裸片包含有至少一个裸片，且每个裸片均与散热载片导热连接；对至少一组裸片进行塑封，在散热载片上形成塑封层；在塑封层上生长重布线层；在重布线层上生长导电凸块；切割重布线层、塑封层及散热载片，分离出至少一个芯片扇出封装件；其中，每个芯片扇出封装件中包含有一组裸片。同时也能够采用更加牢靠的固定方式将裸片贴合在散热载片上，改善晶圆塑封工艺过程中的芯片偏移现象，减少重布线层与裸片之间的错位，便于制作出高密度的重布线层。
一种芯片封装方法