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[发明专利]半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体小片-CN201811005406.3有效
发明人：朱宏斌;曾清林;D·奥斯特贝格;M·L·卡尔森;G·A·哈勒;J·亚当斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和在裸片环之间包含导电互连件的半导体裸片。半导体装置包含半导体裸片，所述半导体裸片在半导体材料的衬底上方包括集成电路。第一裸片环包括至少部分地环绕所述集成电路的一或多种导电材料，所述一或多种导电材料包括从邻近所述衬底的表面处到所述半导体裸片的暴露表面的导电路径。第二裸片环包括导电材料且围绕所述第一裸片环安置。第一导电互连件将所述第一裸片环电连接到第二裸片环。公开相关半导体装置和半导体小片。
半导体装置裸片环之间包含导电互连小片

[发明专利]裸芯间高速扩展系统及其扩展方法-CN202110167305.1有效
发明人：魏敬和;黄乐天;于宗光;赵天津;鞠虎;冯敏刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明涉裸芯间高速扩展系统及其扩展方法。裸芯间高速扩展系统包括跨裸芯扩展同步器和与跨裸芯扩展同步器连接的直连通路，跨裸芯扩展同步器设置在裸芯上，裸芯之间通过跨裸芯扩展同步器和直连通路连接，所述跨裸芯扩展同步器用于控制数据传输，所述数据包括：时钟信号该系统通用性好、复杂度低、实现了互连裸芯的灵活扩展，进而构成更大的封装级网络，为后续的微系统集成奠定了基础。
裸芯间高速扩展系统及其方法

[发明专利]为小直径、高密度晶片贯通孔裸片堆叠形成对准/对心导引件的方法-CN200980112774.0有效
发明人：戴维·普拉特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种形成裸片堆叠的方法。所述方法包括在第一裸片中形成多个晶片贯通孔(105)和第一多个对准特征(104)。在第二裸片中形成第二多个对准特征(116)，且将所述第一裸片堆叠在所述第二裸片上，使得所述第一多个对准特征啮合所述第二多个对准特征。还提供一种制造裸片堆叠的方法，其包括：在第一裸片上形成多个晶片贯通孔；在第一裸片上形成多个凹座(104)；以及在第二裸片上形成多个突起(116)。还提供一种裸片堆叠和一种系统。
直径高密度晶片贯通孔裸片堆叠形成对准对心导引方法

[发明专利]具有多裸片通信的集成电路封装体-CN201810653832.1有效
发明人： F·拉斯博尼格;W·格拉尼格;D·哈默施密特;H-J·瓦格纳;T·泽特勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种集成电路封装体，具有第一裸片和第二裸片，第一裸片被配置为感测第一物理特性并且提供第一数据信号，其中第一裸片被配置为将第一数据信号传输到第二裸片，并且第二裸片被配置为确定第一裸片中是否存在错误并将结果传输到控制器
具有多裸片通信集成电路封装

[发明专利]重复缺陷检查-CN201880044655.5有效
发明人： P·M·桑卡;A·巴拉达拉真;罗柱桓 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-07-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及晶片上的重复缺陷，其可通过融合多个裸片图像来检测。在一例子中，统计地融合多个裸片图像以形成裸片融合图像。所述裸片图像中的每一者可为晶片上的不同裸片的图像。检测所述裸片融合图像中是否存在重复缺陷。可使用激光扫描系统或其它系统来产生所述裸片图像。
重复缺陷检查

[发明专利]具有多行列状裸片互连件的集成电路(IC)和包括高密度裸片到裸片(D2D)互连件的IC封装件-CN202280011267.3在审
发明人： R·周;W·M·阿德霍尔德 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)封装件，包括具有多行列状裸片互连件的IC(204)，在导电层中具有增加的裸片到裸片(D2D)互连件密度。将该裸片互连件定位在裸片互连件列簇(202(1)，202(2))中，裸片互连件列簇(202(1)，202(2))各自包括多个裸片互连件行(213,214)和两列(200A，200B)，减小了该裸片互连件占据的线性尺寸并且为更多的裸片互连件列簇间距(PCC2)是相邻裸片互连件列簇的列之间的距离，并且该距离大于该列簇内的列之间的裸片互连件间距(PDIR2裸片互连件可以被设置在该多行列簇之间的该空间中并且附加的裸片互连件可以以该裸片互连件列簇之间的该D2D互连件间距设置。具有包括该多行列状裸片互连件的IC的IC封装件具有更多数目的D2D互连件以用于更好的IC集成。
具有行列状裸片互连集成电路 ic 包括高密度裸片到裸片 d2d 封装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611079025.0在审
发明人：邵栋梁;董志航;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：用于制造半导体装置的所述方法包含将载体晶片附接到顶部裸片晶片的前侧；薄化所述顶部裸片晶片的背侧，所述顶部裸片晶片的所述背侧与所述顶部裸片晶片的所述前侧相对；单粒化所述载体晶片及所述顶部裸片晶片，借此形成附接到经单粒化载体裸片的经单粒化裸片；及将所述经单粒化裸片中的每一者的背侧接合到底部裸片晶片的前侧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和对应的半导体器件-CN202011399633.6在审
发明人： F·G·齐格利奥利;A·平图斯;P·马格尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：塑料材料衬底具有用于半导体裸片的裸片安装位置。在塑料材料衬底的选择区域上形成金属迹线，其中金属迹线提供用于耦合到半导体裸片的导电路径。半导体裸片被附接到裸片安装位置上。被附接到裸片安装位置上的半导体裸片被电键合到形成在塑料材料衬底上的金属迹线中的所选择的金属迹线。封装材料被模制到被附接到裸片安装位置上的半导体裸片上。
制造半导体器件方法对应

[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构-CN202110335623.4在审
发明人：周辉星 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请中，半导体封装结构包括：散热板、裸片与包封层，裸片位于散热板上，裸片包括正面与背面，裸片的正面与裸片的背面相对，裸片的背面面向散热板，裸片的正面设置有焊垫；包封层位于散热板靠近裸片的一侧，且包覆裸片的侧面
半导体封装方法结构

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201811235977.6在审
发明人：亚当·R·布朗;里卡多·L·杨多克 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。
半导体裸片半导体器件裸片主表面接触连接载体连接电连接制造延伸

[发明专利]一种芯片及主板-CN202011369115.X在审
发明人：林少芳;杨晓君;杜树安;杨光林;孟凡晓 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片及主板，该芯片包括具有相对的第一面及第二面的封装基板、设置在封装基板的第一面的至少一个内存裸片。封装基板的第一面设置有中央处理器裸片，中央处理器裸片与至少一个内存裸片中的每个内存裸片均电连接，以向每个内存裸片中写入数据或从每个内存裸片中读取数据。封装基板的第二面设置有用于与印刷电路板电连接的引脚，中央处理器裸片还与第二面的引脚电连接。通过将中央处理器裸片及至少一个内存裸片封装在一个封装基板上，且每个内存裸片均与中央处理器裸片电连接，从而通过封装基板上的中央处理器裸片及内存裸片即可工作，提高了芯片及主板的集成度，能够减小主板的印刷电路板的面积
一种芯片主板

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN202311050444.1在审
发明人：亚当·R·布朗;里卡多·L·杨多克 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：该半导体器件包括：布置在相应的第一载体和第二载体上的第一半导体裸片和第二半导体裸片，第一半导体裸片和第二半导体裸片各自包括布置在相应半导体裸片的顶部主表面上的第一接触和第二接触以及布置在相应半导体裸片的底部主表面上的第三接触；第一裸片连接部分和第二裸片连接部分，布置在相应的第一载体和第二载体上，所述第一载体和第二载体连接到相应的第一半导体裸片和第二半导体裸片的第三接触；以及第一接触连接构件，从第一半导体裸片的第一接触延伸到第二载体的裸片连接部分，第一半导体裸片的第一接触与第二半导体裸片的第三接触电连接。
半导体器件制造方法

[实用新型]裸电芯极耳折弯装置-CN201420195635.7有效
发明人：何云;秦德斌 -专利权人：东莞新能源科技有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种裸电芯极耳折弯装置，裸电芯在长度方向上的一侧设置有第一极耳及第二极耳，所述裸电芯极耳折弯装置包括：裸电芯定位组件，收容裸电芯并使裸电芯设置有第一极耳及第二极耳的长度方向的第一侧面和宽度方向的第二侧面定位；检测组件，连接于裸电芯定位组件，用于收容并定位裸电芯的第一极耳及第二极耳；以及压头组件，连接于检测组件，用于对裸电芯的第一极耳及第二极耳施压以将裸电芯的第一极耳及第二极耳折弯。本实用新型的裸电芯极耳折弯装置首先通过检测组件检测裸电芯定位组件定位的裸电芯的第一极耳及第二极耳尺寸是否合格，然后通过压头组件将尺寸合格的第一极耳及第二极耳折弯，提高了裸电芯极耳折弯的效率和精度。
裸电芯极耳折弯装置

[实用新型]一种芯片及主板-CN202022824312.8有效
发明人：林少芳;杨晓君;杜树安;杨光林;孟凡晓 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种芯片及主板，该芯片包括具有相对的第一面及第二面的封装基板、设置在封装基板第一面的至少一个内存裸片。封装基板第一面设置有中央处理器裸片，中央处理器裸片与至少一个内存裸片中的每个内存裸片均电连接，以向每个内存裸片中写入数据或从每个内存裸片中读取数据。封装基板的第二面设置有用于与印刷电路板电连接的引脚，中央处理器裸片还与第二面的引脚电连接。通过将中央处理器裸片及至少一个内存裸片封装在一个封装基板上，且每个内存裸片均与中央处理器裸片电连接，从而通过封装基板上的中央处理器裸片及内存裸片即可工作，提高了芯片及主板的集成度，能够减小主板的印刷电路板的面积
一种芯片主板

[发明专利]热电半导体装置及其制作方法-CN202210139623.1在审
发明人： S·钱德兰;杜建娣;张亚洲;郑彬彬;瞿文彬;邱进添 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种热电半导体装置包含安装在衬底上的散热半导体模块和快闪存储器裸片堆叠。所述散热模块包括例如控制器的第一半导体裸片和例如热电半导体裸片的第二半导体裸片以在操作期间冷却所述第一半导体裸片。所述热电半导体裸片可在晶片级安装到所述控制器裸片。
热电半导体装置及其制作方法