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[发明专利]外延生长用内部改性衬底和使用其制造的晶体成膜体、器件、块状衬底以及它们的制造方法-CN200980154399.6有效
发明人：会田英雄;青田奈津子;星野仁志 -专利权人：并木精密宝石株式会社;株式会社迪思科
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石衬底的翘曲形状和/或翘曲量；使用通过本发明得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提高氮化物半导体器件的质量和成品率。
外延生长内部改性衬底使用制造晶体成膜体器件块状以及它们方法

[发明专利]一种提高翘曲蓝宝石晶圆研磨良率的方法-CN202011221863.3有效
发明人：郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;张晓娜;李永强;王雪;白城镇 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高翘曲蓝宝石晶圆研磨良率的方法，其包括以下步骤：(1)、在翘曲蓝宝石晶圆的正面对蓝宝石衬底进行开槽；(2)、在翘曲蓝宝石晶圆的背面对蓝宝石衬底进行开槽；(3)、对翘曲蓝宝石晶圆的蓝宝石衬底进行减薄；(4)、对翘曲蓝宝石晶圆的蓝宝石衬底进行研磨。其可以改善翘曲大及内应力大的蓝宝石晶圆在研磨工艺中的不良率。
一种提高蓝宝石研磨方法

[发明专利]3D IC凸块高度计量APC-CN201510793909.1有效
发明人：郑迺汉;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及依赖于先进的工艺控制(APC)的凸块计量的方法，以向凸块计量模块提供描述衬底的翘曲的衬底翘曲参数，从而改善凸块计量模块的聚焦。在一些实施例中，方法测量半导体衬底的一个或多个衬底翘曲参数。基于测量的衬底翘曲参数来计算凸块计量模块的透镜的初始焦点高度。然后将凸块计量模块的透镜放置在初始焦点高度处，并且随后使用透镜来测量半导体衬底上的多个凸块的高度和关键尺寸。通过对凸块计量模块提供衬底翘曲参数，凸块计量模块可以使用实时工艺控制来计算晶圆翘曲，从而提高产量和收益。本发明还提供了3D IC凸块高度计量APC。
dic 高度计量 apc

[实用新型]一种LED外延片-CN202020005747.7有效
发明人：滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED外延片，包括衬底、位于所述衬底表面的翘曲控制层、依次位于所述翘曲控制层表面的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述翘曲控制层是通过对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理形成的对衬底进行加热，并采用氮化气体对衬底进行氮化处理，可以使得氨气与衬底表面的一些化学键结合，形成晶格常数介于衬底和半导体层中间的物质即翘曲控制层，从而可以通过翘曲控制层减少衬底和半导体层之间因晶格失配产生的压应力或张应力，进而减小和改变LED外延片的翘曲，提高LED外延片的波长均匀性，提高LED外延片的良率，节约后续形成的LED芯片的分选成本。
一种 led 外延

[发明专利]用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备-CN201911022264.6在审
发明人： P·利安托;M·拉菲;M·A·B·S·苏莱曼;G·H·施;Y·X·K·安;S·斯如纳乌卡拉苏;A·桑达拉扬;K·埃卢马莱 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：公开了用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备。用于在衬底上产生精细间距图案化的方法和设备。在载体或无载体的衬底上完成所述衬底的翘曲校正。通过将所述衬底的温度升高到第一温度且保持为所述第一温度和将所述无载体的衬底冷却到第二温度来对所述衬底执行第一翘曲校正工艺。然后执行进一步晶片级封装处理，诸如在所述衬底上的聚合物层中形成通孔。然后通过将所述衬底的温度升高到第三温度且保持为所述第三温度和将所述衬底冷却到第四温度来在所述衬底上执行第二翘曲校正工艺。随着所述衬底的所述翘曲减小，可以用2/2μm l/s精细间距图案化来在所述衬底上形成再分布层。
用于晶片封装工艺控制方法设备

[发明专利]低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法-CN202210240338.9在审
发明人：王颖慧;罗晓菊;裴卫江 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法。本申请提供的低翘曲的衬底结构的制备方法包括：提供氮化镓衬底；在预设生长条件下，于氮化镓衬底的背面形成第一膜层，以使得第一膜层产生与所述氮化镓衬底内的内应力方向相反的张应力，第一膜层的热膨胀系数小于氮化镓衬底的热膨胀系数；于第一膜层远离氮化镓衬底的表面形成第二膜层，第二膜层的热膨胀系数大于氮化镓衬底的热膨胀系数。本申请提供的低翘曲的衬底结构的制备方法能够抵消衬底结构由于氮化镓衬底的内应力而导致的翘曲，降低衬底结构由于翘曲而形成的碗装内凹，降低后续进行器件制程和/或芯片制程的难度，并使得衬底结构在后续工艺步骤中不受温度的影响
低翘曲衬底结构半导体及其制备方法

[发明专利]膜沉积装置-CN200980160793.0无效
发明人：桥本信;田边达也 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：当在加热气氛中在半导体衬底(10)等上沉积膜时，造成半导体衬底(10)只由于温度升高而发生相当大程度的翘曲(弯曲)。所述衬底的翘曲导致诸如衬底(10)上形成的膜质量均匀性劣化以及在衬底(10)中产生裂缝的概率增加的问题。本发明的膜形成装置(200)通过从上侧和下侧都加热主表面，来减小衬底(10)的主表面的上侧和下侧之间的温度梯度(温度差)，由此抑制衬底(10)的翘曲。更优选地，膜形成装置(200)还包括用于测量衬底(10)的曲率或翘曲的测量单元(5)。
沉积装置

[发明专利]翘曲片工装、使用方法及其交接片装置-CN201110416820.5有效
发明人：张俊;陈勇辉 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种翘曲片工装，包括：载片衬底，用以承载翘曲片基底；紧固件，间隔设置在所述载片衬底外围边沿处，所述紧固件朝向所述载片衬底中心方向的一侧连接有一紧固扣，所述紧固扣与所述载片衬底表面具有间隙，用以容置所述翘曲片本发明通过翘曲片工装新型的结构设计，解决了传输过程和工作台真空吸附的问题，保证了翘曲片在光刻机上连续正常的生产，同时，增强了现有光刻机的实用性、提高了生产效率，使生产良率大幅提高。
翘曲片工装使用方法及其交接装置

[发明专利]化学气相沉积设备中实时测量衬底翘曲的方法及装置-CN201310204679.1有效
发明人：甘志银;甘志强;胡少林 -专利权人：甘志银
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学气相沉积设备中实时测量衬底翘曲的方法及装置。该测量方法包含以下步骤用分波前的方法将一束激光分成几个相干光源照射衬底表面，用图像传感器测量衬底反射的衍射干涉图样形状，对比有翘曲和无翘曲时的衍射干涉图样形状计算衬底翘曲。本发明的优点是测量装置结构紧凑简单，能够实时快速检测外延片的局部翘曲，能够避免承载盘倾斜或者抖动造成的影响，测量精度高。
化学沉积设备实时测量衬底方法装置

[发明专利]一种异质结构及其制备方法-CN202310639707.6在审
发明人：欧欣;徐文慧;伊艾伦;游天桂;瞿振宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结构制备方法，包括提供单晶功能材料基板和异质衬底基板；对单晶功能材料基板进行第一离子注入，以形成第一缺陷层，形成第一缺陷层的单晶功能材料基板呈现翘曲状态；对异质衬底基板进行翘曲调控处理，以形成翘曲调控层，形成翘曲调控层的异质衬底基板呈现翘曲状态；键合形成第一缺陷层的单晶功能材料基板和形成翘曲调控层的异质衬底基板，得到异质键合体；对异质键合体进行剥离，得到目标异质结构。本申请的异质结构制备方法通过使异质衬底基板与单晶功能材料基板均形成翘曲，以减小异质衬底基板与单晶功能材料基板间的键合间隙，进而增强键合波的扩散能力，进而增强键合强度。
一种结构及其制备方法

[发明专利]一种衬底的回收工艺-CN202010941634.2在审
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明针对外延生长完成的衬底回收时存在翘曲偏大、利用率低的问题，公开了一种调整衬底翘曲、提高利用率的方法，该方法通过在衬底外延层的另一面进行镀膜，激光聚焦在衬底内部形成改质点来调整衬底的翘曲以达到量产的标准，之后利用高温化学反应去除外延生长层，对去除外延生长层后的衬底进行清洗，去除低折射率膜，得到回收后的衬底。
一种衬底回收工艺

[发明专利]一种低翘曲半导体激光器及其制备方法-CN202111076011.4在审
发明人：赵武;刘恒;王俊;谷飞;苗霈 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种低翘曲半导体激光器及其制备方法，包括衬底、设置于衬底一侧的外延结构层和设置于所述衬底远离所述外延结构层的一侧表面的防翘曲层。位于所述外延结构层的一侧表面的防翘曲层使衬底内部产生第二内应力，所述第二内应力能够平衡外延结构层形成后衬底内部产生的第一内应力，从而降低所述衬底的翘曲程度，增大了在转移、测试和切割过程中衬底的各个位置受力的均匀程度
一种低翘曲半导体激光器及其制备方法

[发明专利]计算贴合SOI晶片的翘曲的方法及贴合SOI晶片的制造方法-CN201280045093.9有效
发明人：横川功;阿贺浩司;水泽康 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，就该贴合SOI晶片而言，在键合晶片和衬底晶片中的任一方表面或在其双方表面形成热氧化膜，并通过该热氧化膜将上述键合晶片和上述衬底晶片贴合之后使上述键合晶片薄膜化，由此制作由上述衬底晶片上的BOX层和该BOX层上的SOI层构成的构造的外延生长用SOI晶片，并使外延层生长而制作上述贴合SOI晶片，上述计算贴合SOI晶片的翘曲的方法其特征在于，假想上述外延生长用SOI晶片是具有与上述键合晶片的掺杂剂浓度相同的掺杂剂浓度的单晶硅晶片，计算在该假想单晶硅晶片进行外延生长时所产生的翘曲A，并计算起因于上述外延生长用SOI晶片的上述BOX层的厚度的翘曲B，进而将上述贴合之前的衬底晶片的翘曲的实测值设为翘曲C，将这些翘曲的总合（A+B+C）作为上述贴合SOI晶片的翘曲而计算。由此，提供一种预先计算贴合SOI晶片的翘曲的方法，进而提供一种通过使用该计算方法制造具有所期望的翘曲的贴合SOI晶片的方法。
计算贴合 soi 晶片方法制造

[发明专利]测量衬底后表面的翘曲的方法-CN200710005974.9无效
发明人：石桥惠二;田中仁子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：一种测量衬底的后表面翘曲的方法，包括衬底探测步骤(S1)、最佳配合面计算步骤(S5)以及翘曲计算步骤(S6)。此外，该测量衬底后表面翘曲的方法在衬底探测步骤(S1)之后和最佳配合面计算步骤(S5)之前还可以包括：噪声去除步骤(S2)和外周边部分去除步骤(S3)；外周边部分去除步骤(S3)和平滑步骤(S4)；或噪声去除步骤由此，可以提供一种测量衬底的后表面翘曲的方法，该衬底的后表面具有高表面粗糙度。
测量衬底表面方法

[实用新型]一种半导体装置-CN202121441397.X有效
发明人：王蔚;H.邱;P.赖;王旭;王心语 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该半导体装置包括衬底、设置于衬底上的一个或多个半导体裸芯、设置在衬底上并覆盖一个或多个半导体裸芯的模塑料、设置在模塑料上的电磁屏蔽层以及设置在电磁屏蔽层上的防翘曲层。防翘曲层的厚度大于电磁屏蔽层的厚度。电磁屏蔽层为连续层。防翘曲层包括镂空区域。根据本实用新型，可以改善在模塑工艺后的半导体装置的翘曲程度。
一种半导体装置

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