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[发明专利]GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法-CN202110578692.8在审
发明人：刘凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法，GaN基复合衬底包括：隔离衬底、GaN基衬底，以及位于隔离衬底与GaN基衬底之间的键合层。本发明采用GaN基复合衬底取代GaN基材料衬底，复合衬底通过键合层将GaN基衬底与隔离衬底键合在一起，隔离衬底无沿厚度方向延伸的缺陷，可封堵化学腐蚀液通过GaN基衬底中的孔洞向下渗漏的路径，避免机台以及产线的污染，从而可获得质量较好的GaN基器件层，进而提高GaN基器件的良率。
gan 复合衬底器件及其制作方法

[发明专利]基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法-CN201410212952.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。通过上述方案，本发明达到了低成本、低衬底损耗、高集成度、高性能的目的，具有很高的实用价值和推广价值。
基于图形高能离子注入衬底损耗集成电路及其制作方法

[发明专利]环保型柔性纸基驻极体扬声器及其制备方法-CN202310256855.X在审
发明人：钟俊文;皮宇聪 -专利权人：澳门大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及扬声器的制备技术领域，提供了一种环保型柔性纸基驻极体扬声器及其制备方法。扬声器，包括依次叠设的顶层纸基衬底、聚乳酸振膜以及底层纸基衬底；顶层纸基衬底的边缘、底层纸基衬底的边缘分别与聚乳酸振膜的相对两面的边缘连接；顶层纸基衬底与聚乳酸振膜之间具有第一振动空间，底层纸基衬底与聚乳酸振膜之间具有第二振动空间；顶层纸基衬底和底层纸基衬底朝向聚乳酸振膜的一面均涂覆有导电涂层；两个导电涂层分别电连接一根导线。制备方法，包括在顶层纸基衬底和底层纸基衬底的一面涂覆导电涂层；将顶层纸基衬底、聚乳酸振膜以及底层纸基衬底连接在一起。该扬声器具有制备简单、易定制、输出频响稳定、能够在自然中自行降解的优点。
环保柔性纸基驻极体扬声器及其制备方法

[发明专利]硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件-CN201811303611.8在审
发明人：赵壮;刘磊;乐阮平;王霆;张建军 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件，涉及电子技术应用领域，包括：硅基衬底，硅基衬底的一面具有周期性的凸起结构，每个凸起结构的侧面与底面存在倾角；设置在硅基衬底具有凸起结构的一面上的三五族材料层在该衬底基板中，由于硅基衬底的一面不再是硅(100)晶面，而是具有周期性的凸起结构，该凸起结构能够实现位错的自湮灭，将晶格失配以及反相畴所导致的位错限制在硅基衬底这一层，使得三五族材料在该硅基衬底上外延生长时，能够保持整齐的晶体结构，因此，能够减少硅基衬底和三五族材料之间的晶格失配和反相畴等问题，提高三五族材料在该硅基衬底上的良品率。本申请用于在硅基衬底上形成高质量的三五族材料。
衬底及其制造方法光电器件

[发明专利]一种GaN基复合衬底的制备方法-CN201611184509.1有效
发明人：汪青;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种GaN基复合衬底的制备方法，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及GaN基外延薄膜，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延薄膜得到蓝宝石GaN基复合衬底；然后在GaN基外延薄膜表面和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，接着将GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合在一起；再去除蓝宝石衬底后得到GaN基复合衬底，在GaN基外延薄膜转移前、转移过程中和转移后选择性进行表面处理本发明既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。
一种 gan 复合衬底制备方法

[发明专利]一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310736872.3在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法-CN201410233451.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化高能重离子注入的低损耗硅基射频无源器件的制作方法，解决了硅基射频无源器件严重的衬底损耗问题，并且具有优化硅基无源器件寿命和抑制高温下工作性能退化的效果，其包括如下步骤：（a1）选择一低阻硅基衬底；（a2）在低阻硅基衬底顶部按照硅基工艺制作射频无源器件；（a3）从低阻硅基衬底底部注入图形化高能重离子，实现高能重离子注入区硅基衬底非晶化，获得图形化高阻硅基衬底，还可利用掩模或掩模板注入高能重离子，本发明通过图形化高能重离子注入轰击低阻硅基衬底，提高硅基无源器件下方衬底的电阻率，降低射频无源器件的衬底损耗，从而达到硅基射频无源器件的低损耗目的。
一种图形高能离子注入损耗射频无源器件制作方法

[发明专利]混合取向技术中静态随机存储器及写入冗余度改善的方法-CN201310491998.5无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种混合取向技术中的静态随机存储器，包括：硅基衬底，并在所述硅基衬底上形成（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底和（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底；浅沟槽隔离，间隔设置在所述硅基衬底内；NMOS器件，设置在所述硅基衬底之第一衬底上；PMOS器件，设置在所述硅基衬底之第二衬底上；上拉晶体管，为PMOS晶体管，并设置在所述硅基衬底之第一衬底上。本发明通过对所述NMOS器件采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底，对所述PMOS器件采用（110）衬底晶向<110>沟道取向之第二衬底，对所述上拉晶体管采用（100）衬底晶向<110>沟道取向之第一衬底
混合取向技术静态随机存储器写入冗余改善方法

[发明专利]生长半导体衬底的方法、氮化物基发光器件及其制造方法-CN200610159373.9有效
发明人：宋俊午 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：通过使用单晶氮化物基半导体衬底制造氮化物基发光器件。在第一衬底上沉积籽晶材料层，其中从第一衬底的顶表面除去包括天然氧化层的有机残留物。从籽晶材料层生长多功能衬底。在多功能衬底上形成包括氮化物基缓冲层的单晶氮化物基半导体层。籽晶材料层主要辅助多功能衬底的生长，多功能衬底主要用于单晶氮化物基半导体衬底的生长。以单晶层或具有六方晶体的多晶层的形式制备多功能衬底。使用单晶氮化物基半导体衬底的发光器件作为具有高容量、大面积、高亮度和高性能的下一代白光源。
生长半导体衬底方法氮化物发光器件及其制造

[发明专利]用于控制光刻工艺的方法及设备-CN201980090607.4在审
发明人： R·沃克曼;D·F·S·德克尔;B·拉贾塞克兰;伊格纳西奥·萨尔瓦多·瓦斯凯罗达特;S·罗伊 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：披露了一种确定用于光刻工艺的控制参数的方法，该方法包括：限定用于表示在衬底上各处的工艺参数特征标识的衬底模型，该衬底模型被限定为基函数的组合，该基函数包括适合于表示多个衬底之间和/或多批衬底之间的工艺参数特征标识变化的至少一个基函数；接收在至少一个衬底上各处的工艺参数的测量结果；使用测量结果及基函数计算衬底模型参数；以及基于衬底模型参数及至少一个基函数与多个衬底之间和/或多批衬底之间的工艺参数特征标识变化的相似度确定控制参数。
用于控制光刻工艺方法设备

[发明专利]玻璃基多芯片封装-CN201410393719.6在审
发明人： T·周 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：在各实施方式中，玻璃基多芯片封装包括：可光确定的玻璃基衬底、置于所述可光确定的玻璃基衬底上的至少一个电子元件、和所述可光确定的玻璃基衬底的已被曝光至紫外光的部分，其中所述可光确定的玻璃基衬底的所述部分包括陶瓷在各实施方式中，制造传感器封装装置包括：接收可光确定的玻璃基衬底、蚀刻所述可光确定的玻璃基衬底，和形成所述可光确定的玻璃基衬底的陶瓷部分。
玻璃基多芯片封装

[发明专利]一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法-CN201811403473.0在审
发明人：欧欣;伊艾伦;林家杰;张师斌;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。
一种 si 衬底集成石墨制备方法

[发明专利]利用切割技术移除衬底的方法-CN201880060140.4在审
发明人：神川刚;S·甘德瑞蒂拉;李鸿渐 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种利用切割技术从III族氮化物基半导体层移除衬底的方法。在衬底上或上方形成生长限制掩模，且使用所述生长限制掩模在所述衬底上或上方生长一或多个III族氮化物基半导体层。将所述III族氮化物基半导体层键合到支撑衬底或膜，且在所述衬底的表面上使用切割技术从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层。在从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层之前，由于所述III族氮化物系衬底与键合到所述III族氮化物基半导体层的所述支撑衬底或膜之间的热膨胀差异，可向所述III族氮化物基半导体层施加应力。一旦移除，所述衬底便可被回收，从而节省用于器件制作的成本。
利用切割技术衬底方法

[发明专利]硅基衬底、光源及其制造方法、光芯片、设备-CN202210044898.7在审
发明人：韦文奇;李圳;胡先标;王子昊;王霆;张建军 -专利权人：东莞思异半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/24 文献下载
摘要：一种硅基衬底、光源及其制造方法、光芯片、设备，属于半导体技术领域。该硅基光源包括：光源结构和硅基衬底；硅基衬底包括：依次层叠的硅衬底、介质层和耦合波导结构，且硅基衬底中耦合波导结构所在侧具有凹槽，且凹槽的底面位于硅衬底；光源结构位于凹槽的底面，光源结构包括激光器，激光器的出光面与耦合波导结构的入光面耦合本申请丰富了硅基光源的结构，本申请用于采用光信号通信的设备。
衬底光源及其制造方法芯片设备

[发明专利]基于硅基磁性材料衬底的环形器-CN201610342732.8在审
发明人：汪蔚;祁飞;杨志;杨拥军;王伟强 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基磁性材料衬底的环形器，涉及环形器技术领域。包括上下两层堆叠在一起的硅基磁性材料衬底，每层硅基磁性材料衬底的上下表面制作有金属图形，每层硅基磁性材料衬底中设有贯穿性通孔，通孔金属化后，将硅基磁性材料衬底上下表面的金属图形连接在一起，两层硅基磁性材料衬底中的金属图形和金属化通孔共同构成谐振结构；在第一硅基磁性材料衬底的下表面和第二硅基磁性材料衬底的上表面相对位置设有空气槽，所述第一硅基磁性材料衬底上表面的金属图形上设有磁铁。
基于磁性材料衬底环形

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