[发明专利]一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201811403473.0 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111217359A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;伊艾伦;林家杰;张师斌;于庆凯;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法，包括：提供一Si基衬底，在所述Si基衬底上表面形成介质层；提供一复合结构，所述复合结构包括牺牲衬底以及覆盖于所述牺牲衬底上表面的金属层；在所述复合结构上表面沉积石墨烯薄膜，形成覆盖所述金属层的石墨烯层；将所述Si基衬底覆盖有所述介质层的一面与所述复合结构上覆盖有所述石墨烯薄膜的一面进行键合；采用腐蚀工艺腐蚀所述金属层，以实现所述牺牲衬底的分离，使得石墨烯薄膜转移到Si基衬底上。本发明将石墨烯薄膜转移至Si基衬底上，解决了石墨烯薄膜与Si基衬底晶圆级集成的问题，为石墨烯在微电子器件领域的应用提供支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 集成 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 沈永龙;张公开;武智恒;邵国胜 - 郑州大学
- 2023-04-28 - 2023-07-25 - C01B32/186
- 本发明涉及一种氮磷共掺杂直立石墨烯及其制备方法、应用，属于石墨烯制备技术领域。本发明的氮磷共掺杂直立石墨烯的制备方法，包括以下步骤：通过高通量等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积直立石墨烯；在沉积直立石墨烯时，同步通入气态氮源作为反应气体，并同步在等离子束流中放置单质磷源。本发明的氮磷共掺杂直立石墨烯的制备方法，利用高通量等离子体增强化学气相沉积技术，在沉积直立石墨烯的过程中引入固态单质磷源和气态氮源，在高密度等离子体作用下通过一步法制备得到氮磷共掺直立石墨烯，避免多步法繁琐过程。
- 扶手椅型石墨烯纳米带及其制备方法-202310517857.X
- 史志文;娄硕;吕博赛;陈佳俊;沈沛约 - 上海交通大学
- 2023-05-10 - 2023-07-21 - C01B32/186
- 本发明提供一种扶手椅型石墨烯纳米带及其制备方法，采用甲烷作为碳源气体，六方氮化硼作为生长衬底，生长温度为800℃～875℃，生长时间为35min～45min，且使氢气与甲烷气体的流量比为1:3～1:5的一系列参数，使金属纳米催化剂颗粒沿着衬底的扶手椅晶向运动，在生长过程中催化剂颗粒辅助甲烷裂解脱氢并从中获取碳原子，当催化剂颗粒中的碳浓度达到饱和后，碳原子从其的表面析出，从而生长出石墨烯纳米带，由于是外延生长，合成的石墨烯纳米带和衬底晶格结构对齐，从而生长出具有扶手椅型边缘结构的石墨烯纳米带，长度可以达到微米量级，扶手椅型边界形貌的石墨烯纳米带的纯度可达97％到98％之多；另外，该制备方法操作简单，成本低廉，可大规模生产，具有较佳的产业化价值。
- 一种用小分子生长大面积少层石墨烯的方法及系统-202010353553.0
- 吴琼 - 吴琼
- 2020-04-29 - 2023-07-14 - C01B32/186
- 本发明提供了一种用小分子生长大面积少层石墨烯的方法，包括如下步骤：放置原料、设定反应条件、生长和后处理，所述生长原料为芳香族小分子化合物，且所述芳香族小分子化合物的苯环与至少一个氮原子共价连接，所述生长衬底为金属衬底。本发明用小分子生长大面积少层石墨烯的方法通过芳香族小分子化合物提供碳源并在金属衬底上生长大面积少层石墨烯，生长温度达到500～700℃时，金属衬底具有相当的催化还原能力，能够催化芳香族小分子化合物还原成石墨烯并附着于金属衬底上，提升了制备过程的安全性、降低了生产成本。本发明还提供了一种用小分子生长大面积少层石墨烯的系统。
- 一种孔隙率与孔径可控的多边界石墨烯泡沫及其制备方法-202210994069.5
- 张雨雷;孟嘉晨;宋强;陈慧;李涛;陈国辉 - 西北工业大学
- 2022-08-18 - 2023-06-30 - C01B32/186
- 本发明涉及一种孔隙率与孔径可控的多边界石墨烯泡沫及制备方法，将SiO
- 专利分类
