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[发明专利]蚀刻量测量装置、蚀刻装置及蚀刻量测量方法-CN200610087963.5有效
发明人：久保田尚树;堀田哲广 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻量测量装置50，在使用离子束26对衬底22进行蚀刻时，测量衬底22的蚀刻量。蚀刻量测量装置50具备，形成有用于导入离子束26的一部分26a的导入口58a的腔室58、收容在腔室58内且由离子束26的一部分26a蚀刻的被处理部件60、以及接收从被处理部件60产生的物质64同时检测所接收的物质
蚀刻测量装置测量方法

[发明专利]蚀刻工艺中的补酸量的确定方法及装置-CN202110316840.9在审
发明人：吴金臻;郑浩旋 -专利权人：重庆惠科金渝光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻工艺中的补酸量的确定方法及装置，涉及蚀刻技术领域，所述蚀刻工艺中的补酸量的确定方法包括以下步骤：根据待蚀刻产品的待蚀刻涂层的厚度及蚀刻面积，计算待蚀刻部分的量；根据所述待蚀刻部分的量，计算酸的使用量；根据所述酸的使用量、待蚀刻产品的传送速度及待蚀刻产品在蚀刻槽中的停留时间，计算单位时间内酸的补给量。本发明提出的蚀刻工艺中的补酸量的确定方法，通过计算得到单位时间内酸的补给量，不依赖酸浓度分析仪，补酸量的确定更加准确，异常发生率低、稳定性高。
蚀刻工艺中的补酸量确定方法装置

[发明专利]蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及半导体装置-CN200410098073.5有效
发明人：西田知矢 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种蚀刻方法中，在与蚀刻时间无关地确定蚀刻量的条件下，根据执行蚀刻工艺的次数来控制蚀刻量。从而，可以用步进法(step－by－step manner)进行蚀刻，由此能够高精度地控制蚀刻量。
蚀刻方法制造半导体装置以及

[发明专利]膜层厚度的量测方法-CN202211296390.2在审
发明人：江琦;张宇;王少威;苏育生 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种膜层厚度的量测方法，包括：提供基底；在所述基底上形成参照层；在所述参照层上形成待量测层，所述待量测层与所述参照层的材料不同，所述待量测层具有相对的第一面和第二面，第二面与参照层接触；采用干蚀刻机台对所述待量测层进行蚀刻处理，并获取所述干蚀刻机台对待量测层的蚀刻时间；获取所述干蚀刻机台对所述待量测层的蚀刻速率；根据所述蚀刻时间和所述蚀刻速率，获取所述待量测层的膜层厚度。通过获取所述干蚀刻机台对所述待量测层的蚀刻速率和蚀刻时间，即可获取所述待量测层的膜层厚度，对所述待量测层的膜层厚度没有限制，因此能够有效增大膜层量测的适用范围。另外不需要专门的膜层厚度量测机台，进而能够有效降低膜层量测的成本。
厚度方法

[发明专利]铜及钼含有膜的蚀刻液组合物-CN201810996546.5在审
发明人：李恩庆;殷熙天;金世训;申孝燮 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻铜及钼含有膜时，控制钼或钼合金膜的侧蚀，实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物中，相对于总重量，过氧化氢的含量为10至30重量％，蚀刻抑制剂的含量为0.1至5重量％，螯合剂的含量为0.1至5重量％，蚀刻添加剂的含量为0.1至5重量％，氟化物的含量为0.01至2重量％，侧蚀抑制剂的含量为0.01至2重量％，及使总重量达到100重量％的水。
蚀刻蚀刻液组合物侧蚀过氧化氢的蚀刻添加剂蚀刻抑制剂蚀刻特性氟化物抑制剂直线度钼合金螯合剂锥角

[发明专利]铜及钼含有膜的蚀刻液组合物-CN201410487573.1有效
发明人：李恩庆;殷熙天;金世训;申孝燮 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻铜及钼含有膜时，控制钼或钼合金膜的侧蚀，实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物中，相对于总重量，过氧化氢的含量为10至30重量％，蚀刻抑制剂的含量为0.1至5重量％，螯合剂的含量为0.1至5重量％，蚀刻添加剂的含量为0.1至5重量％，氟化物的含量为0.01至2重量％，侧蚀抑制剂的含量为0.01至2重量％，及使总重量达到100重量％的水。
含有蚀刻组合

[发明专利]含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置-CN201811523845.3有效
发明人：高桥信博;竹谷考司;田内启士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。
含硅膜蚀刻方法计算机存储介质装置

[发明专利]一种印制线路板线路的动态蚀刻补偿方法-CN201710986294.3在审
发明人：罗登峰;刘喜科;戴晖 -专利权人：梅州市志浩电子科技有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及PCB技术领域，公开了一种印制线路板线路的动态蚀刻补偿方法，包括步骤根据待蚀刻线路图形的底铜厚度，为待蚀刻线路图形中的各条线路分别设定相应的初始蚀刻补偿量；对于每条线路，若其第一部分处于密集区且第二部分位于非密集区，则将当前线路的初始蚀刻补偿量减少得到第一蚀刻补偿量，将当前线路的初始蚀刻补偿量增加得到第二蚀刻补偿量；根据第一蚀刻补偿量对第一部分进行蚀刻补偿，同时根据第二蚀刻补偿量对第二部分进行蚀刻补偿。本发明实施例对同一条线路的处于不同区域的各个部分按照所处区域的密集程度来设计不同补偿量，可有效保障蚀刻后同种规格线宽极差值范围最小，提升线路的一致性，保证传输信号及阻抗信号的稳定性。
一种印制线路板线路动态蚀刻补偿方法

[发明专利]一种自动精密电化学蚀刻方法及自动精密电化学蚀刻设备-CN201811214165.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：王晓冉
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C25F3/02 文献下载
摘要：一种自动精密电化学蚀刻方法，主要通过参数设置、工件自动定位、初始值采集、计算蚀刻电流做功量以及对初始值调整等步骤实现精密蚀刻的过程控制，从而对待处理工件进行精密蚀刻。本发明通过比较预先计算出来的电流做功量和实际蚀刻过程中电流实际做功量来进行精密蚀刻的闭环控制过程，从而实现电化学蚀刻的精确控制；其中，通过采用VCO转换法来精确地获取蚀刻过程中蚀刻电流实际做功量，以对工件的减薄量进行精确地控制；此外，本发明还涉及实施该自动精密电化学蚀刻方法的自动精密电化学蚀刻设备。本发明极大提高了电化学蚀刻的精度和电化学蚀刻过程控制的稳定性以及蚀刻效率，并大大降低了蚀刻成本。
一种自动精密电化学蚀刻方法设备

[发明专利]蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置-CN200410042961.5有效
发明人：野泽秀二;西牧克洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置，能够与掩模层的种类无关地正确检测被蚀刻层的蚀刻量。光La的一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射，得到反射光La1。使用干涉光Lai与干涉光Lbi，算出多晶硅膜(304)的蚀刻量。
蚀刻检测方法装置

[发明专利]导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法-CN200780036318.3有效
发明人：井原孝;藤本孝弘 -专利权人：鹤见曹达株式会社;东亚合成株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH₄)₂Ce(NO₃)₆、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO₄)₂的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH_{4量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。}
导电性高分子蚀刻图案方法

[发明专利]玻璃基板的蚀刻处理方法-CN200880116763.5无效
发明人：西条佳孝;铃木祐一;秋山良司;竹中敦义;加濑准一郎 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供以玻璃基板的薄板化为目的、蚀刻速度高并且可以抑制在玻璃基板表面产生雾度的蚀刻处理方法。本发明涉及一种玻璃基板表面的蚀刻处理方法，以1～690μm的蚀刻量对玻璃基板表面进行蚀刻处理，其特征在于，所述蚀刻处理通过HF浓度为1～5重量％、HCl浓度为1重量％以上的蚀刻液进行。
玻璃蚀刻处理方法

[发明专利]蚀刻液组合物、配线、显示装置用阵列基板及其制造方法-CN201810001365.4有效
发明人：李承洙;权玟廷;沈庆辅 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻液组合物、配线、显示装置用阵列基板及其制造方法，该蚀刻液组合物包含硝酸、磷酸、乙酸、氯系化合物、磺酸系化合物、硫酸盐系化合物和水。相对于蚀刻液组合物总重量，磷酸为40～60重量％，硝酸为5～9重量％，乙酸为15～25重量％，氯系化合物为0.1～2重量％，磺酸系化合物为0.5～3重量％，硫酸盐系化合物为0.5～3重量％，水为使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量。本发明的蚀刻液组合物具有蚀刻直进性和蚀刻均匀性优异的效果。此外，本发明的蚀刻液组合物具有在蚀刻透明导电膜时不产生尖端的效果。
蚀刻组合配线显示装置阵列及其制造方法

[发明专利]使用频谱检测的关键尺寸控制方法-CN200710086947.9有效
发明人：洪彰成;谢弘璋;张世明;王文娟;吕启纶;夏振原;黄彦彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种图案化一基材的方法，至少包括形成一材料层于基材上；进行一第一蚀刻步骤于材料层上，以形成一图案；使用一光学频谱量测工具，量测材料层的图案：判别量测步骤是否指出第一蚀刻步骤达到一预先定义结果；以及若未达到预先定义结果，则产生一蚀刻配方，并利用此蚀刻配方，对材料层进行一第二蚀刻步骤。本发明使用光学关键尺寸量测工具，可以在一蚀刻制程后，量测图案化特征的关键尺寸与轮廓，并调整此蚀刻制程及/或其他蚀刻制程的蚀刻配方，非常适于实用。
使用频谱检测关键尺寸控制方法

[发明专利]蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板的制法及阵列基板-CN201711244038.3在审
发明人：鞠仁说;尹暎晋;李钟文 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板的制法及阵列基板，该蚀刻液组合物包含过硫酸盐0.5～20重量％；氟化合物0.01～2重量％；无机酸1～10重量％；环状胺化合物0.5～5重量％；氯化合物0.01重量％以上且小于0.1重量％；有机酸或有机酸盐1～20重量％；和使蚀刻液组合物总重量成为100重量％的余量的水。本发明的蚀刻液组合物具有蚀刻轮廓优异的效果。此外，本发明的蚀刻液组合物具有在蚀刻金属膜时抑制析出物产生从而可以预防由析出物导致的蚀刻性能降低、配线不良率增加、设备及管道中析出问题带来的工序费用增加、废水处理费用增加等问题的效果。
蚀刻液组合物阵列基板蚀刻显示装置析出物制法废水处理费用环状胺化合物氟化合物工序费用过硫酸盐氯化合物蚀刻性能有机酸盐析出不良率金属膜无机酸有机酸配线预防

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