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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]在半导体器件中形成微图案的方法-CN200810149517.1无效
  • 金原圭 - 海力士半导体有限公司
  • 2008-09-10 - 2009-03-18 - H01L21/00
  • 本发明提供一种用于在半导体器件中形成微图案的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上形成第一蚀刻终止层；在第一蚀刻终止层上形成第二蚀刻终止层；在第二蚀刻终止层上形成第一牺牲层；通过选择性地蚀刻第一牺牲层来形成第一牺牲图案；在第二蚀刻终止层和第一牺牲图案上形成第二牺牲层；蚀刻第二牺牲层和第二蚀刻终止层，直至暴露出第一牺牲图案且第二牺牲层仅保留在第一牺牲图案的侧壁上；移除暴露的第一牺牲图案；蚀刻暴露的第二蚀刻终止层掩模以限定多个第一结构；蚀刻第一蚀刻终止层；和蚀刻蚀刻目标层。
  • 半导体器件形成图案方法
  • [发明专利]形成半导体器件中微图案的方法-CN200810126896.2无效
  • 金原圭;李基领 - 海力士半导体有限公司
  • 2008-07-10 - 2009-03-18 - H01L21/00
  • 一种形成半导体器件中微图案的方法，包括：在蚀刻目标层上形成第一蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层，在第二蚀刻停止层上形成第一牺牲层，蚀刻第一牺牲层和第二蚀刻停止层的一部分以形成第一牺牲图案，沿第一蚀刻停止层的上表面形成绝缘层，在绝缘层上形成第二牺牲层以覆盖绝缘层，平坦化第二牺牲层和绝缘层以暴露第一牺牲图案，除去第一牺牲图案和第二牺牲层，蚀刻第二蚀刻停止层和绝缘层由此形成第二牺牲图案，蚀刻第一蚀刻停止层，和蚀刻所述蚀刻目标层。
  • 形成半导体器件图案方法
  • [发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN202310318731.X在审
  • 水越宽文;福田加一;竹中贵史;高山健 - 株式会社日本显示器
  • 2023-03-29 - 2023-10-17 - H10K71/00
  • 根据一个实施方式，显示装置的制造方法包括：准备处理基板，形成包含第1有机层、第1蚀刻阻止层、第1密封层的第1薄膜，第1薄膜残留于第1子像素，形成包含第2有机层、第2蚀刻阻止层、第2密封层的第2薄膜，在第2子像素中残留第2薄膜，形成包含第3有机层、第3蚀刻阻止层、第3密封层的第3薄膜，第3薄膜残留于第3子像素。第1蚀刻阻止层的蚀刻速率小于第1密封层的蚀刻速率，第2蚀刻阻止层的蚀刻速率小于第2密封层的蚀刻速率，第3蚀刻阻止层的蚀刻速率小于第3密封层的蚀刻速率，第1蚀刻阻止层及第2蚀刻阻止层各自的厚度大于第3蚀刻阻止层的厚度
  • 显示装置制造方法
  • [发明专利]一种异质结双极晶体管发射极结构和发射极的薄化方法-CN201811589623.1有效
  • 颜志泓;魏鸿基 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2018-12-25 - 2022-05-10 - H01L29/08
  • 本发明提供了一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，发射极层和发射极盖帽层之间还具有由上至下层叠设置的第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层对不同蚀刻液的选择蚀刻比不相同；薄化过程包括如下步骤：1)在发射极盖帽层上沉积发射极金属后，蚀刻发射极盖帽层；2)蚀刻第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层不受影响；3)蚀刻第二蚀刻停止层和发射极盖帽层，第一蚀刻停止层不受影响；4)蚀刻第一蚀刻停止层和发射极层，第二蚀刻停止层不受影响；5)在基电极层沉积基电极金属。从而在不需外加光刻胶或介电层(dielectric)材料做薄化刻蚀掩膜条件下,完成发射极薄化工艺。
  • 一种异质结双极晶体管发射极结构方法
  • [发明专利]栅极接触开口的蚀刻轮廓控制-CN202110637591.3在审
  • 熊德智;王鹏;林焕哲;吴俊德 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-06-08 - 2022-01-18 - H01L21/8234
  • 本公开涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻该栅极结构；在经回蚀刻的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过ILD层并在到达抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻抗蚀刻层
  • 栅极接触开口蚀刻轮廓控制
  • [发明专利]蚀刻液的评估方法-CN202110578218.5有效
  • 赵文群;秦文;谭芳 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-05-26 - 2022-05-27 - G01N33/00
  • 本申请公开了一种蚀刻液的评估方法，具体包括：在第一基板上形成第一膜层。在第一膜层上形成第二膜层。在第二膜层上形成具有预设图案的第一蚀刻阻挡层。对第二膜层进行蚀刻以暴露出第一膜层。使用待测蚀刻液对第一膜层进行蚀刻以得到第一膜层的实际蚀刻图案。获取实际蚀刻图案的实际蚀刻参数。预设第一膜层的参考蚀刻图案，获取参考蚀刻图案的参考蚀刻参数。比较参考蚀刻参数与实际蚀刻参数，以评估待测蚀刻液。本申请提供的蚀刻液的评估方法可以提高蚀刻液的开发效率，避免了资源浪费。
  • 蚀刻评估方法
  • [发明专利]一种芯片的蚀刻方法-CN200710040531.3有效
  • 李建凤 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2007-05-11 - 2008-11-12 - H01L21/00
  • 本发明提供一种芯片的蚀刻方法，该芯片包括保护层、金属层、氧化层及底层；所述蚀刻方法包括突破步骤、主蚀刻步骤、过蚀刻步骤，突破步骤完成保护层的蚀刻，主蚀刻步骤完成金属层的蚀刻，过蚀刻步骤完成氧化层的蚀刻；所述主蚀刻步骤分为第一主蚀刻步骤及第二主蚀刻步骤；所述第一主蚀刻步骤通过控制蚀刻时间来控制蚀刻的结束；所述第二主蚀刻步骤通过金属层端点返回的信号来控制蚀刻的结束。由于本发明的蚀刻方法主蚀刻中两步骤分别使用不同的蚀刻控制方法，可以增加芯片表层的一致性，消除以往在氧化层中间造成的管沟，从而提高芯片的良品率。
  • 一种芯片蚀刻方法
  • [发明专利]在半导体装置中形成无边界接触窗的方法-CN02123097.8有效
  • 朱倍宏;钟嘉麒 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2002-06-12 - 2003-12-31 - H01L21/28
  • 首先，在具有栅极结构及扩散区的基底上顺应基底外型形成蚀刻终止层及介电层。其中，栅极结构上形成有一遮蔽层。接着，在栅极结构及部分的扩散区的上方分别形成露出蚀刻终止层的第一开口及未露出蚀刻终止层的第二开口。然后，蚀刻第一开口下方的蚀刻终止层及第二开口下方部分的介电层，其中蚀刻终止层的蚀刻率高于介电层。接着，蚀刻第一开口下方的遮蔽层而形成第一接触窗，并蚀刻第二开口下方的介电层而露出蚀刻终止层，其中蚀刻终止层的蚀刻率低于遮蔽层及介电层。最后，蚀刻第二开口下方的蚀刻终止层而形成第二接触窗。
  • 半导体装置形成边界接触方法
  • [发明专利]自对准的节距缩减-CN200680044677.9无效
  • 金智洙;李尚宪;崔大汉;S·M·列扎·萨贾迪 - 朗姆研究公司
  • 2006-11-17 - 2008-12-03 - H01L21/033
  • 提供了一种在蚀刻层中提供特征的方法。在该蚀刻层上形成牺牲层。将牺牲层特征组蚀刻入该牺牲层。穿过该牺牲层将第一蚀刻层特征组蚀刻入该蚀刻层。利用填充材料填充该第一蚀刻层特征组和该牺牲层特征组。去除该牺牲层。利用侧壁沉积物收缩在该填充材料的部分之间的空隙宽度。穿过该收缩侧壁沉积物将第二蚀刻层特征组蚀刻入该蚀刻层。去除该填充材料和收缩侧壁沉积物。
  • 对准缩减
  • [发明专利]蚀刻被蚀刻层的方法-CN201680021637.6有效
  • 丸山幸儿;舆石公;芳贺俊雄;堀口将人;加藤诚人 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-04-06 - 2020-12-08 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中，在吸附工序中，对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中，对下部电极施加高频偏压，并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序与蚀刻工序交替地重复。在吸附工序中，自由基的密度为离子的密度的200倍以上。在蚀刻工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的RF能量供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的高频偏压在0.5
  • 蚀刻方法
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