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[实用新型]一种浸渍提拉镀膜装置-CN202320889005.9有效
发明人：郭鹏飞;梁慧君;王斌;郭建明;李须儒;李忠奇 -专利权人：新乡学院;新乡市奇鑫电源材料有限责任公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B05C3/10 文献下载
摘要：本申请提供一种浸渍提拉镀膜装置，涉及薄膜制备技术领域，包括机体以及设置于机体上方的提拉组件，提拉组件夹住基板浸渍于液体中进行提拉生长薄膜，还包括设置于机体上的转移组件以及驱动组件，转移组件包括能够朝向基板上的薄膜靠近或远离的转移板体，转移板体上固定设置热剥离胶层，驱动组件与转移板体驱动连接，驱使转移板体上的热剥离胶层与基板上的薄膜贴合。本申请提供的浸渍提拉镀膜装置，通过驱使转移板体上的热剥离胶层与基板上的薄膜贴合，使得薄膜转移到转移板体的热剥离胶层上，从而提高了薄膜从基板上剥离的便捷性。
一种浸渍镀膜装置

[发明专利]一种微观电子器件的转印刷方法-CN201711153690.4在审
发明人：许杨剑;潘常良;马天杰;单庆鹏;韩威;许雷;李攀磊;唐哲韬;赵帅;王效贵;梁利华 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种微观电子器件的转印刷方法，将待转移物料张紧，保持第二薄膜张紧力大于待转移物料的张紧力，将第二薄膜的粘结面与待转移物料粘结，分离第二薄膜与待转移物料；保持第三薄膜的张紧力大于第二薄膜的张紧力，将第三薄膜的粘结面与第二薄膜粘结有物料的一面进行粘结，分离第三、第二薄膜，实现物料转移到第三薄膜。本发明通过张紧力大的薄膜带走张紧力小的薄膜上的物料，实现物料的转移，方法简单、操作方便。本发明利用薄膜的张紧程度的变化使其与物料间拉脱力大小产生变化这一原理，实现薄膜对物料粘结强度的控制，从而完成转印刷工作。
一种微观电子器件印刷方法

[发明专利]一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法-CN201810986245.4有效
发明人：王金斌;张东国;钟向丽;岳少忠 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，本发明利用胶带作为二硫化钼薄膜转移的支架，聚合物薄膜作为二硫化钼与透明胶的隔离层，二硫化钼薄膜及聚合物薄膜紧紧地附着在胶带上面，减少了二硫化钼薄膜与生长衬底分离时产生的薄膜破碎情况，而且便于二硫化钼薄膜的收集；同时，在转移过程中可以通过转移胶带来实现对二硫化钼薄膜及聚合物薄膜的转移，不会对二硫化钼薄膜造成破坏。此外，本发明将前驱体浸泡于丙酮中实现胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，保证了胶带在脱离过程中不会对二硫化钼薄膜造成破坏，有利于实现大面积单层或少层二硫化钼薄膜实现较完整的转移。
一种大面积单层二硫化钼薄膜转移方法

[发明专利]薄膜器件的转移方法及其应用-CN98800930.7有效
发明人：井上聪;下田达也;宫泽和加雄 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1998-06-30 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。
薄膜器件转移方法及其应用

[发明专利]一种采用超快激光转移薄膜材料的加工方法-CN201811644560.5在审
发明人：黄福志;吕雪辉;程一兵;钟杰;彭勇;库治良;李蔚;肖俊彦;谭光耀 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于激光加工领域，具体涉及一种采用超快激光转移薄膜材料的加工方法，包括：在清洁基板上沉积薄膜材料，得到施主基板；取另一清洁基板作为受主基板，将受主基板与施主基板上的薄膜材料相接触，然后一同放置在激光加工台上，调整激光焦距于合适的位置；通过超快激光、采用合适的激光加工参数在薄膜材料上相应的区域内进行连续扫描使薄膜材料在扫描区域内转移到受主基板上，完成薄膜材料的加工转移。本发明所述方法可以在设计的区域内精确地将相应薄膜材料转移到特定位置，且转移区域的大小可以精细到微米尺寸，实现了转移区域的精确控制，实现了薄膜材料快速且高质量的转移。
薄膜材料超快激光受主基板激光加工清洁基板施主基板转移薄膜转移区域加工沉积薄膜材料激光加工参数激光焦距连续扫描扫描区域精细

[发明专利]节拍装置-CN200910203895.8有效
发明人： M·尤尔克维茨;S·迈尔;J·劳特尔特;J·松嫩沙因;A·韦伯 -专利权人：海德堡印刷机械股份公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： B41F16/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于降低在使转移薄膜(2)在薄膜转移装置(1)中节拍化时带张紧力变化的方法和设备。在转移薄膜(2)穿过薄膜转移装置(1)的转移间隙(3)的通道(20)时，通过接触区段B1和B2强烈影响转移间隙(3)之前和之后的带张紧力(204，205)。为了降低这种带张紧力变化而提出，转移间隙(3)之前或之后的前部的引导元件和/或后部的引导元件在时间上异步地彼此相对运动，以便至少减小在穿过转移间隙(3)时转移薄膜(2)的带张紧力波动。
节拍装置

[发明专利]一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法-CN202111307372.5在审
发明人：张学骜;邓楚芸;苏悦;卫月华;郑晓明;陈扬波;刘金鑫 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种二维材料转移至孔洞衬底上的方法，涉及二维材料转移。PDMS薄膜贴在载玻片上；二维材料块体剥离至PDMS薄膜上；在显微镜下将多余部分的PDMS薄膜剪切；得到带有材料的载玻片固定于二维材料转移台的基片卡槽内；将带有孔洞的硅衬底吸附于转移台的样品座上；将材料对准Si衬底上的孔洞，升温使PDMS薄膜与Si衬底部分接触；继续升温使得PDMS薄膜自发地与Si衬底贴合紧密；降温使PDMS薄膜与Si衬底分离。通过改变温度调整PDMS薄膜粘性，实现二维材料转移至带有孔洞的硅衬底上。为纯干法转移，转移后的样品表面干净，且操作简单，除转移台外，不需要借助过多实验仪器，仅通过对PDMS薄膜的温度控制即可实现。
一种二维材料转移孔洞衬底方法

[发明专利]单张纸旋转印刷机及压花方法-CN200780011994.5无效
发明人： T·沃尔瑟 -专利权人：曼罗兰公司
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： B41F19/02 文献下载
摘要：本发明的任务是，在单张纸印刷机内部将已知的冷薄膜转移法与内嵌-压花装置相组合，从而将冷薄膜转移的优点也就是经济的转移技术以及随后的可套印性与热薄膜压花印刷的触觉效应相结合。解决该任务的方法是，在通过所述印刷机进行的印刷过程中对在冷薄膜转移法中转移的转移层进行压花。
单张旋转印刷机压花方法

[发明专利]一种薄膜沉积系统及控制方法-CN201810077393.4有效
发明人：袁洁;何格;张旭;魏忠旭;金魁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明是一种薄膜沉积系统及控制方法，其中，所述薄膜沉积系统包括：薄膜沉积腔，用于进行薄膜制备；样品转移腔，用于提供样品转移的通道；抽真空装置，用于进行抽真空；真空管道，具有与薄膜沉积腔相连的第一端口、与样品转移腔相连的第二端口、以及与抽真空装置相连的第三端口，所述第一端口处设有第一阀门，所述第二端口处设有第二阀门；样品传送杆，安装在样品转移腔上，设置成可沿着样品转移腔、真空管道和薄膜沉积腔移动。本发明中的薄膜沉积系统不仅可以与各种类型的薄膜生长设备或薄膜测量设备连接，实现样品在高真空状态下薄膜生长或薄膜测量，还可以转移到需要的工作地点，使用方便。
一种薄膜沉积系统控制方法

[发明专利]通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法及自支撑薄膜-CN202110830705.6在审
发明人：聂越峰;杨江枫 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明公开了通过外加压力实现平整自支撑薄膜转移方法及通过该方法得到的自支撑薄膜，自支撑薄膜转移方法为将目标基底与待转移薄膜通过铝制夹具夹紧，实现待转移薄膜与目标衬度的充分贴合，之后将夹具于去离子水中浸泡，得到吸附在目标基底上的自支撑薄膜；将夹具置于氮气流中，去除夹具及目标基底附近的水渍；拆下夹具，将所得的附于目标基底上的自支撑薄膜于丙酮、异丙醇、去离子水中各超声处理，得到自支撑薄膜；本发明的二维超薄钙钛矿薄膜以钛酸锶衬底，薄膜为钛酸钡，目标基底为硅衬底；本发明提出的方法能改善自支撑薄膜的平整度，大大提高自支撑薄膜转移的面积。
通过外加压力实现平整支撑薄膜转移方法

[发明专利]用于冷薄膜压印的方法-CN200610156243.X无效
发明人： U·普舍尔;J·肖尔兹格 -专利权人：曼.罗兰.德鲁克马辛伦公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： B41F19/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于将提供图像的膜层从载体薄膜转移到印张上的一种装置和一种方法。在用于将提供图像的膜层从转移薄膜转移到承印物上的涂层模块中的薄膜输入机构应该扩展自身的可使用性。为此，在用于将膜层从转移薄膜转移出去的涂层模块中，布置了一个受到限制的挤压面。由此可以对薄膜进给进行有针对性的控制。转移薄膜在此优选以受到限制的宽度并且大致沿着切线方向从一个压辊旁边导引而过。
用于薄膜压印方法

[发明专利]薄膜制造方法-CN200810126986.1有效
发明人：李天锡;黄敬涵;张朝喨;杨耀渝 -专利权人：李天锡
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种薄膜制造方法，其包括下列步骤：提供原始基板；形成蚀刻停止薄膜层于原始基板上；形成牺牲层于蚀刻停止薄膜层上；植入气体离子，以形成离子分布浓度高峰层并界定出有效转移薄膜层及剩余层；以及分离有效转移薄膜层及剩余层可通过控制牺牲层的厚度，进而有效控制有效转移薄膜层的厚度。此外，也可使有效转移薄膜层厚度均匀，并且达到纳米等级的厚度。
薄膜制造方法

[发明专利]一种CVD铜基石墨烯的大面积无损洁净转移方法-CN202210353825.6在审
发明人：徐友龙;侯文强;王景平 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开的一种CVD石墨烯薄膜的大面积无损洁净转移方法，在转移过程中加入酸洗，去除未刻蚀完全的铜基底和氧化铜等颗粒；随后加入碱洗，中和酸洗时吸附的H+，并清洗能溶于碱性溶液的杂质等；并且整个过程采用采用非直接接触方法将两层复合膜在漂浮状态下进行转移，替代了传统薄膜转移过程中用载玻片或其他基底直接在溶液中捞出石墨烯薄膜，薄膜与基底多次接触再分离，就导致了薄膜非常容易破碎，尤其是在大面积转移时破损非常厉害利用非接触式转移方法多次在不同溶液中转移、清洗时不会触碰到薄膜自身，极大程度的减少了薄膜破损的概率。
一种 cvd 基石大面积无损洁净转移方法

[发明专利]薄膜导向的监控装置-CN200610114841.0无效
发明人： U·皮谢尔;J·舍尔茨希 -专利权人：曼.罗兰.德鲁克马辛伦公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： B41F17/00 文献下载
摘要：在涂敷机组中要可靠地实现将成像层从转移薄膜转移到承印物上的薄膜输送。为此，在薄膜导向的范围内这样设置，即，布置有监控转移薄膜(5)存在性的监控装置。为此，可与薄膜导向装置相关联地设置传感器。这些传感器检测自由张紧区域内的或与薄膜导向装置如薄膜导向辊(14)贴靠的薄膜幅面(5)。同样，通过测量其幅面张力，以幅面裂纹但也可是转移过程的相关有序状态，可对薄膜幅面(5)加以监控。
薄膜导向监控装置

[发明专利]一种转移印刷光电薄膜的方法及转移印刷光电薄膜制备光电器件的方法-CN202110537924.5在审
发明人：谢国华;唐扬;杨楚罗 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于光电子领域，具体涉及一种转移印刷光电薄膜的方法及转移印刷光电薄膜制备光电器件的方法，在第一基底表面生长一层牺牲层，然后在该牺牲层表面生长一层待转移的薄膜材料，接着用一个软章紧密贴合在薄膜材料的表面，然后将软章携带薄膜材料与牺牲层分离，将带有薄膜材料的软章贴覆到第二基底表面，最后分离软章，该薄膜材料与软章分离并留在第二基底表面。本发明提供一种基于牺牲层转移印刷薄膜，实现不依赖正交溶剂的多层薄膜生长的方法。本发明的方法为了调控不同薄膜间界面黏滞能失配的问题，在基底和待转移的薄膜之间预先生长一层牺牲层，利用另一种固化的聚合物软章将待转移的薄膜印刷到目标基底或物体表面。
一种转移印刷光电薄膜方法制备器件