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[实用新型]便于重复利用薄膜的复合转移卡原料纸-CN201922110173.X有效
发明人：孙景锋;胡霄鹏;赵广超 -专利权人：长葛市大阳纸业有限公司
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： D21H27/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及包装材料技术领域，名称是便于重复利用薄膜的复合转移卡原料纸，包括复合转移卡纸和复合转移卡纸上面附着的一层薄膜，所述的复合转移卡纸包括下面的纸基层和上面的颜料涂层，所述的薄膜就在颜料涂层的上面附着着；其特征是：所述的薄膜的两侧具有和薄膜成为一体的单根透明丝带，所述的薄膜中间还有网状透明丝带，所述的网状透明丝带和薄膜成为一体，所述的网状透明丝带和单根透明丝带连接成网。这样的复合转移卡原料纸具有可以保证薄膜下一次正常使用、节省成本的优点。
便于重复利用薄膜复合转移原料

[实用新型]一种薄膜转移装置-CN202120597579.X有效
发明人：赖胜亮;郑万鹏;贾伟 -专利权人：深圳市集银科技有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜运输技术领域，具体公开一种薄膜转移装置，包括撕膜组件和转交位组件；所述撕膜组件的底部设有用于吸附薄膜上表面的上吸板；所述转交位组件包括静电消除器和用于吸附薄膜下表面的下吸板；所述撕膜组件用于使所述薄膜经过所述静电消除器后转移至所述下吸板处本实用新型提供一种薄膜转移装置，能有效解决薄膜因静电作用而难以向下游设备转移的问题。
一种薄膜转移装置

[发明专利]UV冷转印双面镭射工艺-CN201611231103.4在审
发明人：田宜谨;李学迪;张磊;姜思泉;李涛;张国红 -专利权人：山东泰宝包装制品有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B41M5/382 文献下载
摘要：本发明属于镭射膜制作工艺领域，具体涉及一种UV冷转印双面镭射工艺，其特征在于步骤如下1)PET薄膜涂布；2)模压；3)复卷；4)UV镭射转移在PET薄膜的另一面进行UV镭射转移生产，采用BOPP镭射转移薄膜作为镭射图案模板，涂布镭射光油，然后PET薄膜上光油面与BOPP镭射转移膜镭射信息面复合在一起，经过UV干燥装置进行干燥处理，干燥后两层薄膜剥离开来，BOPP镭射转移膜表面的镭射信息转移到PET薄膜UV光油层上，形成PET正反双面镭射效果；5)镭射层保护PET薄膜上的涂布模压层进行真空镀铝加工，形成镀铝层。使用本发明，在薄膜的正面两面均可以实现镭射效果，大大提高了产品的外观效果和防伪性能。
uv 冷转印双面镭射工艺

[发明专利]一种石墨烯薄膜的衬底转移方法-CN201110002388.5有效
发明人：金智;麻芃;郭建楠;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯薄膜的衬底转移方法，属于半导体薄膜领域。所述衬底转移方法包括将有机胶体旋涂在石墨烯薄膜的表面并烘干坚膜，在有机胶体表面贴附胶带，随后将胶带粘附的基片材料放入腐蚀溶液中腐蚀石墨烯薄膜下的金属催化剂层，待腐蚀完成后，从溶液中捞出胶带及其粘附的有机胶体和石墨烯薄膜，均匀铺展在目标衬底上，用相应方法去除胶带后，溶解掉有机胶体而最终完成石墨烯薄膜到目标衬底的转移。本发明石墨烯薄膜的衬底转移方法简单易行，可以方便地将大面积石墨烯薄膜转移到任意衬底材料上，且不会产生较大损伤；转移面积大，工艺步骤简单，操作方便，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯半导体器件。
一种石墨薄膜衬底转移方法

[发明专利]一种干净无损转移有机半导体薄膜的新方法-CN201410797710.1在审
发明人：邱龙臻;王庆贺;朱闵;庞博 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种转移有机半导体薄膜的方法，其具体步骤如下：利用干净的去离子水与疏水性界面上的有机半导体薄膜形成固-液界面，置于冷冻室水结成冰后，形成冰与薄膜的固-固界面，将冰与薄膜从疏水性界面分离并转移至其他疏水或亲水的界面基底，最后置于冷冻干燥机将冰升华后除去，实现有机半导体薄膜的干净无损转移。本发明提供的一种转移有机半导体薄膜的新方法，可替代传统以高分子为介质转移有机半导体薄膜的方法，低价环保，易于实验操作。
一种干净无损转移有机半导体薄膜新方法

[实用新型]一种薄膜分切机薄膜卷提升装置-CN201620206399.3有效
发明人：亓新华 -专利权人：莱芜市盛腾包装科技有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： B65H19/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜分切机薄膜卷提升装置，包括分切机放卷支撑槽、可移动式上料台、薄膜卷转移车、薄膜卷转移车驱动机构、托举平台和缓冲复位机构；所述可移动式上料台上设有滑道，所述薄膜卷转移车底面设有滚轮，所述滚轮卡在滑道内，所述薄膜卷转移车上表面固接有挡板；所述托举平台包括托举板和承接弹簧；所述缓冲复位机构包括固定板、推板和复位弹簧。
一种薄膜分切机提升装置

[发明专利]一种异质单晶薄膜的制备方法及异质单晶薄膜-CN202110467099.6在审
发明人：欧欣;李忠旭;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质单晶薄膜的制备方法及异质单晶薄膜。包括：获取薄膜转移衬底，薄膜转移衬底包括相对的第一表面和第二表面；对薄膜转移衬底进行离子注入，在薄膜转移衬底内形成注入损伤层；获取支撑衬底和刚性衬底；将支撑衬底与第一表面键合，刚性衬底与第二表面键合，得到键合衬底；对键合衬底进行热处理，使得键合衬底沿注入损伤层剥离，得到异质单晶薄膜。通过在薄膜转移衬底的另一个表面上键合刚性衬底，优化异质衬底结构中的热应力分布，极大地改善了异质键合结构在加热剥离时所面临的形变，能够提高薄膜质量及成品率，同时实现了单晶压电薄膜及厚膜的制备，大幅提高了生产效率
一种异质单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种原子级厚度石墨烯/氮化硼复合异质薄膜转移方法-CN201810702780.2有效
发明人：张勇;刘冠军;刘瑛;邱静;程先哲;杨鹏;吕克洪;季明江;王贵山;谢皓宇;李乾;李华康;郑贤德;陈柏良;胡业荣;林鑫 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开了高机械强度、高环境适应性、适合大面积悬浮、原子级厚度的超薄石墨烯/氮化硼复合异质薄膜转移方法，目的是解决传统薄膜转移工艺造成的薄膜与样品基底粘附不紧密、多褶皱、多孔洞问题。技术方案是将薄膜转移至样品基底后首先低温自然去水干燥，避免高热去水，防止薄膜与基底之间的水膜产生气泡；样品控温烘烤升温过程先慢速升温至五十摄氏度附近软烘，然后，继续慢速升温至薄膜支撑高分子材料的玻璃态临界温度附近；样品控温烘烤降温过程慢速降温至室温，不可快速冷却至室温；最后洗去薄膜表面高分子支撑材料。本发明解决了传统薄膜转移工艺造成的薄膜与样品基底粘附不紧密、多褶皱、多孔洞问题，提高薄膜类材料转移成品率。
一种原子厚度石墨氮化复合薄膜转移方法

[发明专利]一种转移石墨烯薄膜的方法-CN201310290249.6无效
发明人：金虎;武文鑫;彭鹏;周振义 -专利权人：常州二维碳素科技有限公司
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯薄膜的转移方法，更具体而言涉及粘合滚压贴合而转移石墨烯薄膜的方法。所述方法实现了连续转移石墨烯薄膜，特别是连续转移较大面积的石墨烯薄膜，转移后石墨烯薄膜质量高。
一种转移石墨薄膜方法

[实用新型]一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置-CN201520566010.1有效
发明人：陈建魁;洪金华;尹周平;马亮;黄永安 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B65H35/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置，包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元和压辊转移单元，其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进行模切，模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元，模切后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定作。通过本实用新型，各个模块单元之间相互联系，共同协作，实现对成卷柔性电子器件逐片的高速检测转移过程，同时具备运动稳定性和可靠性好等优点。
一种适用于柔性电子器件转移装置

[发明专利]一种抗氧化效果好的镭射转移膜及其生产工艺-CN201810254989.7有效
发明人：姜有存;姜铁强;方建军;方丹;刘建 -专利权人：浙江友丰新材料科技有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种抗氧化效果好的镭射转移膜，包括镭射转移膜本体，所述镭射转移膜本体包括设置在镭射转移膜本体底部的转移覆盖层，及设置在转移覆盖层上表面的、且与转移覆盖层无缝贴合的、用于增强镭射转移膜本体韧性的介质层，及设置在介质层上表面的、且与介质层贴合固定的漫反射层，及设置在漫反射层上表面的、且与漫反射层贴合固定的薄膜层，及设置在薄膜层上表面的、且覆盖薄膜层的、用于防止薄膜层氧化的油漆层；该镭射转移膜通过在薄膜层的表面涂覆有珠光清漆，不仅能够延长镭射转移膜的氧化速度，还能够使得镭射转移膜的反射光源更加强烈，可提高防伪性能，因此，具有抗氧化效果好、色彩明亮和防伪性能高的优点。
一种氧化效果镭射转移及其生产工艺

[发明专利]一种石墨烯薄膜向栅网转移的方法-CN202310462319.5在审
发明人：徐鹏晖;孔令高;马利媛;程立辉 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及电离薄膜技术领域，具体涉及一种石墨烯薄膜向栅网转移的方法。包括以下步骤：将石墨烯薄膜从水中浮起，加入表面活性剂，然后通过抽水，使石墨烯薄膜覆盖于转移平台的栅网上，进行干燥、热处理，完成石墨烯薄膜的转移，得到石墨烯薄膜栅网。本发明可以提高石墨烯薄膜在栅网这类非连续基底上的附着能力，减少石墨烯薄膜的破损，提升覆盖率。
一种石墨薄膜转移方法

[发明专利]一种晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法-CN202110753623.6在审
发明人：肖静;李教富 -专利权人：泰山学院
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法，包括以下步骤:提供生长有石墨炔薄膜的生长基底和柔性基底，将所述柔性基底贴合于所述生长有石墨炔薄膜的生长基底以使柔性基底和生长基底从两面夹住石墨炔薄膜，除去柔性基底与生长基底之间的气泡，刻蚀生长基底，实现石墨炔薄膜从生长基底转移至柔性基底上。本发明晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法先将柔性基底紧密贴合到石墨炔薄膜上，除去柔性基底与生长基底之间的气泡，刻蚀生长基底，由此实现石墨炔薄膜从生长基底转移至柔性基底上。
一种晶圆级尺度石墨薄膜转移方法

[发明专利]晶圆级石墨烯薄膜的转移方法-CN201910129693.7在审
发明人：张苗;李攀林;刘运启;王天波;薛忠营;狄增峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级石墨烯薄膜的转移方法,晶圆级石墨烯薄膜的转移方法包括如下步骤：提供生长衬底；于所述生长衬底的上表面形成石墨烯薄膜；至少于所述石墨烯薄膜的上表面形成缓冲保护层；提供目标衬底，将所述目标衬底与位于所述石墨烯薄膜的上表面的所述缓冲保护层键合本发明的晶圆级石墨烯的转移方法中，在石墨烯薄膜的转移过程中不需使用PMMA等有机物，在石墨烯薄膜转移后不会有有机物残留，从而克服了有机物残留造成器件电子的散射的问题，进而确保石墨烯的载流子迁移率。
石墨烯薄膜衬底晶圆级上表面缓冲保护层有机物残留石墨烯生长载流子迁移率器件电子有机物散射键合去除种晶

[发明专利]一种石墨烯薄膜的转移方法及基板-CN201710044739.6有效
发明人：郭康 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种石墨烯薄膜的转移方法及基板，涉及材料技术领域，可以改善转移过程中石墨烯薄膜出现裂纹的现象，提高石墨烯薄膜在目标基板上的附着性，并实现大尺寸石墨烯薄膜的转移。一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在生长有石墨烯薄膜的第一基底上，形成支撑层；所述支撑层形成在所述石墨烯薄膜远离所述第一基底的一侧；将所述第一基底的形成有所述支撑层的一侧与目标基板通过透明粘结层粘结；去除所述第一基底
一种石墨薄膜转移方法