专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种连续转移胶印设备-CN202122204803.7有效
  • 王晓;吕少正;武举 - 河南华福包装科技有限公司
  • 2021-09-09 - 2022-01-11 - B41F7/02
  • 本实用新型涉及一种连续转移胶印设备,放卷单元、薄膜储备单元设置在转移胶水涂布单元上,放卷单元、薄膜储备单元和转移胶水涂布单元之间设置有工作放卷轴Ⅰ、储备放卷轴,工作放卷轴Ⅰ和储备放卷轴Ⅰ为平行或重叠设置;放卷单元包括工作放卷轴Ⅰ、待放卷轴、断刀装置Ⅰ,薄膜储备单元包括浮动辊Ⅰ、固定辊、导向辊Ⅰ、横向纠偏装置;薄膜储备单元的下道工序衔接设置有压印转移剥离单元、收卷单元,压印转移剥离单元包括浮动辊Ⅱ、补偿辊、纠偏辊、检测电眼、导向辊Ⅱ、橡皮滚筒Ⅱ、压印滚筒Ⅱ,橡皮滚筒Ⅱ、压印滚筒Ⅱ和转移膜之间相互挤压;收卷单元包括待收卷轴、工作放卷轴Ⅱ、断刀装置Ⅱ,工作收卷轴、储备收卷轴Ⅱ。
  • 一种连续转移胶印设备
  • [发明专利]一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置和方法-CN202210520243.2在审
  • 黄永安;陈福荣 - 华中科技大学
  • 2022-05-12 - 2022-08-23 - H01L21/67
  • 本发明属于MicroLED组装相关技术领域,并公开了一种激光投影脉冲增强的接近式巨量转移装置和方法。该转移装置包括支撑层、驱动层、第一封装薄膜层、放大器和第二封装薄膜层,激光照射在驱动层上其中的驱动介质膨胀,第一封装薄膜层向下凸起变形;同时由于放大器中梯形不可压缩流体的存在,使得第一封装薄膜层的变形在放大器的作用下传递给第二封装薄膜,产生更大的凸起变形;当第二封装薄膜发生凸起变形时与待转移的MicroLED分离,以巨量转移成形方法。通过本发明,解决现有Micro‑LED巨量转移过程中由于印章不可逆、驱动力小、光斑因素等造成操作成本高、难度大和良品率低等问题。
  • 一种激光投影脉冲增强接近巨量转移装置方法
  • [发明专利]一种石墨烯薄膜转移方法-CN201210271016.7无效
  • 许子寒 - 许子寒
  • 2012-08-01 - 2012-12-05 - C01B31/04
  • 本发明提出一种石墨烯薄膜转移方法,使用聚合物涂覆在石墨烯薄膜上并固化,使聚合物和石墨烯薄膜形成共价结合,然后直接将石墨烯薄膜从基底上转移出来。本发明所述的石墨烯转移方法相比于传统的方法,简单易操作,并且可以使石墨烯薄膜以共价键的方式附着在衬底上,不易脱落,并且可以使用石墨烯薄膜新鲜的一面作为功能器件的组成部分,能够有效提高功能器件的效应,适合工业化使用
  • 一种石墨薄膜转移方法
  • [发明专利]一种包装盒外包薄膜折边装置和方法-CN202011228707.X在审
  • 陈由格;刘改 - 陈由格
  • 2020-11-06 - 2021-01-29 - B65B49/00
  • 一种包装盒外包薄膜折边装置,包括折边转移机构、前侧折边机构和后侧折边机构;折边转移机构用于将包装盒外包薄膜组合件进行定位转移;前侧折边机构用于对包装盒外包薄膜组合件的前侧进行折边加工;后侧折边机构用于对包装盒外包薄膜组合件的后侧进行折边加工本专利的优点是提升包装盒外包薄膜转移精准性和稳定性;提升包装盒外包薄膜折边效率以及折边质量;提升电池包装盒自动化包装效率以及提升自动化包装质量。
  • 一种包装外包薄膜装置方法
  • [发明专利]一种用于转移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法-CN201910471005.5在审
  • 陈陈;周成刚 - 中国科学技术大学
  • 2019-05-31 - 2020-12-01 - B81C1/00
  • 本发明提供了一种用于转移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法,包括:在衬底上旋涂光刻胶,再对光刻胶进行曝光处理;对曝光后的光刻胶进行表面氧等离子处理,在其上旋涂PDMS薄膜,固化;将所述固化后的PDMS薄膜光刻图形化;将图形化后的PDMS薄膜与器官芯片上层通道键合,将键合后的组合模块置于显影液中超声,即可将PDMS薄膜转移至器官芯片的上层通道。本发明利用泛曝光过后的光刻胶做牺牲层进行PDMS薄膜转移,使得PDMS薄膜在与器官芯片上层通道键合后,可在显影液中充分溶解光刻胶,从而实现薄膜转移。不用丙酮有机溶剂浸泡的方式,而且无光刻胶残留。
  • 一种用于转移器官芯片多孔pdms薄膜方法
  • [发明专利]用于薄膜转移的方法-CN201310142834.1有效
  • 高地 - 高地
  • 2013-04-22 - 2018-01-30 - H01L21/762
  • 本发明公开了一种用于薄膜转移的方法,可以有效的将薄膜从一个衬底分离并转移到另外一个衬底上,同时减少或者避免对薄膜可能产生的损伤。本发明针对薄膜转移工艺中经常出现的键合面缺陷、以及由键合面缺陷导致的转移层缺陷问题,采用了在键合片裂片过程之前对键合片施加压力、以及一个任选的在加压的条件下对键合片进行热处理的工艺来提高键合强度,减少或消除键合面缺陷本发明适用于半导体行业及其它行业中薄膜转移工艺,主要应用于绝缘层上硅(silicon on insulator,SOI)晶圆的生产。
  • 用于薄膜转移方法

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