“薄膜表面形貌”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5004592个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]纳米银柔性薄膜表面形貌分形生长建模与仿真方法-CN202310306953.X在审
发明人：祁昶;叶双莉;潘宜朋 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了纳米银柔性薄膜表面形貌分形生长建模与仿真方法，步骤如下：1、建立符合纳米银柔性薄膜表面形貌分形生长的纳米银柔性薄膜表面形貌分形生长模型；2、根据实验获得的纳米银柔性薄膜的电镜扫描图像数据，实现对所建模型参数的标定；3、利用形貌分形维数测量技术验证所建模型对纳米银柔性薄膜表面形貌分形生长模拟的有效性和适用性。本发明所建立的纳米银柔性薄膜表面形貌分形生长模型能对原位还原法制备工艺的纳米银柔性薄膜表面形貌生长过程进行快速模拟；且可模拟不同银离子浓度和还原反应时间参数下薄膜表面形貌分形生长过程。通过模型仿真结果可指导纳米金属柔性薄膜制备的实验研究，加快制备工艺的优化速度。
纳米柔性薄膜表面形貌生长建模仿真方法

[发明专利]半导体元件制造方法-CN201910572254.3在审
发明人：叶雅雯;沈育佃;黄世钧;张博钦;林纬良;严永松;吴伟豪;林立德;林斌彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在底层结构之上形成薄膜。测量薄膜的表面形貌，并将表面形貌存储为形貌数据。使用方向性蚀刻执行局部蚀刻，并扫描基板，使得薄膜的整个表面承受方向性蚀刻。根据形貌数据调整方向性蚀刻的电浆束强度。
方向性蚀刻表面形貌底层结构形貌数据薄膜半导体元件制造测量薄膜局部蚀刻扫描基板整个表面电浆束基板存储

[发明专利]交流驱动型背光源在表征薄膜样品表面形貌中的应用和薄膜表面形貌的表征系统-CN202310707021.6在审
发明人：陶涛;洪永升;孙天娇;杨书杰;智婷;严羽;刘斌 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了交流驱动型背光源在表征薄膜样品表面形貌中的应用。还公开了一种薄膜表面形貌的表征系统，包括输入区组件、测试区组件和输出区组件，以及相应的薄膜表面形貌的表征方法。本发明可以实现在无探针接触、无电流注入的情况下对薄膜样品的表面形貌进行表征测试的功能，并且可以通过探针的横纵扫描实现构建薄膜上表面三维图像的功能。利用本发明的装置可以进行高效测量，并且交变电场驱动纳米LED阵列可以达到样品表面零损伤的效果。
交流驱动背光源表征薄膜样品表面形貌中的应用系统

[发明专利]一种基于湿度的薄膜褶皱形貌调控方法-CN202110406947.2有效
发明人：刘锴;王恩泽 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了属于薄膜材料技术领域的一种基于湿度的薄膜褶皱形貌调控方法。所述方法具体步骤为：高温下在基底表面制备薄膜材料，冷却到室温得到基底‑薄膜材料；然后将基底‑薄膜材料置于湿度氛围中，薄膜开始形成褶皱形貌，保持后取出；得到具有褶皱形貌的薄膜材料。所述湿度氛围为40％～90％相对湿度，所述褶皱形貌包括六边形网络状褶皱形貌、平行电话线褶皱阵列形貌和分叉电话线褶皱网络形貌。本发明薄膜褶皱的形貌能通过调节基底种类、薄膜厚度和环境湿度进行调控；适用于更广泛的材料体系，且操作简便、可控性好；制备方法简单、环保，不需要使用有毒的有机溶剂；对于薄膜材料的基础研究和器件研发具有重要意义
一种基于湿度薄膜褶皱形貌调控方法

[发明专利]基于多尺度系统理论量化表征薄膜表面形貌的方法-CN200910058185.0无效
发明人：汪渊;杨吉军;刘波;刘春海;尹旭 -专利权人：四川大学
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G01N13/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多尺度系统理论量化表征薄膜表面形貌的方法。该方法首先用扫描探针显微镜通过多级变换扫描尺寸获取薄膜表面形貌图像，再用多尺度系统分析工具判定薄膜表面形貌是否具有多尺度特征，确定薄膜表面起伏结构的特征尺寸；然后针对具有多尺度特征的表面形貌图像，利用二维小波包分析方法对其进行多尺度层次分解；将分解图像组元与前述的特征尺寸值进行尺度比对，以确定分解图像组元对应的重构交割尺寸，并由此对图像组元进行选择与重构，得到不同特征尺度的薄膜表面起伏结构图像；最后利用表面粗糙度方法对重构图像执行评价，获取相关定量信息该方法尤为适合于对微纳器件中薄膜材料表面形貌进行细致和完善地量化表征。
基于尺度系统理论量化表征薄膜表面形貌方法

[发明专利]基于改变聚吡咯聚合反应时间来调控其表面形貌的方法-CN201810741543.7在审
发明人：鲁从华;杨成枫 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于改变聚吡咯聚合反应时间来调控其表面形貌的方法，其制备过程包括：首先制备柔性PDMS作为基底，然后在其表面沉积一定厚度的聚吡咯(PPy)薄膜，最后通过水洗干燥可得到表面图案化的PPy薄膜，其中，通过PPy的聚合时间，可得到具有不同表面形貌的PPy薄膜材料。本发明利用简单的操作方式，得到了具有一定表面形貌的导电聚合物薄膜，成功实现了调控PPy薄膜表面形貌，从而避免了复杂繁琐的操作步骤，较长的制备时间与高昂的设备以及实验耗材的损耗。
表面形貌聚吡咯聚合反应制备薄膜调控导电聚合物薄膜薄膜表面形貌表面图案化薄膜材料表面沉积水洗干燥制备过程耗材基底聚合成功

[发明专利]一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性的方法-CN202111607446.7有效
发明人：李立强;孙首港;付瑶;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性的方法，涉及有机半导体技术领域，本发明通过在衬底表面引入纳米颗粒，使得衬底表面粗糙化，使有机半导体薄膜的形貌难以发生变化，达到稳定有机半导体薄膜的形貌的目的。有机半导体薄膜在粗糙表面上能够在高温条件和长时间保存下表现出极高的形貌稳定性。本发明通过将有机半导体薄膜制备在纳米级粗糙表面的衬底上，借助纳米级粗糙表面大幅度增强了有机半导体薄膜的高温热稳定性和长时间保存稳定性。
一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性方法

[发明专利]一种液晶弹性体薄膜及其制备方法和应用-CN202110426577.9有效
发明人：赵威;吕朋荣;吴锶涵;贺佳琳;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶弹性体薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括：在透光导电基板一上制备具有光取向层；取包括液晶低聚物、交联剂、催化剂和光引发剂的原料与有机溶剂混合制备混合物料，而后涂覆于光取向层上，形成低聚物薄膜；在透光导电基板一上相对低聚物薄膜间隔设置透光导电基板二；在两透光导电基板之间施加电场，以在低聚物薄膜的表面形成预定表面形貌；保持电场的同时，采用紫外光照射低聚物薄膜以进行光聚合交联，固定以上预定表面形貌以上制备工艺简单，其中使用液晶低聚物制备液晶弹性体以构建可逆的表面形貌，可制备具有大纵横比的表面形貌，所制得表面形貌可在光刺激和/或温度刺激下发生可逆变形。
一种液晶弹性体薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置-CN202110639484.4在审
发明人：邵花;韦亚一;陈睿;王云;薛静;叶甜春 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。
一种用于半导体器件薄膜形貌预测方法装置

[发明专利]一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法-CN202110525854.1在审
发明人：刘忠范;彭海琳;张金灿;贾开诚;林立;刘晓婷;陈恒;张欣童 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
一种石墨薄膜亲水性评估方法

[发明专利]一种基于氧阻聚效应的3D打印表面形貌修饰方法-CN202010046538.1在审
发明人：张昕;张玲;邱天;张兴旺;李星星;张婧姣;高瑀含;唐光鑫 -专利权人：五邑大学;中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B29C64/188 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧阻聚效应的3D打印表面形貌修饰方法，3D打印原始形貌的表面涂敷有光敏树脂层，光敏树脂层的上方覆盖有氧渗透薄膜；方法包括以下步骤：在氧渗透薄膜的上方通过含氧气体，并向氧渗透薄膜照射光线；调控含氧气体的压强和光线的波长；使光敏树脂层部分固化，在3D打印原始形貌的表面形成填充区。且在修饰得到3D打印表面形貌的同时，根据需要保留部分所需的3D打印表面原始形貌。
一种基于氧阻聚效应打印表面形貌修饰方法

[发明专利]一种基于氧阻聚效应的3D打印表面形貌修饰方法-CN201911394365.6在审
发明人：张昕;张玲;邱天;张兴旺;李星星;张婧姣;高瑀含;唐光鑫 -专利权人：五邑大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： B29C64/379 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧阻聚效应的3D打印表面形貌修饰方法，3D打印原始形貌的表面涂敷有光敏树脂层，光敏树脂层的上方覆盖有氧渗透薄膜；方法包括以下步骤：在氧渗透薄膜的上方通过含氧气体，并向氧渗透薄膜照射光线；调控含氧气体的压强和光线的波长；使光敏树脂层部分固化，在3D打印原始形貌的表面形成填充区。且在修饰得到3D打印表面形貌的同时，根据需要保留部分所需的3D打印表面原始形貌。
一种基于氧阻聚效应打印表面形貌修饰方法

[发明专利]一种制备大面积碳基薄膜材料的方法-CN201510601711.9在审
发明人：贾宝平;郭洋;王鹿;王秋泽;王小周;王宏志;李耀刚;张青红 -专利权人：常州博碳环保科技有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B05D1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种刮涂法制备碳基薄膜材料的方法，本方法包括：以铜箔、铝箔、钛箔等金属为基底或以PET、棉布、砂纸等非金属作为基底，采用刮涂法将分散均匀的浆料刮涂于不同表面结构的基底上，并在一定条件下干燥得到碳基薄膜材料；通过选择调控基底表面形貌，可获得与基底紧密结合的碳基薄膜材料以及可与基底剥离的自支撑碳基薄膜材料。本发明制备工艺简单、对薄膜的可设计性强，通过对不同基底的选择以及基底表面形貌的调控即可获得多种形貌特征和性能的碳基薄膜材料。
一种制备大面积薄膜材料方法

[发明专利]一种缝隙内壁微观形貌及粗糙度的检测方法-CN201810675220.2有效
发明人：郭江;刘淑杰;康仁科;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：一种缝隙内壁微观形貌及粗糙度的检测方法属于精密测量技术领域，基于测量系统实现，测量系统包括PC机、控制器、柔性机构与测量薄膜；所述的测量薄膜具有复制功能，黏在柔性机构上；PC机通过控制器与柔性机构连接，控制柔性机构进行膨胀或收缩；检测方法包括：1)将黏贴测量薄膜的柔性机构收缩插入缝隙；2)通过控制器控制柔性机构膨胀，使测量薄膜有效结合在被测量表面，测量薄膜通过复制方式提取内壁微观形貌及表面粗糙度信息；3)控制柔性机构收缩从缝隙入口退出，通过表面形貌测量仪器进行数值测量。本发明能够有效解决入口尺寸狭窄的缝隙内壁微观形貌及表面粗糙度的测量问题；方法简单易行，操作简单，设备便于携带，成本低，测量精度高。
柔性机构测量薄膜微观形貌缝隙内壁收缩测量系统控制器粗糙度检测表面粗糙度信息表面形貌测量精密测量技术膨胀表面粗糙度测量精度高控制器控制便于携带测量问题缝隙入口复制功能数值测量有效结合有效解决内壁测量复制狭窄退出

[发明专利]一种退火后的氧化物半导体薄膜和改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法-CN202011607453.2在审
发明人：张振中;乔宝石;申德振;刘可为;陈星;李炳辉;谢修华 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火后的氧化物半导体薄膜，所述退火后的氧化物半导体薄膜具有表面平整的微观形貌；所述退火后的氧化物半导体薄膜不具有裂纹。本发明提供的能够改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法，使得本发明退火后的氧化物半导体薄膜具有特定的微观形貌，表面平整且不会产生裂纹。本发明得到的退火后的氧化物半导体薄膜产生的晶界少、缺陷少，薄膜内部晶界密度低，载流子迁移率高；同时氧化物薄膜表面形貌不发生变化，可重复性好；而且氧化物组分变化不明显，结晶质量能够得到有效提高。
一种退火氧化物半导体薄膜改善结晶质量两步退火法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条