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[发明专利]涡旋流量测量仪、压力传感器和制造压力传感器的方法-CN201210238590.2有效
发明人： N.C.弗南德斯;H.克里施;M.刘;S.图尔尼龙 -专利权人：克洛纳测量技术有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G01F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种涡旋流量测量仪、压力传感器和制造压力传感器的方法。涡旋流量测量仪带有测量管、滞流体和压力传感器，其中，压力传感器具有可偏转的测量薄膜，并且测量薄膜的偏转在测量技术上被用以检测邻近测量薄膜的介质中的压力，其中，为了检查测量薄膜的偏转在测量薄膜上和/或在其中布置有至少一个光学纤维，其中，光学纤维在其走向上和/或在测量薄膜中至少部分地与测量薄膜有效地连接，使得测量薄膜的由于介质压力所引起的偏转在有效地连接的区域中导致光学纤维的伸展和/或收缩。压力传感器具有通过介质的压力可偏转的薄膜袋并且薄膜袋包围带有光学纤维的测量薄膜，使得薄膜袋对测量薄膜屏蔽介质并且测量薄膜与薄膜袋一起被偏转。
涡旋流量测量仪压力传感器制造方法

[发明专利]一种测量薄膜张力与变形关系的测量平台及测量方法-CN201711268179.9有效
发明人：管世民;张海;卜俊峰 -专利权人：彩虹无人机科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01N3/28 文献下载
摘要：一种测量薄膜张力与变形关系的测量平台及测量方法，平台包括：基台、薄膜固定组件、拉伸调节组件和测量组件；基台的安装台面为矩形框结构，拉伸调节组件和测量组件均固定安装在所述矩形框结构上，薄膜固定组件安装在拉伸调节组件上，薄膜固定组件用于薄膜的固定，拉伸调节组件用于调整薄膜固定组件的位置，进而调节薄膜的变形，测量组件用于测量出薄膜固定组件的位移量和薄膜变形量，进而得到薄膜张力与变形之间的关系。基于该平台，还提出了该平台的具体测量方法。该平台可用于薄膜面内横向和纵向两个独立受载时的变形，还可以测量薄膜面内和面外方向独立受载时薄膜的变形量。
一种测量薄膜张力变形关系平台测量方法

[发明专利]一种3DNAND存储器的层叠结构的薄膜层厚度测量方法-CN201711058321.7在审
发明人：陈子琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种3D NAND存储器的层叠结构的薄膜层厚度测量方法。该方法将厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层断面形成锯齿状形貌，如此，该锯齿状形貌的各层薄膜层断面的SEM图像为明暗相间的条纹，通过对该明暗相间的条纹进行处理，即可得到厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层的厚度，因为3D NAND存储器的层叠结构的各层薄膜层厚度与厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层厚度一致，因此，测量得到的厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层厚度即为3D NAND存储器的层叠结构的各层薄膜层厚度。该测量方法为非破坏性测量，测量周期短，有利于规模化量产工艺。另外，该测量方法可以直接测量特定层薄膜厚度，从而有利于薄膜沉积工艺的稳定性监测。
一种 dnand 存储器层叠结构薄膜厚度测量方法

[发明专利]薄膜厚度测量装置、方法、系统、计算机设备和存储介质-CN202210106344.5有效
发明人：李仕远;董显山;苏伟;黄钦文;黄一雄;黄云;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种薄膜厚度测量装置、方法、计算机设备和存储介质。所述装置包括：样品固定模块、尺寸测量模块、谐振频率测量模块和处理模块，处理模块分别与尺寸测量模块和谐振频率测量模块连接；样品固定模块用于对预定形状的薄膜样品的所有边进行固定，以使薄膜样品的所有边上的挠度和转角均为0；尺寸测量模块用于测量薄膜样品的平面几何尺寸；谐振频率测量模块用于测量薄膜样品的谐振频率；处理模块用于接收外部输入以获取对应薄膜样品的材料物性参数，并根据薄膜样品的谐振频率、平面几何尺寸和材料物性参数得到薄膜样品的厚度采用本方法测量薄膜厚度的过程无需破坏薄膜样品，准确度较高，同时对薄膜样品的透光性无要求，适应范围广。
薄膜厚度测量装置方法系统计算机设备存储介质

[发明专利]外延薄膜厚度测量方法-CN201010278636.4无效
发明人：李秀然;李春雷 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延薄膜厚度测量方法。该外延薄膜厚度测量方法包括：参考薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上直接形成具有图案的参考薄膜；外延薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上的形成有参考薄膜的区域之外的其它区域直接形成外延薄膜；以及测量步骤，用于根据参考薄膜来测量外延薄膜的厚度根据本发明的外延薄膜厚度测量方法通过提供一个同样形成在晶圆衬底上的参考薄膜来作为参照，从而能够简单快速地以高精度测量出外延薄膜厚度。
外延薄膜厚度测量方法

[实用新型]烟用薄膜热收缩率测量装置及其测量夹具-CN201621444590.8有效
发明人：周明珠;刘勇;王锦平;邢军;张龙;孟庆华;李志刚;李晓辉;董浩;花昌义;周德成;孙淼 -专利权人：国家烟草质量监督检验中心;中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G01N25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及烟用薄膜热收缩率测量装置及其测量夹具，烟用薄膜热收缩率测量装置包括烘箱和测量夹具，测量夹具包括使用时置于所述烘箱中的用于固定薄膜两端的左薄膜座和右薄膜座，左薄膜座、右薄膜座支起所述薄膜而使左薄膜座、右薄膜座之间形成位于所述薄膜下侧的与所述薄膜上侧的上侧导热空间相通的下侧导热空间。本实用新型解决了现有技术中薄膜上下两侧受热不均而导致薄膜变形不均的问题。
薄膜收缩测量装置及其夹具

[发明专利]一种薄膜热收缩率的测量方法及测量装置-CN201611225296.2在审
发明人：周明珠;刘勇;王锦平;邢军;张龙;孟庆华;李志刚;李晓辉;董浩;花昌义;周德成;孙淼 -专利权人：国家烟草质量监督检验中心;中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜物理性能检测技术领域，尤其涉及一种薄膜热收缩率的测量方法及测量装置。该测量方法包括加热前，测量薄膜样品的长度为薄膜初始长度L1；将该薄膜样品置于加热设备中加热；将该薄膜样品从加热设备中取出、冷却，拉伸该薄膜样品使其处于张紧状态，记录此时该薄膜样品的长度为薄膜变形后长度L2，根据所述薄膜初始长度L1、薄膜变形后长度L2、结合收缩率的计算公式计算出薄膜的热收缩率。该测量方法用于解决薄膜加热变形后的长度测量不准确的问题。
一种薄膜收缩测量方法测量装置

[发明专利]一种金属化薄膜方块电阻测量辅助装置-CN202011412532.8在审
发明人：胡今昶;张海龙;蔡长青;蔡炜;陈凯;王意飞;沈星;刘礼邦 -专利权人：国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网电力科学研究院有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属化薄膜方块电阻测量辅助装置，包括金属化薄膜方块电阻测量装置，所述金属化薄膜方块电阻测量装置上端放置有金属化薄膜方块电阻测量辅助装置，所述金属化薄膜方块电阻测量辅助装置包括底板、压板和连接件本发明金属化薄膜方块电阻测量辅助装置，能够完成对规定位置的方块电阻的测量，同时能够使测量速度提升大约10倍，压块压紧金属化薄膜本体，有效的防止金属化薄膜本体产生移动，便于测量，转动轴在第一弹簧的拉力下使转辊向下压金属化薄膜本体，同时使转辊在底板上滚动，便于将底板上的金属化薄膜本体保持平整。适用于金属化薄膜方块电阻测量。
一种金属化薄膜方块电阻测量辅助装置

[实用新型]一种金属化薄膜方块电阻测量辅助装置-CN202022900996.5有效
发明人：胡今昶;张海龙;蔡长青;蔡炜;陈凯;王意飞;沈星;刘礼邦 -专利权人：国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网电力科学研究院有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属化薄膜方块电阻测量辅助装置，包括金属化薄膜方块电阻测量装置，所述金属化薄膜方块电阻测量装置上端放置有金属化薄膜方块电阻测量辅助装置，所述金属化薄膜方块电阻测量辅助装置包括底板、压板和连接件本实用新型金属化薄膜方块电阻测量辅助装置，能够完成对规定位置的方块电阻的测量，同时能够使测量速度提升大约10倍，压块压紧金属化薄膜本体，有效的防止金属化薄膜本体产生移动，便于测量，转动轴在第一弹簧的拉力下使转辊向下压金属化薄膜本体，同时使转辊在底板上滚动，便于将底板上的金属化薄膜本体保持平整。适用于金属化薄膜方块电阻测量。
一种金属化薄膜方块电阻测量辅助装置

[发明专利]一种巨磁阻薄膜的力电磁耦合行为的检测装置及方法-CN201110350027.X有效
发明人：冯雪;张长兴;董雪林 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R33/14 文献下载
摘要：一种巨磁阻薄膜的力电磁耦合行为的检测装置及方法，属于工程材料、结构形变以及力学实验、电学实验技术领域。该装置包括磁场发生器、巨磁阻薄膜磁滞回线测量光路、薄膜应力测量光路、薄膜电阻探针测试仪。巨磁阻薄膜磁滞回线测量光路包括激光器、光阑、反光镜、起偏镜、检偏镜、透镜、光电检测器，薄膜应力测量光路包括激光器、空间滤波器、校准器、反光镜、CCD相机。该方法利用磁场发生器提供均匀磁场，利用磁光克尔效应测量薄膜的磁滞回线，利用多束光学应力敏感技术测量薄膜表面的曲率，由曲率同应力关系式得到薄膜应力，利用薄膜电阻探针测量仪测量薄膜材料电阻率，最终得到巨磁阻薄膜电阻同薄膜磁感应强度
一种磁阻薄膜电磁耦合行为检测装置方法

[发明专利]一种机床装配结合面应力分布测量薄膜、系统及方法-CN201410624032.9有效
发明人：孙清超;黄信;石博文;孙伟;孙志勇 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种机床装配结合面应力分布测量薄膜、系统及方法，测量薄膜上具有和应力等值线在邻侧面上的延伸线一致的标示线、设置在标示线上的k个应力采集传感器以及将测量薄膜准确定位在邻侧面上的定位单元。测量系统包括：测量薄膜、存储模块以及人机交互模块。测量方法的步骤包括：选择测量薄膜、测量薄膜定位和粘贴、应力数据采集、测量数据存储、绘制结合面几何结构和应力分布显示。本发明通过在机床装配结合面的邻侧面粘贴测量薄膜，根据测得的测量薄膜的应力值确定装配结合面的应力分布，测量方法简单，适合大批量生产过程中对机床结合面应力的实时监控。
一种机床装配结合应力分布测量薄膜系统方法

[发明专利]薄膜热导率的测量装置及测量方法-CN202010037110.0有效
发明人：许威;王晓毅;赵晓锦;杨亚涛 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜热导率的测量装置及测量方法，采用硅基板作为测量装置的基座，多个薄膜微桥平行架设于刻蚀槽上以组成测量微结构装置，以复现微型电子器件的实际工作过程，以此测量得到微型电子器件工作过程中薄膜材料的热导率本发明的薄膜热导率的测量装置及测量方法，可在复现微型电子器件的实际工作过程的情况下，对薄膜材料的热导率进行精准测量，以将测量结果作为对薄膜材料进行实际应用的准确参考，解决了传统测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时存在的测量不准确的问题
薄膜热导率测量装置测量方法

[发明专利]薄膜厚度的测量方法及装置-CN201910561172.9在审
发明人：李政 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜厚度的测量方法及装置，所述方法包括如下步骤：获得校准参数的步骤：采用第一测量方法测量参考样品的薄膜层的厚度，得到所述参考样品的薄膜层的第一厚度；采用第二测量方法测量所述参考样品的薄膜层的厚度，得到所述参考样品的薄膜层的第二厚度；将所述第一厚度与所述第二厚度进行比较，得到所述校准参数；获得待测样品的薄膜层的厚度步骤：采用所述第一测量方法测量待测样品的薄膜层的初始厚度，所述待测样品与所述参考样品为同类型样品；采用所述校准参数对所述初始厚度进行校准，得到该待测样品的薄膜层的厚度。其能够对超薄单层薄膜的厚度及多层薄膜层交叠设置的结构的薄膜层的厚度进行准确测量，提高测量精度。
薄膜厚度测量方法装置

[发明专利]一种用于3D NAND存储器的存储层薄膜厚度测量方法-CN201711059141.0有效
发明人：陈子琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储层薄膜厚度测量方法，该方法通过在非存储器件的层叠结构上蚀刻形成存储层厚度测量槽，将3D NAND存储器的存储层薄膜厚度的测量转换为厚度测量槽内的存储层薄膜厚度的测量，因厚度测量槽内的存储层薄膜厚度可以通过椭偏光谱仪完成测量，而利用椭偏光谱仪测量薄膜厚度的技术为非破坏性无损测量技术，从而实现对3D NAND存储器中的存储层薄膜厚度的无损快速测量。
一种用于 dnand 存储器存储薄膜厚度测量方法

[发明专利]一种锂电池薄膜测厚装置-CN202310134449.6在审
发明人：赵海奇;师永乐;刘艳华 -专利权人：上海蔻奢自动化技术有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种锂电池薄膜测厚装置，包括测量平台、支架和支撑台，支撑台上滑动连接有探测台，探测台靠近测量平台一侧设有测量探头和贴合机构，在测量薄膜厚度时，将薄膜对正测量探头平放在测量平台上。向下滑动探测台，辊筒率先与薄膜接触并开始滚动，弹性件一发生形变，使支撑杆时刻提供将辊筒与薄膜压紧的压力，支撑杆围绕转轴转动且其倾斜程度逐渐增加，直至测量探头与薄膜抵触，进行测量，测量信息反馈至显示屏，辊筒滚动过程中使薄膜逐渐展平并与测量平台紧密贴合本申请具有减少厚度测量误差，提高薄膜测厚精度的效果。
一种锂电池薄膜装置

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