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[发明专利]基片传输方法、控制模块和基片传输系统-CN201811550042.7有效
发明人：王凯;张云鹏;慕晓航 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基片传输方法，用于依次传输多个容纳有基片的基片箱，其中，所述基片传输方法包括：以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域；以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L‑N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架；以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架本发明还提供一种基片传输装置的控制模块和一种基片传输系统。利用所述基片传输方法可以有效提高基片传输的速率。
传输方法控制模块系统

[发明专利]声表面波谐振器、其制造方法和无线电电路-CN202110982990.3在审
发明人：岸田和人;垣尾省司;小川健吾;横田裕章 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：在根据一种实施方式的声表面波谐振器中，石英晶体基片包括AT切0°X传播第一石英晶体基片和接合在第一石英晶体基片上的Z切第二石英晶体基片。声表面波在第二石英晶体基片中的传播方向从晶体的X轴倾斜27至33°、87至93°、或者147至153°，并且第二石英晶体基片的厚度是声表面波的波长的0.2倍至1.0倍。
表面波谐振器制造方法无线电电路

[发明专利]一种立体的微流控芯片及其制备方法-CN201510919760.7在审
发明人：刘侃;陈婷;艾钊;项坚真 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种立体的微流控芯片，包括第一基片，第二基片，…至第N基片，N为大于等于2的正整数，所述第一基片至第N基片具有微流通道或微流腔，所述第一基片至第N基片依次通过聚合物层两两连接，使得所述第一基片至第N基片的微流通道或微流腔相连通，从而形成立体的微流控结构。本发明还公开了该微流控芯片的制备方法，首先将预制的聚合物均匀涂覆于衬底上，干燥后得到1μm～100μm的聚合物层；然后第一基片和第二基片分别与聚合物层键合，反复叠加，从而得到所述微流控芯片。
一种立体微流控芯片及其制备方法

[实用新型]一种片式氧传感器-CN201821606207.3有效
发明人：王纯强;胡乾;赵锋;陈志 -专利权人：江苏惟哲新材料有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：其包括自下而上依次叠压的陶瓷基片一、陶瓷基片二、陶瓷基片三和陶瓷基片四，陶瓷基片一和陶瓷基片二之间设置有加热电极且加热电极的上、下表面均覆盖有绝缘层，加热电极的尾部通过通孔一引出至表面电极一，陶瓷基片三自尾部设有向前延伸的空腔，参比电极设置于陶瓷基片三和陶瓷基片四之间并位于空腔的正上方，参比电极的宽度方向两侧延伸至空腔外侧，电极引线设置于陶瓷基片三和陶瓷基片四之间，电极引线的前端与参比电极连接，尾部通过通孔二引出至表面电极二，参比电极和电极引线分别与陶瓷基片三和陶瓷基片四烧结固定。
陶瓷基片参比电极电极引线加热电极空腔片式氧传感器表面电极通孔绝缘层本实用新型氧化锆基体两侧延伸向前延伸氧传感器下表面烧结叠压覆盖

[发明专利]基片保持部的位置调节方法、基片处理系统和存储介质-CN202210365601.7在审
发明人：仓富一纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种基片保持部的位置调节方法、基片处理系统和存储介质。该位置调节方法包括：步骤A，使支承着基片的基片保持部水平地移动至基片载置部的上方；步骤B，使支承着基片的基片保持部下降至当前设定中的基准高度位置；步骤C，使基片保持部移动至检测部，利用检测部检测该基片保持部上的基片；和步骤D，基于步骤C的检测结果，判断基片是否被载置到基片载置部的步骤，反复依次执行步骤A～步骤D，并且每次执行时将基准高度位置向下方修正规定距离，直到在步骤D中判断为基片被载置到基片载置部。依照本发明，不会受到用于保持基片等的吸引力降低的影响，能够适当地进行基片输送装置所具有的基片保持部的基准高度位置的设定。
保持位置调节方法处理系统存储介质

[发明专利]提升激光损伤阈值的基片处理方法-CN201710931656.9在审
发明人：朱美萍;曾婷婷;邵建达;柴英杰;许诺;尹超奕;易葵 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：采用热处理和超声清洗相结合的技术，提出一种提升基片表面及透射类薄膜元件激光损伤阈值的基片处理方法。利用热处理技术将基片亚表面的杂质颗粒析出至基片表面，然后通过超声清洗技术去除析出至基片表面的杂质颗粒。本发明能够在去除(亚)表面杂质颗粒的同时增加薄膜的附着力，提升基片表面及透射类薄膜元件的激光损伤阈值。
提升激光损伤阈值处理方法

[实用新型]一种流量开关片式分流结构-CN201920852258.2有效
发明人：谌铎文;赵川 -专利权人：广州嵩晨机电科技有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： F16N25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种流量开关片式分流结构，包括相互连通的左基片和右基片，左基片和右基片之间设置有结构相同的中间基片，所述基片内部贯穿有相互接触连通的传送腔，所述传送腔一端串联连通至润滑油泵，另一端并联分别连接至被润滑点；本实用新型实施中，根据需要增删中间基片，多点润滑时可单独通过调节每条支路针阀大小来调节支路润滑流量；左基片和右基片不可少，基片中每一片包括流量计、上片、流量开关，当需要对N个润滑点进行润滑的时候，添加N‑2个中间基片，中间基片与左基片和右基片结构尺寸一致，依靠O圈密封，采用螺钉贯穿安装孔进行紧固，润滑油由传送腔一端进入，被基片进行分流之后形成多路润滑。
一种流量开关分流结构

[发明专利]各个彩色像素均具有子像素的液晶显示器-CN200510105098.8有效
发明人：白承洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-26 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种液晶显示器，包括：第一基片；栅极线，设置于第一基片上；数据线，与栅极线交叉；薄膜晶体管，连接至栅极线和数据线；耦合电极，连接至薄膜晶体管；第一子像素电极，连接至薄膜晶体管；第二子像素电极，电容性地耦合到耦合电极；第二基片，面向第一基片；共电极，设置于第二基片上；以及偏光器，设置于第一基片或第二基片上，并具有偏振轴。
各个彩色像素具有液晶显示器

[发明专利]半导体单元-CN201310526888.8无效
发明人：西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种半导体单元，其包括：绝缘基片，该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一传导层，该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面；第二传导层，该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面；应力消除层，该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面；散热装置，该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至应力消除层；以及半导体器件，该半导体器件电结合至相应的第一和第二传导层。绝缘基片具有低刚性部分，该低刚性部分设置在第一和第二传导层之间并且具有比绝缘基片的其余部分低的刚性，并且至少低刚性部分通过模具树脂密封和覆盖。
半导体单元

[发明专利]在低度偏轴碳化硅基片上的外延生长及利用其制造的半导体器件-CN200980118597.7无效
发明人：张洁 -专利权人：半南实验室公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明描述了一种在单晶SiC基片上外延生长SiC层的方法。该方法包括在隔室中将单晶SiC基片加热至至少1400℃的第一温度，向该隔室中引入载气、含硅气体和含碳气体；和在SiC基片的表面上外延生长SiC层。SiC基片以至少30℃/分钟的速率被加热至第一温度。SiC基片的表面以相对于基片材料的基面呈1°～3°的角度倾斜。
低度碳化硅基片上外延生长利用制造半导体器件

[发明专利]一种接地基片上形成纯铝镀的方法及装置-CN202010522434.3在审
发明人：李淑贤;苏丹;徐伟;谢敏;宛卓逸;胡怡 -专利权人：常熟颢文电子科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明属于镀膜技术领域，具体为一种接地基片上形成纯铝镀的方法，包括以下步骤：基片清洗，除去基片表面的油污以及颗粒残留，并将清洗后的基片放入红外线烘干箱加温100°烘干；将烘干后的基片送进真空炉；进炉后真空抽至0.002帕，冲氩气至真空为0.2帕后往基片上施加500V负偏压，并辉光清洗；开多弧靶，进行铝膜打底2分钟；多弧打底结束后负偏压降低至100V，开磁控电源，电流调至50A持续120分钟镀膜结束。基片在进入镀膜机前首先经过超声波清洗，然后经过一次烘干等，而基片在进入镀膜机后又经过离子辉光清洗，以除去基片上的残留微观杂质，最终确保基片表面干净无污，为镀膜的形成提供无污环境，经过磁控溅射镀膜，最终在基片表面形成纯铝镀层
一种接地基片上形成纯铝镀方法装置

[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制作方法-CN201810757764.3在审
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件制作方法，准备一外延基片，对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀，形成沟槽；在沟槽中形成侧壁介电层；在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面；对屏蔽栅继续进行回刻，使屏蔽栅回刻至外延基片表面以下；在沟槽内进行第二介电层填充并回刻至外延基片表面以下；在沟槽内和外延基片的表面淀积控制栅，屏蔽栅引出处淀积的控制栅向沟槽两侧填充；对控制栅进行回刻，使控制栅回刻至外延基片表面
外延基片屏蔽栅回刻控制栅功率MOSFET器件介电层填充侧壁制作表面淀积淀积光刻

[发明专利]基片损伤防止系统和方法-CN200710181227.0无效
发明人：黄荣周 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了用于等离子体处理装置的基片损伤防止系统和方法。该系统可包括：基片可安装于其上的下电极、可将惰性气体供应至其上可安装基片的下电极上表面的惰性气体供应单元、以及可将空气供应至下电极上表面的空气供应单元。惰性气体可供应于下电极和基片之间以在卡紧期间控制基片的温度。空气可在松开期间供应于下电极和基片之间以允许基片易于与下电极分开。
损伤防止系统方法

[发明专利]热压结合器、及其操作方法、和密脚距倒装芯片组件的互连方法-CN201510385809.5在审
发明人： G·弗里克;T·J·小科洛西莫;H·克劳贝格 -专利权人：库利克和索夫工业公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：热压结合器包含：具有用于将半导体元件结合至基片的加热的结合工具；以及用于在半导体元件结合至基片之前将助焊剂材料施涂至基片的导电触头的助焊剂施涂工具。
热压结合及其操作方法密脚距倒装芯片组件互连方法

[发明专利]用于半导体芯片封装的柔韧带基片和制造这种封装的方法-CN97110265.1无效
发明人：姚庆良;龚达荣;卢伟明 -专利权人：晶门科技有限公司
申请日： 1997-04-07 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：柔韧带基片，用于将被安装于它的一个区域的半导体晶片，具有形成于其中的孔的二维阵列，该阵列环绕区域的至少一边。多个导电内引线被接合至该区域周围的基片，以连接至该半导体晶片。多个导电外引线被接合至基片，以连接至另一元件，比如印刷电路板，并且每个导电外引线在阵列的一个孔上延伸。多个电连接装置被接合至基片，以连接内引线至相应外引线。
用于半导体芯片封装柔韧带基片制造这种方法

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